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背面夹缝曝光的光学模拟及其实验: 1; 作者朱军陈翔《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期367-371,共5页; 背面夹缝曝光是利用光学衍射效应来制备三维微结构的新方法.采用Matlab对曝光时间和夹缝对三维SU-8结构形貌的影响进行了模拟,并开展了相应的实验研究.结果表明:背面夹缝曝光是获得三维微结构的简便方法.模拟与实验揭示了相同的规律性,... 展开更多; 关键词背面夹缝曝光三维微结构 SU-8胶; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于UV-LIGA技术的双层微齿轮模具镶块工艺被引量：2: 2; 作者李燃灯秦宗慧周嘉《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期129-133,共5页; 以氧化铟锡(ITO)玻璃作为基底,采用UV-LIGA技术制作了双层微齿轮型腔模具的镶块。首先,采用正胶(RZJ-304)进行光刻,在ITO玻璃表面电镀镍掩模,通过镍掩模对第一层SU-8光刻胶进行背面曝光。再利用正面套刻的方法对第二层SU-8光刻胶进行曝... 展开更多; 关键词 UV-LIGA 氧化铟锡(ITO) 背面曝光正面套刻双层微齿轮模具镶块; 在线阅读下载PDF 职称材料

TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善被引量：1: 3; 作者张正林曹淑辉 +2 位作者王炎吕琛封振宇《光电子技术》 CAS 2022年第1期47-52,共6页; 针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接... 展开更多; 关键词条纹缺陷内切背面曝光静电积累 “之字式”排列; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究被引量：3: 4; 作者靳福江卢兵 +5 位作者朱凤稚罗峰柳星代伟男刘华范峻《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期521-526,共6页; 介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘... 展开更多; 关键词黑矩阵线宽相位移掩膜板背面曝光; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名背面夹缝曝光的光学模拟及其实验: 1; 作者朱军陈翔; 机构上海交通大学微纳科学技术研究院; 出处《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期367-371,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(50775149 60976081) +1 种基金国家质检总局公益性基金资助项目(201110051); 文摘背面夹缝曝光是利用光学衍射效应来制备三维微结构的新方法.采用Matlab对曝光时间和夹缝对三维SU-8结构形貌的影响进行了模拟,并开展了相应的实验研究.结果表明:背面夹缝曝光是获得三维微结构的简便方法.模拟与实验揭示了相同的规律性,即微结构的侧壁倾斜角度取决于夹缝大小;当夹缝不变时,微结构的侧壁倾斜度不变,但微结构的大小随曝光时间而变化.; 关键词背面夹缝曝光三维微结构 SU-8胶; Keywords backside gap exposure three-dimensional microstructure SU-8 photo resist; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于UV-LIGA技术的双层微齿轮模具镶块工艺被引量：2: 2; 作者李燃灯秦宗慧周嘉; 机构华东理工大学机械与动力工程学院复旦大学微电子系; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期129-133,共5页; 基金复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室资助项目(10KF006); 文摘以氧化铟锡(ITO)玻璃作为基底,采用UV-LIGA技术制作了双层微齿轮型腔模具的镶块。首先,采用正胶(RZJ-304)进行光刻,在ITO玻璃表面电镀镍掩模,通过镍掩模对第一层SU-8光刻胶进行背面曝光。再利用正面套刻的方法对第二层SU-8光刻胶进行曝光,显影得到双层微齿轮的胶模。最后,进行微电铸得到双层微齿轮型腔镶块。通过实验验证了双层微齿轮模具镶块制作的工艺流程,优化了其工艺参数,克服了底部曝光不足引起的问题,并对制作工艺过程中产生的涂胶不平整、前烘时胶层不稳定、热板加热不均以及接触式曝光破坏胶层表面等问题进行了研究。所制得的双层微齿轮胶模垂直度高,表面质量好,且套刻精度高。; 关键词 UV-LIGA 氧化铟锡(ITO) 背面曝光正面套刻双层微齿轮模具镶块; Keywords UV-LIGA indium tin oxidation（ITO） back exposure front alignment double-deck microgear mold insert; 分类号 TH703 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善被引量：1: 3; 作者张正林曹淑辉王炎吕琛封振宇; 机构南京京东方显示技术有限公司山东大学化学与化工学院; 出处《光电子技术》 CAS 2022年第1期47-52,共6页; 文摘针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接触角变小,造成显影后背面曝光工艺中BM未固化层发生热融溢流(Melt Flow)现象,固化工艺后形成BM边缘内切。研究发现,通过优化背面曝光工艺参数和关闭曝光上灯可以有效改善条纹Mura的程度;且将显影机导轮“平行式”排列改造成“之字式”排列,可以进一步改善条纹Mura现象。改善后条纹Mura的发生率由0.8%降至0,改善效果显著。; 关键词条纹缺陷内切背面曝光静电积累 “之字式”排列; Keywords stripe Mura undercut backside exposure electrostatic accumulation Zigzag arrangement; 分类号 TN383 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究被引量：3: 4; 作者靳福江卢兵朱凤稚罗峰柳星代伟男刘华范峻; 机构成都京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期521-526,共6页; 文摘介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI（单位面积像素个数）产品对透过率和对比度要求.; 关键词黑矩阵线宽相位移掩膜板背面曝光; Keywords black matrix critical dimension phase shift mask back exposure; 分类号 TK730.2 [交通运输工程—轮机工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	背面夹缝曝光的光学模拟及其实验	朱军陈翔	《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于UV-LIGA技术的双层微齿轮模具镶块工艺	李燃灯秦宗慧周嘉	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	TFT-LCD一种条纹Mura的研究与改善	张正林曹淑辉王炎吕琛封振宇	《光电子技术》 CAS	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究	靳福江卢兵朱凤稚罗峰柳星代伟男刘华范峻	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料