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利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性
被引量：
1
1
作者
黄美浅
陈平
+1 位作者
李旭
李观启
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期65-69,共5页
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪...
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅
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关键词
背面
Ar^+
轰击
n沟MOSFET
线性区
MOS场效应晶体管
跨导
迁移率
噪声
直流特性
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职称材料
利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
2
作者
陈平
黄美浅
+1 位作者
李旭
李观启
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期70-74,共5页
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率...
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后 减小,阈值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化 是硅—二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果.
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关键词
背面
Ar^+
轰击
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
跨导
阈值电压
噪声
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职称材料
题名
利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性
被引量：
1
1
作者
黄美浅
陈平
李旭
李观启
机构
华南理工大学应用物理系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期65-69,共5页
文摘
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅
关键词
背面
Ar^+
轰击
n沟MOSFET
线性区
MOS场效应晶体管
跨导
迁移率
噪声
直流特性
Keywords
backsurface Ar + bombardment
MOSFET
transconductance
mobility
noise
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
2
作者
陈平
黄美浅
李旭
李观启
机构
华南理工大学物理科学与技术学院
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期70-74,共5页
文摘
用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后 减小,阈值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化 是硅—二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果.
关键词
背面
Ar^+
轰击
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
跨导
阈值电压
噪声
Keywords
backsurface Ar + bombardment
MOSFET
transconductance
threshold voltage
noise
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性
黄美浅
陈平
李旭
李观启
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
2
利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
陈平
黄美浅
李旭
李观启
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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