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65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响
1
作者
李鹏
赵振宇
+1 位作者
郑超
张民选
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期33-38,共6页
利用电路级模拟方法,在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响.结果表明,当被动反相器的尺寸改变时,脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关.在双极放大效应较强时,脉冲削减效应随尺寸的增加而增...
利用电路级模拟方法,在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响.结果表明,当被动反相器的尺寸改变时,脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关.在双极放大效应较强时,脉冲削减效应随尺寸的增加而增强;反之,则其脉冲削减效应随尺寸的增加而减弱.
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关键词
电荷共享
脉冲削减
双极放大
电路级模拟
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职称材料
题名
65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响
1
作者
李鹏
赵振宇
郑超
张民选
机构
国防科学技术大学计算机学院
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期33-38,共6页
基金
国家自然科学基金项目(60906009
61076025
60970036)
文摘
利用电路级模拟方法,在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响.结果表明,当被动反相器的尺寸改变时,脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关.在双极放大效应较强时,脉冲削减效应随尺寸的增加而增强;反之,则其脉冲削减效应随尺寸的增加而减弱.
关键词
电荷共享
脉冲削减
双极放大
电路级模拟
Keywords
charge sharing
pulse quenching
bipolar amplification
circuit level simulation
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
65nm体硅CMOS工艺器件尺寸对其脉冲削减效应的影响
李鹏
赵振宇
郑超
张民选
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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