脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量：24

1

作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页

对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多

关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积 TIN薄膜 TiCN薄膜

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辅助外加热方式直流等离子体化学气相沉积TiN的研究

2

作者 谢雁 赵程 李世直 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第3期18-20,共3页

1 引 言 单纯靠离子轰击加热的直流等离子体化学沉积 TiN在刀具、刃具及各种耐磨工件上的应用已取得良 好的结果,就其工艺而言,由于影响离子轰击的因素 很多造成工艺参数控制复杂,重复性差,温度不均匀等缺点。90年代起本所开始采... 1 引 言 单纯靠离子轰击加热的直流等离子体化学沉积 TiN在刀具、刃具及各种耐磨工件上的应用已取得良 好的结果,就其工艺而言,由于影响离子轰击的因素 很多造成工艺参数控制复杂,重复性差,温度不均匀等缺点。90年代起本所开始采用了辅助外加热方式沉积技术,改变了单纯依靠离子轰击加热而带来了弊端。将反应时等离子体放电强度与放电工件温度分离,从而提高了工艺的稳定性。 展开更多

关键词 氮化钛 直流等离子体 化学气相沉积 喷镀

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直流电弧等离子体喷射化学气相沉积高质量金刚石膜残余应力分布的拉曼谱分析(英文) 被引量：5

3

作者 杨胶溪 李成明 +4 位作者 陈广超 吕反修 唐伟忠 宋建华 佟玉梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期674-678,共5页

不同工艺条件下在钼衬底 (6 0mm)上用 10 0kW直流电弧等离子体喷射化学气相沉积设备进行金刚石膜的制备。金刚石膜用扫描电镜 (SEM)、拉曼谱 (激光激发波长为 4 88nm)和X射线衍射来表征。研究结果表明 ,在直流电弧等离子体喷射化学气... 不同工艺条件下在钼衬底 (6 0mm)上用 10 0kW直流电弧等离子体喷射化学气相沉积设备进行金刚石膜的制备。金刚石膜用扫描电镜 (SEM)、拉曼谱 (激光激发波长为 4 88nm)和X射线衍射来表征。研究结果表明 ,在直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜的过程中 ,内应力大小从金刚石膜的中央到边缘是增加的 ,并且应力形式是压应力。这说明了在金刚石膜中存在明显的应力不均。甲烷浓度和衬底温度都影响金刚石膜中的内应力。随着甲烷浓度和衬底温度的提高 ,金刚石膜中的内应力呈增加的趋势。 展开更多

关键词 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积 金刚石膜 制备 扫描电镜 拉曼谱 X射线衍射 残余应力

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热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜的研究 被引量：2

4

作者 彭鸿雁 赵万邦 +2 位作者 赵立新 姜宏伟 孙丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期6-9,17,共5页

采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由... 采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600nm减小到约30nm。金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大。等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团。 展开更多

关键词 纳米晶金刚石膜 热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积 氩气/甲烷/氢气混合气

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用于模具行业的等离子体辅助化学气相沉积薄膜强化技术与应用

5

作者 徐可为 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期4-5,共2页

探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明... 探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明,气相沉积表面陶瓷化技术在当今科技界具有领先的技术优势,其在工业界所产生的经济效益和行业引领作用将成为其未来技术评估的重点。 目前氮化钛镀膜技术已在国际刀具领域形成工业化生产。基本公认的事实是,离子镀用于高速钢刀具效果最好。 展开更多

关键词 模具 氮化钛薄膜 等离子体辅助化学气相沉积 表面强化技术

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射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征 被引量：2

6

作者 陈冲 费振义 +5 位作者 亓永新 曹宁 张益博 王风 吕震 李木森 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期7-12,共6页

使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(... 使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。 展开更多

关键词 射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积 类金刚石薄膜 放电特性

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直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究 被引量：4

7

作者 丁发柱 石玉龙 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2006年第1期1-4,共4页

通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金... 通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。通过调节偏压可以控制所形成的等离子体的偏流。在这一改进的系统中研究了金刚石薄膜形核和生长过程,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析了金刚石的样品,结果表明,施加偏压不仅能大大促进金刚石的形核密度(1010cm-2)、提高金刚石薄膜的生长速率,金刚石薄膜的取向也随机取向变为(111)定向生长。 展开更多

关键词 直流等离子体 热丝化学气相沉积 金刚石形核及生长

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偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积TiO_2薄膜的结构和性能的影响 被引量：4

8

作者 刘伟 李岩 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期103-107,共5页

使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉... 使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较.在沉积的过程中,利用USB-2000型光纤光谱仪对等离子体的发射光谱进行测量,定性分析等离子体沉积过程中的成分组成.用UV-1901探讨薄膜的光学特性,发现紫外和近紫外区域有一定吸收;用扫描电镜分析薄膜表面形貌的变化,可以看到偏压下的薄膜致密无孔,而远离偏压下的薄膜形貌粗糙;用红外光谱分析薄膜的结构组成,可以看到明显的Ti—O吸收峰.脉冲偏压下得到的薄膜在化学、光学以及电学方面有很好应用前景. 展开更多

关键词 TiO2 等离子体 脉冲偏压 等离子体增强化学气相沉积(PE—CVD)

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人工神经网络—遗传算法优化激光—等离子体化学气相沉积Si_3N_4薄膜制备工艺 被引量：2

9

作者 张勤俭 吴春丽 +4 位作者 李敏 张勤河 秦勇 毕进子 张建华 《陶瓷学报》 CAS 2002年第2期116-118,共3页

应用人工神经网络建立了激光—等离子体辅助化学气相沉积 (LPCVD)工艺参数与Si3 N4薄膜显微硬度的关系。并运用遗传算法优化出了最佳工艺。

关键词 激光-等离子体辅助化学气相沉积 Si3N4薄膜 人工神经网络 遗传算法

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直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法制备金刚石膜过程中冷阱的设计及作用 被引量：1

10

作者 陈良贤 邵思武 +8 位作者 刘鹏 安康 郑宇亭 黄亚博 白明洁 张建军 刘金龙 魏俊俊 李成明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第2期150-155,共6页

首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结... 首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结果表明:冷阱系统可以有效过滤循环气路中的热油气,避免杂质的掺入;在添加冷阱系统后,金刚石膜内掺入的杂质减少,金刚石拉曼峰半高宽降低到6.76 cm^(−1),接近于Ib型单晶金刚石的,且自支撑金刚石膜的晶体质量明显提高,光学透过率提升较大,在10.6μm波长处达到68.4%。 展开更多

关键词 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法 金刚石膜 循环系统 冷阱

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磁控溅射和脉冲直流化学气相沉积Ti-Si-N薄膜摩擦磨损性能对比研究 被引量：2

11

作者 马青松 马胜利 +1 位作者 徐可为 徐洮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期415-419,共5页

分别利用磁控溅射和脉冲直流化学气相沉积(PCVD)技术制备了Ti-Si-N薄膜,测定了2种Ti-Si-N薄膜的显微硬度,并采用球-盘式高温摩擦磨损试验机对比考察了其高温摩擦磨损性能.结果表明,当薄膜中Si含量(原子分数)约为10%时,2种薄膜的显微硬... 分别利用磁控溅射和脉冲直流化学气相沉积(PCVD)技术制备了Ti-Si-N薄膜,测定了2种Ti-Si-N薄膜的显微硬度,并采用球-盘式高温摩擦磨损试验机对比考察了其高温摩擦磨损性能.结果表明,当薄膜中Si含量(原子分数)约为10%时,2种薄膜的显微硬度达到最大值;2种Ti-Si-N薄膜的耐磨性能同其硬度之间不存在对应关系,其中采用PCVD方法制备的Ti-Si-N薄膜的高温抗磨性能较优;2种薄膜在高温下的摩擦系数均有所降低,这归因于高温下氧化膜的润滑作用. 展开更多

关键词 磁控溅射 脉冲直流化学气相沉积(PCVD) Ti-Si-N薄膜 摩擦磨损性能

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直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究 被引量：3

12

作者 李彬 闫占奇 +4 位作者 李浩 韩晓泉 吕反修 陈广超 李宏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期279-283,共5页

通过利用光发射谱技术,探测了大功率直流喷射电弧等离子体增强化学气相沉积方法中沉积区域的气相激元分布,进而优选了金刚石生长的位置。在沉积过程中,不断使衬底做背向等离子体的运动,实现了大颗粒金刚石的连续生长,颗粒尺寸达到约1 mm... 通过利用光发射谱技术,探测了大功率直流喷射电弧等离子体增强化学气相沉积方法中沉积区域的气相激元分布,进而优选了金刚石生长的位置。在沉积过程中,不断使衬底做背向等离子体的运动,实现了大颗粒金刚石的连续生长,颗粒尺寸达到约1 mm3。采用劳厄背反射X射线衍射测试技术和拉曼谱技术,对所制备的样品进行了测试,结果表明:所制备的颗粒为金刚石单晶。对于大尺寸衬底,研究了背向运动速度对沉积晶体的形貌和质量的影响,发现了ATG型不稳定形貌。 展开更多

关键词 直流喷射电弧 等离子体 化学气相沉积 金刚石单晶

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直流电弧等离子体CVD金刚石膜工艺参数优化 被引量：3

13

作者 张鬲君 苗晋琦 钟国防 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2008年第3期70-73,共4页

为了研究工艺对CVD金刚石膜生长的影响,本文采用电镜、激光Raman谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度（3%-10%）、基片温度（800-1200℃）的增加而增加,随工作... 为了研究工艺对CVD金刚石膜生长的影响,本文采用电镜、激光Raman谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度（3%-10%）、基片温度（800-1200℃）的增加而增加,随工作气压的升高先是增加,而后降低,峰值在15-20 kPa处。金刚石薄膜中非金刚石碳的相对含量先随基片温度的增加逐渐降低,在1080-1100℃达到最小值以后又开始急剧增加,膜的质量（结晶形态好和非金刚石碳的相对含量少）在1080-1100℃处达到最佳。 展开更多

关键词 直流电弧等离子体喷射 化学气相沉积 金刚石膜 工艺参数

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等离子体刻蚀辅助绝缘衬底上生长石墨烯研究

14

作者 陈鑫耀 田博 +1 位作者 彭东青 蔡伟伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期100-103,共4页

石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注。但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引入杂质和缺陷,因此,直接在氧化硅上生长高质量的石墨烯成了一项迫切的需求。基于传统的热壁化学气相沉积... 石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注。但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引入杂质和缺陷,因此,直接在氧化硅上生长高质量的石墨烯成了一项迫切的需求。基于传统的热壁化学气相沉积(CVD)系统,设计了一种新的绝缘衬底生长系统,通过附加微波等离子体单元来提供额外的蚀刻和辅助效果,成为微波等离子体蚀刻和辅助CVD(MPEE-CVD)。利用此系统,成功地实现了在氧化硅和其他绝缘衬底上直接生成可控尺寸的石墨烯薄膜,并通过拉曼光谱和扫描电子显微镜表征了晶体质量。该项工作为进一步改善基于石墨烯的场效应晶体管纳米器件的性能开辟了新的道路。同时,它为在绝缘衬底上直接生长其他二维材料提供了可能的指引。 展开更多

关键词 石墨烯 等离子体刻蚀辅助化学气相沉积 绝缘衬底

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基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响

15

作者 张湘辉 汪灵 +2 位作者 龙剑平 邓苗 冯珊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期3018-3022,共5页

采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研... 采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。 展开更多

关键词 直流弧光放电等离子体化学气相沉积法 纳米金刚石薄膜 基底温度 开-闭环复合控制

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氧等离子体对以石墨为碳源合成的CVD金刚石颗粒的影响

16

作者 姚凯丽 代兵 +5 位作者 谭小俊 杨磊 刘康 舒国阳 韩杰才 朱嘉琦 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第9期1621-1625,共5页

采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒。利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等。但是合成的金刚石... 采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒。利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等。但是合成的金刚石颗粒中仍含有少量的非晶碳,且合成颗粒的尺寸均匀性有待提高。为解决以上问题,本文中在反应不同阶段(初期、中期及末期)通入氧气,形成氧等离子体;研究氧等离子体对合成的金刚石颗粒形貌、尺寸、质量、纯度的影响,以及随氧等离子体添加阶段不同而产生的不同变化情况。结果表明,经氧等离子体处理的金刚石颗粒形貌略有改变,表面光滑度更好,且金刚石颗粒尺寸的一致性有所提高;经过激光粒度测试发现,金刚石颗粒的尺寸主要集中在25~29μm。添加氧等离子体有助于消除金刚石中的非晶碳,提高金刚石纯度;且在反应初期添加氧等离子体可最大程度提高金刚石颗粒质量。 展开更多

关键词 金刚石颗粒 石墨 微波辅助化学气相沉积 氧等离子体

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气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评 被引量：13

17

作者 马胜利 徐可为 介万奇 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期438-443,共6页

本文对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评 ,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)的优势。

关键词 制备 气相沉积技术 硬质薄膜 PCVD 等离子体辅助化学气相沉积

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温度与气压对脉冲PECVD沉积氧化铝薄膜的影响 被引量：4

18

作者 胡蝶 陈强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期662-668,共7页

在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力... 在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力、更多的单体选择和更好的薄膜性能,适合于制备高质量的薄膜。本文报道采用脉冲RF-PECVD氧化铝薄膜,且对影响薄膜结构和性能的工艺参数进行研究。通过椭圆偏振仪测量Al2O3的生长速率和折射率;利用红外光谱、扫描电镜和原子力显微镜对沉积的Al2O3薄膜进行成分、结构、表面粗糙度和形貌分析、测量和表征;采用透湿仪测量在有机聚酯薄膜表面沉积Al2O3层的阻隔性能。结果表明:薄膜沉积过程中的工作气压和沉积温度对脉冲RF-PECVD薄膜性能影响较大,在一定的沉积温度范围内,沉积的Al2O3薄膜为无色、透明、表面结构平滑致密;在温度相同的条件下,工作气压越高,纳米膜生长速率越快;而在相同工作气压下,沉积温度越低,薄膜生长速率越快。 展开更多

关键词 脉冲等离子体辅助化学气相沉积 氧化铝 工作气压和沉积温度 水蒸汽透过率

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脉冲微波表面波PECVD在有机PET表面沉积DLC薄膜的阻隔性研究 被引量：7

19

作者 周美丽 岳蕾 陈强 《包装工程》 CAS 北大核心 2019年第17期72-80,共9页

目的探讨使用脉冲微波表面波等离子体辅助化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料表面沉积类金刚石薄膜作为阻隔层的可行性。方法以C2H2为单体,氩(Ar)为放电气体,采用脉冲微波表面波等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在有机PE... 目的探讨使用脉冲微波表面波等离子体辅助化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料表面沉积类金刚石薄膜作为阻隔层的可行性。方法以C2H2为单体,氩(Ar)为放电气体,采用脉冲微波表面波等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在有机PET材料表面沉积类金刚石(Diamond-like Carbon,DLC)薄膜。研究工艺参数,如脉冲微波放电功率、工作气压、单体与工作气体的体积比等,对DLC薄膜沉积速率和阻隔性能的影响。通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、原子力显微镜(AFM)、氧气和水蒸气透过率测试仪等对薄膜结构与性能进行表征。结果DLC薄膜的结构和成分随着等离子体放电工艺参数的变化而改变,造成其阻隔性能也随之发生变化。PET表面沉积纳米级DLC薄膜后,氧气透过率和水蒸气透过率可以分别降至0.58 mL/(m^2·d)和2.5 g/(m^2·d)。结论DLC薄膜对氧气和水蒸气都表现出良好的阻隔性,可以应用于食品、药品的阻隔包装。 展开更多

关键词 微波表面波 等离子体辅助化学气相沉积 类金刚石薄膜 高阻隔聚酯 乙炔

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脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究 被引量：6

20

作者 苟伟 李剑锋 +2 位作者 楚信谱 张礼平 李国卿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期33-37,共5页

类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压... 类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压痕仪等设备对薄膜的相结构、表面形貌和力学性能进行了综合分析。 展开更多

关键词 脉冲放电 等离子体辅助化学气相沉积法 类金刚石碳膜 RAMAN光谱 表面形貌

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