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50ns时间分辨率瞬态热反射热成像测温装置
1
作者
翟玉卫
刘岩
+4 位作者
王强栋
银军
李灏
杜蕾
吴爱华
《半导体技术》
北大核心
2025年第7期740-745,共6页
针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出...
针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出插入监控帧的脉冲窗函数控制时序及算法,抑制了光强漂移对测温结果的影响。选择一个与GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极材质相同的金属微带电阻作为被测件(DUT),对其施加1μs脉宽的电激励。采用瞬态热反射热成像测温装置测得其温度上升时间为1.0μs,且能明显区分50 ns时间间隔的温度变化。
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关键词
瞬态热反射热成像
时间分辨率
脉冲窗函数平均
金属微带电阻
光强漂移
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职称材料
题名
50ns时间分辨率瞬态热反射热成像测温装置
1
作者
翟玉卫
刘岩
王强栋
银军
李灏
杜蕾
吴爱华
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第7期740-745,共6页
文摘
针对脉冲工作条件下微波功率器件瞬态结温测试需求,开发了具备50 ns时间分辨率的热反射热成像测温装置。基于LED光源,采用较短的双同轴屏蔽线缆连接光源与驱动电源,减小了线缆阻抗和外部电磁干扰的影响,实现了50 ns照明脉冲输出。提出插入监控帧的脉冲窗函数控制时序及算法,抑制了光强漂移对测温结果的影响。选择一个与GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极材质相同的金属微带电阻作为被测件(DUT),对其施加1μs脉宽的电激励。采用瞬态热反射热成像测温装置测得其温度上升时间为1.0μs,且能明显区分50 ns时间间隔的温度变化。
关键词
瞬态热反射热成像
时间分辨率
脉冲窗函数平均
金属微带电阻
光强漂移
Keywords
transient thermoreflectance thermal imaging
temporal resolution
pulsed boxcar averaging
metal microstrip resistor
intensity drift of light
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
50ns时间分辨率瞬态热反射热成像测温装置
翟玉卫
刘岩
王强栋
银军
李灏
杜蕾
吴爱华
《半导体技术》
北大核心
2025
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