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肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟: 1; 作者宋瑞良毛陆虹 +2 位作者郭维廉梁惠来张世林《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期290-294,共5页; 使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在... 展开更多; 关键词肖特基栅共振隧穿三极管器件模拟单稳-双稳转换逻辑电路单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究: 2; 作者宋瑞良毛陆虹 +4 位作者郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期632-636,共5页; 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻... 展开更多; 关键词共振隧穿三极管(RTT) 器件模型肖特基接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

肖特基栅型共振隧穿晶体管的制作研究: 3; 作者胡留长郭维廉 +2 位作者张世林梁惠来宋瑞良《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期28-31,共4页; 已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。; 关键词共振隧穿晶体管肖特基栅负阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展被引量：3: 4; 作者郭维廉牛萍娟苗长云《微纳电子技术》 CAS 2005年第7期298-304,共7页; 介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。; 关键词共振隧穿二极管共振隧穿三极管集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟: 1; 作者宋瑞良毛陆虹郭维廉梁惠来张世林; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期290-294,共5页; 基金国家重点基础研究发展规划项目资助(2002CB311905) 专用集成电路国家级重点实验室资助(51432010204JW1401); 文摘使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。; 关键词肖特基栅共振隧穿三极管器件模拟单稳-双稳转换逻辑电路单元; Keywords Schottky gate resonant tunneling transistor device simulation monostablebistable transition logic elements; 分类号 TN313.2 [电子电信—物理电子学] TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究: 2; 作者宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来; 机构天津大学电信学院南开大学光电子所; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期632-636,共5页; 基金 973计划(2002CB311905)资助项目; 文摘基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。; 关键词共振隧穿三极管(RTT) 器件模型肖特基接触; Keywords resonant tunneling transistor（RTT）, device model, Schottky contact; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名肖特基栅型共振隧穿晶体管的制作研究: 3; 作者胡留长郭维廉张世林梁惠来宋瑞良; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期28-31,共4页; 基金专用集成电路国家重点实验室基金项目(No.51432010204JW1401)资助; 文摘已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。; 关键词共振隧穿晶体管肖特基栅负阻; Keywords resonant tunneling transistor schottky gate negative resistance; 分类号 TN312.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展被引量：3: 4; 作者郭维廉牛萍娟苗长云; 机构天津工业大学信息与通讯工程学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2005年第7期298-304,共7页; 基金天津市应用基础研究重点项目资助(043800811); 文摘介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。; 关键词共振隧穿二极管共振隧穿三极管集成电路; Keywords resonant tunneling diode(RTD) resonant tunneling transistor(RTT) IC; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料