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AlInN/AlGaN复合势垒增强模GaN HFET
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期1-8,共8页
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,...
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,引起能带畸变,降低电子的二维特性和输运性能。选用复合势垒并优化设计异质界面的能带带阶、极化电荷和AlN插入层,可以抬高界面阱的阱位,防止沟道电子波函数渗透到势垒层。AlInN/AlGaN复合势垒能显著提高挖槽中的能带剪裁力度,构筑出高导电的外沟道和在零栅压下夹断的内沟道,满足增强模工作要求。
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关键词
增强模
铝铟氮/铝镓氮复合势垒
界面阱
能带剪裁力度
能带
畸变
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职称材料
题名
AlInN/AlGaN复合势垒增强模GaN HFET
1
作者
薛舫时
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期1-8,共8页
基金
创新基金资助项目(JJ0901)
文摘
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,引起能带畸变,降低电子的二维特性和输运性能。选用复合势垒并优化设计异质界面的能带带阶、极化电荷和AlN插入层,可以抬高界面阱的阱位,防止沟道电子波函数渗透到势垒层。AlInN/AlGaN复合势垒能显著提高挖槽中的能带剪裁力度,构筑出高导电的外沟道和在零栅压下夹断的内沟道,满足增强模工作要求。
关键词
增强模
铝铟氮/铝镓氮复合势垒
界面阱
能带剪裁力度
能带
畸变
Keywords
enhanced mode
AlInN/AlGaN compound barrier
interface quantum well
band tailing capability
energy band distortion
分类号
O484 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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1
AlInN/AlGaN复合势垒增强模GaN HFET
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
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