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无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列
1
作者
张凤
张喜林
《河南科技》
2011年第4期66-67,共2页
近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点。其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一。ZnO是一种宽禁带直接带隙II-IV族半导体材料。
关键词
纳米棒阵列
形貌
预
沉积
脉冲激光沉积方法
靶材
ZNO
纳米结构
缓冲层
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职称材料
题名
无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列
1
作者
张凤
张喜林
机构
大连交通大学信息工程学院
出处
《河南科技》
2011年第4期66-67,共2页
文摘
近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点。其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一。ZnO是一种宽禁带直接带隙II-IV族半导体材料。
关键词
纳米棒阵列
形貌
预
沉积
脉冲激光沉积方法
靶材
ZNO
纳米结构
缓冲层
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列
张凤
张喜林
《河南科技》
2011
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