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集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究
1
作者
王鹤林
张宇
+2 位作者
刘文闫
王国光
张铁强
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期1169-1172,共4页
制备了3.6,5.1和6.0nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移;大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温...
制备了3.6,5.1和6.0nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移;大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础,提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面,使用激光器发射出平行激光束,使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光,通过红外光谱仪接收光致发光光谱,实现温度的检测;利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像,实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明,测量精度为±3℃,其相对误差不大于5%。
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关键词
胶体pbse量子点
光致发光光谱
集成电路
温度检测
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职称材料
题名
集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究
1
作者
王鹤林
张宇
刘文闫
王国光
张铁强
机构
集成光电子国家重点实验室
吉林大学物理学院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期1169-1172,共4页
基金
国家(863计划)项目(2011A A050509)
国家自然科学基金项目(61106039)
博士后基金项目(20110409015)资助
文摘
制备了3.6,5.1和6.0nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移;大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础,提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面,使用激光器发射出平行激光束,使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光,通过红外光谱仪接收光致发光光谱,实现温度的检测;利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像,实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明,测量精度为±3℃,其相对误差不大于5%。
关键词
胶体pbse量子点
光致发光光谱
集成电路
温度检测
Keywords
Colloidal
pbse
quantum dots
Photoluminescence spectra
Integrated circuits
Temperature detection
分类号
O433.4 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究
王鹤林
张宇
刘文闫
王国光
张铁强
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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