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GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文) 被引量：1: 1; 作者储开慧张文静 +1 位作者许金通李向阳《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期161-166,共6页; 研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器... 展开更多; 关键词电容-电压特性肖特基器件 GAN基材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN肖特基器件电学性质的模拟研究: 2; 作者胡其欣许金通 +2 位作者储开慧李向阳刘骥《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期902-905,共4页; 基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究M IS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响。模拟结果显示M IS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流... 展开更多; 关键词肖特基器件界面层本征层隧穿效应暗电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺被引量：4: 3; 作者李明达李普生薛兵《科学技术与工程》北大核心 2018年第36期205-210,共6页; 200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好... 展开更多; 关键词硅外延层晶体缺陷均匀性肖特基器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

金刚石辐射伏特效应同位素电池器件研究进展被引量：3: 4; 作者刘本建张森 +9 位作者郝晓斌文东岳赵继文王伟华刘康曹文鑫代兵杨磊韩杰才朱嘉琦《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期801-813,共13页; 微机电系统、深空、深海探测任务等对于长效、便携电源提出了更高的要求。同位素电池由于其能量密度高、功率输出稳定,可以在高低温、无太阳光照等极端环境下持续不断地为月球车、海底探测器等提供能量。作为同位素电池中的主要类型,辐... 展开更多; 关键词同位素电池辐射伏特效应金刚石肖特基器件开路电压半导体换能结转换效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文) 被引量：1: 1; 作者储开慧张文静许金通李向阳; 机构中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期161-166,共6页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(60708027); 文摘研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用.; 关键词电容-电压特性肖特基器件 GAN基材料; Keywords capacitance-voltage characteristic Schottky diode GaN-based material; 分类号 TN311.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN肖特基器件电学性质的模拟研究: 2; 作者胡其欣许金通储开慧李向阳刘骥; 机构山东大学信息科学与工程学院中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期902-905,共4页; 文摘基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究M IS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响。模拟结果显示M IS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响。通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能。; 关键词肖特基器件界面层本征层隧穿效应暗电流; Keywords Schottky device interface layer bulk layer tunnelling effect dark current; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺被引量：4: 3; 作者李明达李普生薛兵; 机构中国电子科技集团公司第四十六研究所; 出处《科学技术与工程》北大核心 2018年第36期205-210,共6页; 文摘 200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1. 0%,电阻率不均匀性<1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。; 关键词硅外延层晶体缺陷均匀性肖特基器件; Keywords silicon epitaxial layer crystal defect uniformity Schottky rectifier; 分类号 TN304.0 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金刚石辐射伏特效应同位素电池器件研究进展被引量：3: 4; 作者刘本建张森郝晓斌文东岳赵继文王伟华刘康曹文鑫代兵杨磊韩杰才朱嘉琦; 机构特种环境复合材料技术国家级重点实验室(哈尔滨工业大学) 哈尔滨工业大学分析测试中心微系统与微结构制造教育部重点实验室(哈尔滨工业大学); 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期801-813,共13页; 基金国家杰出青年科学基金(51625201)。; 文摘微机电系统、深空、深海探测任务等对于长效、便携电源提出了更高的要求。同位素电池由于其能量密度高、功率输出稳定,可以在高低温、无太阳光照等极端环境下持续不断地为月球车、海底探测器等提供能量。作为同位素电池中的主要类型,辐射伏特效应同位素电池由于其理论能量转换效率高、易于微型化被广泛研究,并已经成功应用于心脏起搏器。宽禁带的半导体换能结器件制作的同位素电池能够获得更高的能量转换效率。宽禁带半导体中的代表金刚石具有5.5 eV的禁带宽度与耐辐射的特性,使其成为制作辐射伏特效应同位素电池换能结器件的最佳选择。随着化学气相沉积技术的发展,金刚石晶体的外延技术突飞猛进,为金刚石半导体器件的发展打下了材料基础。本文对比了常见的同位素电池换能结用半导体材料和辐射源材料的特性,介绍了辐射伏特效应的基本原理,接着对辐射伏特效应同位素电池的关键参数进行了分析,并汇总了有关金刚石辐射伏特效应同位素电池研究的文献,通过各个参数,如开路电压、转换效率等的对比,指出了目前金刚石同位素电池发展的状态与存在的问题。通过分析金刚石与其他n型半导体材料组成的异质pn结目前的性能与应用情况,给出了基于金刚石异质pn结的高性能同位素电池的结构设计,并进行了总结与展望。; 关键词同位素电池辐射伏特效应金刚石肖特基器件开路电压半导体换能结转换效率; Keywords isotope battery radio-voltaic effect diamond Schottky diode open circuit voltage semiconductor material for energy converter conversion efficiency; 分类号 TM918 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN基肖特基器件中的反常电容特性(英文)	储开慧张文静许金通李向阳	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN肖特基器件电学性质的模拟研究	胡其欣许金通储开慧李向阳刘骥	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺	李明达李普生薛兵	《科学技术与工程》北大核心	2018	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	金刚石辐射伏特效应同位素电池器件研究进展	刘本建张森郝晓斌文东岳赵继文王伟华刘康曹文鑫代兵杨磊韩杰才朱嘉琦	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料