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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长: 1; 作者高楠房玉龙 +4 位作者王波张志荣尹甲运韩颖刘超《半导体技术》北大核心 2025年第5期481-487,共7页; GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬... 展开更多; 关键词金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶高温刻蚀半高宽(fwhm); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于速度调制的纳秒脉冲化系统数值模拟被引量：1: 2; 作者宋逢泉李国祥 +2 位作者刘成岳陈美霞祝庆军《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1724-1728,共5页; 文章根据脉冲化系统中切割器和聚束器的工作原理,基于蒙特卡罗方法编制了计算程序,数值模拟了带电粒子束流在脉冲化系统中的运动轨迹。通过分析模拟计算的结果可知,采用非等间距速度调制间隙的聚束器,可以有效地提高纳秒脉冲化系统的性... 展开更多; 关键词纳秒脉冲半高宽(fwhm) 切割器速度调制聚束器; 在线阅读下载PDF 职称材料

叠片法测量脉冲X射线源焦斑被引量：1: 3; 作者高屹马继明 +6 位作者张众张鹏飞孙江王志国尹佳辉梁天学杜泰斌《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3057-3061,共5页; 介绍了叠片法测量脉冲X射线源焦斑的原理。对确定结构和尺寸的金属、薄膜叠片及测试系统布局,数值计算了叠片法的空间分辨及对均匀分布线光源的输出响应,得到响应曲线半高宽与焦斑尺寸的对应关系。计算结果表明,叠片法不适用于测量小于2... 展开更多; 关键词叠片法尺寸测量脉冲射线源焦斑尺寸 X-RAY size measurement 杆箍缩二极管响应曲线系统布局数值计算输出响应确定结构空间分辨均匀分布计算结果感应电压对应关系线光源半高宽; 在线阅读下载PDF 职称材料

高掺杂低位错p型GaN材料生长研究: 4; 作者高楠房玉龙 +4 位作者王波韩颖张志荣尹甲运刘超《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期702-707,共6页; 对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一... 展开更多; 关键词金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度半高宽(fwhm); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于漠河与武汉站流星雷达的中间层顶大气温度反演: 5; 作者陈步鹏冯健 +3 位作者尹文杰许娜魏博琦宿杰《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期280-286,共7页; 本文利用漠河和武汉站的全天空流星雷达在2012—2022年期间的观测数据,基于流星高度分布的半高宽(full width at half maximum,FWHM)与温度之间的线性关系来反演90 km高度处的大气温度。对每年数据作线性拟合时发现拟合参数几乎不变,因... 展开更多; 关键词流星雷达大气温度中间层顶流星峰值高度半高宽(fwhm); 在线阅读下载PDF 职称材料

氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响被引量：4: 6; 作者王璟璟李清山 +4 位作者陈达孔祥贵张宁赵波郑学刚《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期787-791,共5页; 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响。实验结果表明,当氧压从10Pa升高到10... 展开更多; 关键词氧化锌脉冲激光沉积化学配比光致发光半峰全宽(fwhm); 在线阅读下载PDF 职称材料

用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量：3: 7; 作者杨丹丹王健 +4 位作者孙科伟张胜男金雷程红娟郝建民《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期477-482,共6页; 介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分... 展开更多; 关键词 4H-SiC单晶高分辨X射线衍射(HRXRD) 面扫描摇摆曲线半高宽(fwhm) 晶界; 在线阅读下载PDF 职称材料

X射线光谱数据处理平台的优化设计被引量：3: 8; 作者唐琳赵卫东 +4 位作者余松科刘泽余小东孟源黄兴禄《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期763-767,共5页; 在低计数率背景下X射线谱的高精度测量受X射线流的统计涨落影响,统计涨落决定了给定探测器能量分辨率的理论极限,而其他因素的影响则可以通过适当的噪声滤除和电子技术来降低。以往关于能量分辨率的研究大多利用谱反卷积对获取到的能谱... 展开更多; 关键词多脉冲局部平均 X射线光谱半高宽高性能硅漂移探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长: 1; 作者高楠房玉龙王波张志荣尹甲运韩颖刘超; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所山东大学集成电路学院; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第5期481-487,共7页; 文摘 GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H2刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AlN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬底台阶宽度有助于降低半高宽(FWHM)。采用不同表面预处理条件进行材料生长,发现氨气/三甲基铝(NH_(3)/TMAl)交替预处理对台阶有修饰作用,有助于降低GaN(002)晶面X射线衍射(XRD)峰FWHM,对(102)晶面XRD峰FWHM影响较小。最后讨论了AlN生长温度对GaN晶体质量的影响,发现AlN和GaN晶体质量均随温度升高而提高。综合各条件生长得到的GaN(002)晶面XRD峰FWHM为58.5 arcsec的GaN外延层,该FWHM为目前已知最低值,该样品GaN(102)晶面XRD峰FWHM为104.9 arcsec。; 关键词金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶高温刻蚀半高宽(fwhm); Keywords metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) GaN substrate step hightemperature etching full width at half maximum(fwhm); 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于速度调制的纳秒脉冲化系统数值模拟被引量：1: 2; 作者宋逢泉李国祥刘成岳陈美霞祝庆军; 机构合肥工业大学电子科学与应用物理学院国防科技大学理学院; 出处《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1724-1728,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11205194) 合肥工业大学博士学位专项基金资助项目(J2014HGBZ0122); 文摘文章根据脉冲化系统中切割器和聚束器的工作原理,基于蒙特卡罗方法编制了计算程序,数值模拟了带电粒子束流在脉冲化系统中的运动轨迹。通过分析模拟计算的结果可知,采用非等间距速度调制间隙的聚束器,可以有效地提高纳秒脉冲化系统的性能指标,所产生束流的脉冲半高宽(full width at half maximum,FWHM)比传统等间距速度调制间隙聚束器的减小了约10%。; 关键词纳秒脉冲半高宽(fwhm) 切割器速度调制聚束器; Keywords nanosecond full width at half maximum（fwhm） chopper velocity modulation buncher; 分类号 TL501.5 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名叠片法测量脉冲X射线源焦斑被引量：1: 3; 作者高屹马继明张众张鹏飞孙江王志国尹佳辉梁天学杜泰斌; 机构清华大学西北核技术研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3057-3061,共5页; 基金国家自然科学基金项目(10775112); 文摘介绍了叠片法测量脉冲X射线源焦斑的原理。对确定结构和尺寸的金属、薄膜叠片及测试系统布局,数值计算了叠片法的空间分辨及对均匀分布线光源的输出响应,得到响应曲线半高宽与焦斑尺寸的对应关系。计算结果表明,叠片法不适用于测量小于2 mm的焦斑。在感应电压叠加器上开展了阳极杆箍缩二极管实验,采用叠片法测量二极管X射线源轴向焦斑,与针孔照相结果基本相符,说明叠片法可用于脉冲X射线源焦斑尺寸测量。; 关键词叠片法尺寸测量脉冲射线源焦斑尺寸 X-RAY size measurement 杆箍缩二极管响应曲线系统布局数值计算输出响应确定结构空间分辨均匀分布计算结果感应电压对应关系线光源半高宽; Keywords Diodes Electron sources Image resolution Photography Pinhole cameras X ray apparatus X rays; 分类号 O4 [理学—物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高掺杂低位错p型GaN材料生长研究: 4; 作者高楠房玉龙王波韩颖张志荣尹甲运刘超; 机构山东大学微电子学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期702-707,共6页; 文摘对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一定的情况下,通过对温度、压力以及Delta掺杂过程中TMGa通入时间的调控实现了对p型GaN材料掺杂浓度与表面粗糙度和位错密度之间的平衡优化。结果显示,生长温度1150℃、生长压力400 mbar(1 mbar=100 Pa)、TMGa通入时间40 s的样品均方根表面粗糙度为0.643 nm,(002)晶面半高宽(FWHM)为176.8 arcsec,空穴迁移率为11.8 cm^(2)/(V·s),空穴浓度为1.02×10^(18)cm^(-3),实现了电学性能与晶体质量的平衡。; 关键词金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度半高宽(fwhm); Keywords metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) Delta doping p-type GaN hole concentration full width at half maximum(fwhm); 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于漠河与武汉站流星雷达的中间层顶大气温度反演: 5; 作者陈步鹏冯健尹文杰许娜魏博琦宿杰; 机构青岛大学电子信息学院中国电波传播研究所武汉大学电子信息学院电子科技大学物理学院; 出处《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期280-286,共7页; 文摘本文利用漠河和武汉站的全天空流星雷达在2012—2022年期间的观测数据,基于流星高度分布的半高宽(full width at half maximum,FWHM)与温度之间的线性关系来反演90 km高度处的大气温度。对每年数据作线性拟合时发现拟合参数几乎不变,因此本文使用过去一段时间总结出的参数来拟合温度,并与传统梯度法对比。结果表明,使用FWHM法测出的温度与Aura卫星的温度更为接近,其中相关系数和平均误差均优于梯度法,并且FWHM法在较高纬度的漠河站的拟合效果好于较低纬度的武汉站。说明在漠河站和武汉站使用FWHM法反演中间层顶大气温度是可行的;同时也证明了纬度会影响FWHM法的误差,在较高纬度使用FWHM法的结果误差更小。; 关键词流星雷达大气温度中间层顶流星峰值高度半高宽(fwhm); Keywords meteor radar atmospheric temperature mesopause height of peak meteor activity full width at half maximum(fwhm); 分类号 P351 [天文地球—空间物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响被引量：4: 6; 作者王璟璟李清山陈达孔祥贵张宁赵波郑学刚; 机构曲阜师范大学物理工程学院中国科学院激发态物理重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期787-791,共5页; 基金山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09); 文摘采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)谱,扫描电镜(SEM)和室温光致发光(PL)光谱的测量,研究了生长气氛压强的改变对薄膜结构和光致发光的影响。实验结果表明,当氧压从10Pa升高到100Pa时ZnO(002)衍射峰的半峰全宽(FWHM)增大。可以认为这是由于较高的氧压下,到达衬底表面的离子动能减小。这样部分离子没有足够的能量迁移到生长较快的(002)面,c轴取向变差,导致(002)衍射峰的强度降低,半峰全宽增大。随着氧压增大,紫外发光强度增强。这可能是氧压变大,薄膜的化学配比升高,说明化学配比对UV发光的影响要大于薄膜微结构的影响。改变氧气压强对薄膜的表面形貌也有较大的影响。; 关键词氧化锌脉冲激光沉积化学配比光致发光半峰全宽(fwhm); Keywords ZnO PLD stoichiometry photoluminescence fwhm; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量：3: 7; 作者杨丹丹王健孙科伟张胜男金雷程红娟郝建民; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所深圳大学; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期477-482,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(51702297) 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404103) +1 种基金 17ZXCLGX00020); 文摘介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区。结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征。二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致。对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面。; 关键词 4H-SiC单晶高分辨X射线衍射(HRXRD) 面扫描摇摆曲线半高宽(fwhm) 晶界; Keywords 4H-SiC single crystal high resolution X-ray diffraction ( HRXRD ) mapping full width at half maximum ( fwhm ) of rocking curve grain boundary; 分类号 TN304. [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名X射线光谱数据处理平台的优化设计被引量：3: 8; 作者唐琳赵卫东余松科刘泽余小东孟源黄兴禄; 机构成都大学电子信息与电气工程学院数学地质四川省重点实验室(成都理工大学) 成都大学科研处成都大学计算机学院; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期763-767,共5页; 基金国家自然科学基金项目(61601063) 数学地质四川省重点实验室开放基金项目(scsxdz2019zd04)资助。; 文摘在低计数率背景下X射线谱的高精度测量受X射线流的统计涨落影响,统计涨落决定了给定探测器能量分辨率的理论极限,而其他因素的影响则可以通过适当的噪声滤除和电子技术来降低。以往关于能量分辨率的研究大多利用谱反卷积对获取到的能谱进行后处理,从而降低特征峰的半高宽(FWHM)。这些后处理方法是基于将获取到的能谱建模为输入能谱和探测器响应函数这两个随机变量的函数,往往计算量极大,执行效率低。针对上述问题,提出一种多脉冲局部平均(MPLA)算法对X射线光谱数据处理平台进行优化,MPLA算法是一种在线实时处理的谱获取方法,该方法在动态窗口内对脉冲幅度值进行了平均。MPLA算法涉及两项可变参数,一是平均窗口的大小r,另一项参数则是每一次平均的脉冲幅度数量n。该算法的执行流程包含以下几个步骤,首先读取第一个脉冲幅度并定位一个平均窗口,读取成功后更新当前平均窗口的脉冲幅度和脉冲个数;第二步,读取下一个脉冲幅度,每次更新后即对平均窗口内的脉冲个数进行判断,当其小于预设的参数n时继续执行第三步,反之则执行第四步;第三步,继续读取下一个脉冲幅度;第四步,对相应平均窗口内的脉冲幅度进行平均,得出的平均数即为需要更新计数的道址,然后再对取平均值的窗口内脉冲幅度和脉冲个数进行清零。本文在理论推导部分研究了应用M PLA过程时原始概率密度函数(PDF)的转换,推导了应用MPLA后得到的概率密度函数的解析表达式,证明了MPLA概率密度转换后具有以下特征:(1)对称分布,MPLA保留了均值和对称性。(2)对于单峰对称分布,MPLA减少方差,锐化分布峰。在实验环节中,以铁矿样品为测量对象,将采用MPLA算法处理后的结果与传统的成谱方法得到的结果进行对比,结果表明在具有正态分布PDF的频谱峰值的典型情况下,即使仅对两个脉冲高度进行平均,变换后峰的FWHM也变窄。; 关键词多脉冲局部平均 X射线光谱半高宽高性能硅漂移探测器; Keywords Multi-pulse local average X-ray spectroscopy fwhm FAST-SDD; 分类号 TL816.1 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长	高楠房玉龙王波张志荣尹甲运韩颖刘超	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于速度调制的纳秒脉冲化系统数值模拟	宋逢泉李国祥刘成岳陈美霞祝庆军	《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	叠片法测量脉冲X射线源焦斑	高屹马继明张众张鹏飞孙江王志国尹佳辉梁天学杜泰斌	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高掺杂低位错p型GaN材料生长研究	高楠房玉龙王波韩颖张志荣尹甲运刘超	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于漠河与武汉站流星雷达的中间层顶大气温度反演	陈步鹏冯健尹文杰许娜魏博琦宿杰	《电波科学学报》 CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	氧分压对PLD制备ZnO薄膜结构和发光性质的影响	王璟璟李清山陈达孔祥贵张宁赵波郑学刚	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量	杨丹丹王健孙科伟张胜男金雷程红娟郝建民	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	X射线光谱数据处理平台的优化设计	唐琳赵卫东余松科刘泽余小东孟源黄兴禄	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料