采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-Si...采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-SiC肖特基势垒高度最大,在J-V测试和C-V测试中分别达到0.933 e V和1.447 e V,且获得理想因子最小值为1.053,反向泄漏电流密度也实现了最小值1.97×10^(-8)A/cm^2,击穿电压达到最大值660 V。对退火温度为500℃的Au/Ti/4H-SiC样品进行J-V变温测试。测试结果表明,随着测试温度的升高,肖特基势垒高度不断升高而理想因子不断减小,说明肖特基接触界面仍然存在缺陷或者横向不均匀性,高温下的测试进一步证明肖特基接触界面还有很大的改善空间。展开更多
通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化...通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。展开更多
文摘采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退火温度下样品的电流密度-电压(J-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,实验结果表明退火温度为500℃时Au/Ti/4H-SiC肖特基势垒高度最大,在J-V测试和C-V测试中分别达到0.933 e V和1.447 e V,且获得理想因子最小值为1.053,反向泄漏电流密度也实现了最小值1.97×10^(-8)A/cm^2,击穿电压达到最大值660 V。对退火温度为500℃的Au/Ti/4H-SiC样品进行J-V变温测试。测试结果表明,随着测试温度的升高,肖特基势垒高度不断升高而理想因子不断减小,说明肖特基接触界面仍然存在缺陷或者横向不均匀性,高温下的测试进一步证明肖特基接触界面还有很大的改善空间。
文摘通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。
