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InGaAs(S)/InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择
被引量：
3
1
作者
刘宝林
刘式墉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1993年第2期114-120,共7页
本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张...
本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。
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关键词
应变
能带结构算法
光纤通信
材料
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职称材料
半导体表面和界面电子态的研究进展
2
作者
谢希德
《物理学进展》
1981年第1期86-99,共14页
本文第一部份介绍了近年来有关半导体表面和界面电子态的一些实验与理论研究结果以及目前大家感兴趣的课题,第二部份则介绍理论研究方面主要使用的方法以及方法的特点和不足之处。
关键词
表面电子态
半导体表面
基矢
原胞
薄片
原子层
再构
界面电子态
赝势法
能带结构算法
自洽计算
原子轨道
能带
结构
电子能态
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职称材料
题名
InGaAs(S)/InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择
被引量：
3
1
作者
刘宝林
刘式墉
机构
国家集成光电子重点联合实验室吉林大学实验区
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1993年第2期114-120,共7页
文摘
本文利用K·P能带理论和形变势模型计算了应变对量子阱结构能带及能级的影响,提出了在压缩应变情况下,当固定发射波长时,利用InGaAsP做阱材料可对应变大小和阱宽进行独立控制,克服了应变较大时InGaAs阱材料阱宽较窄的困难。在伸张应变情况下,利用InGaAs做有源区较为合适。
关键词
应变
能带结构算法
光纤通信
材料
Keywords
Strain
Quantum well
Energy band calculation
Material in quantum well.
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半导体表面和界面电子态的研究进展
2
作者
谢希德
机构
复旦大学
出处
《物理学进展》
1981年第1期86-99,共14页
文摘
本文第一部份介绍了近年来有关半导体表面和界面电子态的一些实验与理论研究结果以及目前大家感兴趣的课题,第二部份则介绍理论研究方面主要使用的方法以及方法的特点和不足之处。
关键词
表面电子态
半导体表面
基矢
原胞
薄片
原子层
再构
界面电子态
赝势法
能带结构算法
自洽计算
原子轨道
能带
结构
电子能态
分类号
F4 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaAs(S)/InP应变量子阱能带计算和有源区材料的选择
刘宝林
刘式墉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1993
3
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职称材料
2
半导体表面和界面电子态的研究进展
谢希德
《物理学进展》
1981
0
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职称材料
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