-
题名压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究
被引量：1
- 1
-
-
作者
李丹丹
梁庭
李赛男
姚宗
熊继军
-
机构
中北大学电子测试技术重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室
-
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2016年第5期9-11,共3页
-
文摘
在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较。测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99%,重复性高达0.35%,迟滞性为0.1%,有望用到实际工程应用中。
-
关键词
SOI(绝缘体上硅)
压力敏感芯片
关键工艺
kulite压力传感器
背靠背测量
-
Keywords
SOI（Silicon on Insulator）
pressure sensitive chip
key process
kulite pressure sensor
back-to-back measurement
-
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
-
