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基于InP/InGaAs肖特基二极管的高灵敏太赫兹探测器
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作者 周静涛 金智 +5 位作者 苏永波 史敬元 丁武昌 张大勇 杨枫 刘桐 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期40-43,共4页
InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件... InP/InGaAs肖特基二极管(SBDs)探测器因其高电子迁移率和低势垒材料特性,具有非常高的电压响应灵敏度,广泛用于高灵敏太赫兹波探测技术中。为进一步降低器件寄生效应,提升其高频性能,本文提出一种无衬底单台面T型结新型结构的肖特基器件,器件的截止频率为9.5THz。基于新型结构的InP/InGaAs肖特基器件技术,研制了220~330GHz、30~500GHz、400~600 GHz和500~750 GHz等多频段的太赫兹探测器模块。其中220~330 GHz频段太赫兹检测器模块与美国VDI公司的同频段检测器模块相比,检测灵敏度等指标相近。该器件在太赫兹安检成像应用中具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 太赫兹检测器 肖特基二极管(sbds) T型结 无衬底单台面
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阳极退火对Co阳极准垂直结构GaN基肖特基二极管性能影响
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作者 吴志勇 马群 +4 位作者 王良臣 李晋闽 王军喜 刘志强 伊晓燕 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期86-91,共6页
在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻... 在蓝宝石衬底上制备了不同阳极叉指宽度的钴(Co)阳极准垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管(GaN Schottky barrier diode, GaN SBD),在此基础上分别进行300、350、400℃阳极退火。实验结果显示较小的阳极叉指宽度有利于实现较低的比导通电阻,在300℃退火后,阳极界面态密度降低,金属半接触均匀性增加,器件的开启电压和比导通电阻分别降低12.1%和13.2%,阳极界面态密度降低,反向3 V下的漏电流密度降低近一个数量级,击穿电压从89 V提高到97 V;随着退火温度的上升,器件肖特基特性逐渐减弱。综合结果表明300℃阳极退火能够有效改善Co阳极GaN SBD的性能。 展开更多
关键词 肖特基二极管 阳极退火 氮化镓 准垂直
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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
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作者 胡宪富 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期141-146,共6页
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO... 随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO)作为场板的准垂直结构GaN SBD。通过击穿电压实验和器件电场仿真分析,结果表明BTO高k场板能够有效抑制边缘峰值电场集聚,显著提升SBD击穿电压并降低漏电流。使用BTO场板的GaN SBD实现了0.75 V的开启电压、2.45 mΩ·cm^(2)的比导通电阻以及1.49 kV的高击穿电压。研究表明,BTO高k场板在高功率GaN电子器件的发展中具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 GAN 肖特基势垒二极管(sbd) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真
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SiC结势垒肖特基二极管正面工艺要点
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作者 魏宇祥 常志 《电子工艺技术》 2025年第3期48-50,59,共4页
随着SiC器件的发展,提升芯片良率、降低生产成本已成为发展SiC功率芯片的必然趋势。根据当前SiC结势垒肖特基二极管生产工艺现状,从批量生产的角度,阐述了其正面关键工艺过程中的要点,解决了实际工艺问题,并进行规模化量产。结果表明,... 随着SiC器件的发展,提升芯片良率、降低生产成本已成为发展SiC功率芯片的必然趋势。根据当前SiC结势垒肖特基二极管生产工艺现状,从批量生产的角度,阐述了其正面关键工艺过程中的要点,解决了实际工艺问题,并进行规模化量产。结果表明,产品良率提升且质量稳定。 展开更多
关键词 碳化硅 结势垒肖特基二极管 JBS 肖特基接触
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基于肖特基二极管的310 GHz紧凑型接收机前端
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作者 丁江乔 梁启尧 +2 位作者 蒋均 刘戈 何月 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期44-50,共7页
肖特基混频器是固态太赫兹接收系统的关键部件,与基于超导体-绝缘体-超导体混频器、热电子辐射热计混频器的接收机相比,基于肖特基二极管混频器构建的太赫兹接收机系统不依赖低温附属设备,具有成本低、重量轻、体积小、功耗低等优点。... 肖特基混频器是固态太赫兹接收系统的关键部件,与基于超导体-绝缘体-超导体混频器、热电子辐射热计混频器的接收机相比,基于肖特基二极管混频器构建的太赫兹接收机系统不依赖低温附属设备,具有成本低、重量轻、体积小、功耗低等优点。目前基于肖特基二极管混频器构建的太赫兹接收前端结构相对复杂,集成度普遍不高且损耗较大。针对太赫兹接收前端结构复杂、集成度低、损耗大等问题,基于太赫兹肖特基二极管设计了288~318 GHz二次谐波混频器及其本振驱动链路,并基于此混频器构建了太赫兹接收机系统。太赫兹接收机本振驱动链路由一个75 GHz的六倍频功放集成模块与一个150 GHz二倍频模块组成。本振链路的集成化设计使得该接收机集成度大大提高,集成模块尺寸为20 mm×20 mm×43 mm,测试结果表明:在288~318 GHz带宽内,实测的双边带变频损耗为5.8~9.4 dB,噪声温度为1055~1722 K,具有良好的射频性能。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 集成化 混频器 接收机
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基于肖特基二极管的太赫兹固态接收技术进展
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作者 梁启尧 丁江乔 +1 位作者 蒋均 何月 《空间电子技术》 2024年第4期15-21,共7页
随着半导体技术的发展,基于肖特基二极管的太赫兹接收机工作频率已实现1THz以上提升,并在太赫兹雷达、通信和探测领域得到了实际应用。文章首先对肖特基二极管器件的发展进行了梳理;其次介绍了利用肖特基二极管进行太赫兹接收机设计的... 随着半导体技术的发展,基于肖特基二极管的太赫兹接收机工作频率已实现1THz以上提升,并在太赫兹雷达、通信和探测领域得到了实际应用。文章首先对肖特基二极管器件的发展进行了梳理;其次介绍了利用肖特基二极管进行太赫兹接收机设计的技术路线,并对不同技术路线的优缺点进行了对比分析,得出适应不同场景和频率的太赫兹探测器设计方法。最后,总结目前基于太赫兹接收技术实现的高性能太赫兹应用系统,并在此基础上对太赫兹固态接收机技术的发展进行了展望。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 混频器 接收机
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基于平面肖特基二极管的220GHz~330GHz分谐波混频器
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作者 纪东峰 代鲲鹏 +2 位作者 王维波 李俊锋 余旭明 《空间电子技术》 2024年第4期71-76,共6页
为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结... 为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结构进行了改进,采用“T栅”结构实现了低寄生阳极结,改善了肖特基二极管寄生特性,提升了二极管性能。利用单片集成技术实现了二极管与无源电路的微米级对准,保证了宽带分谐波混频器的实现精度。实测结果显示,分谐波混频器在220GHz~330GHz范围内单边带变频损耗小于12dB,中频工作带宽可达35GHz(变频损耗小于12dB),1dB压缩点在-4dBm附近。文章同时进行了多个分谐波混频器样品测试,测试结果的一致性验证了该技术方案工程化应用的潜力。 展开更多
关键词 太赫兹 分谐波混频器 宽带 单片集成技术 肖特基二极管
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沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
8
作者 杨震 吴春艳 +3 位作者 吴霞 高金绪龙 陈强 解光军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期196-202,231,共8页
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_... 在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的结构参数,文章利用Silvaco Atlas软件仿真不同台面宽度和沟槽深度对器件性能的影响。结果表明,参数优化后(台面宽度1.0μm,沟槽深度0.5μm)的沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD开启电压为0.6 V、比导通电阻为1.69 mΩ·cm^(2)、击穿电压为1416 V、功率品质因数为1.19 GW/cm^(2),实现了兼具低开启电压和高击穿电压的良好器件性能。与基础结构SBD和场板结构SBD相比,优化后的器件性能得到显著提升。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管(sbd) 沟槽结构 功率器件仿真
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高效170GHz平衡式肖特基二极管倍频器 被引量:13
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作者 何月 蒋均 +3 位作者 陆彬 陈鹏 黄昆 黄维 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期210-217,共8页
太赫兹源的输出功率是限制太赫兹技术远距离应用的重要参数。为了实现高效的太赫兹倍频器,基于高频特性下肖特基二极管的有源区电气模型建模方法,利用指标参数不同的两种肖特基二极管,研制出了两种170 GHz平衡式倍频器。所采用的肖特基... 太赫兹源的输出功率是限制太赫兹技术远距离应用的重要参数。为了实现高效的太赫兹倍频器,基于高频特性下肖特基二极管的有源区电气模型建模方法,利用指标参数不同的两种肖特基二极管,研制出了两种170 GHz平衡式倍频器。所采用的肖特基二极管有源结区模型完善地考虑了二极管IV特性,载流子饱和速率限制,直流串联电阻以及趋肤效应等特性。通过对两种倍频器仿真结果进行对比,完备地分析了二极管主要指标参数对倍频器性能的影响。最后测试结果显示两种平衡式170 GHz倍频器在155~178 GHz工作带宽内的最高倍频效率分别大于11%和24%,最高输出功率分别大于15 m W和25 m W。从仿真和测试结果表示,采用的肖特基二极管建模方法和平衡式倍频器结构适用于研制高效的太赫兹倍频器。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管模型 倍频器 平衡结构
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基于肖特基二极管的450 GHz二次谐波混频器 被引量:8
10
作者 赵鑫 蒋长宏 +2 位作者 张德海 孟进 姚常飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期301-306,共6页
为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二... 为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二极管管芯的输入阻抗,然后考虑二极管的封装、匹配电路,仿真得到混频器的单边带变频损耗为8.0dB,所需本振功率为4mW.测试表明,本混频器的单边带变频损耗的最佳值为14.0dB,433~451GHz之间的损耗小于17.0dB,3dB带宽为18GHz,所需的本振功率为5mW. 展开更多
关键词 谐波混频器 变频损耗 肖特基二极管 石英基片 亚毫米波
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340 GHz基于肖特基二极管未匹配电路倍频源(英文) 被引量:8
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作者 蒋均 张健 +4 位作者 邓贤进 缪丽 康小克 张香波 黄维 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第12期4028-4034,共7页
太赫兹技术是一个新兴的交叉研究领域。在过去20年,太赫兹技术有了巨大的发展。倍频器是太赫兹差分接收机重要技术,主要运用在天文、大气和行星科学射频前端。太赫兹空白的存在主要因素是缺少高效太赫兹源和探测器。通过倍频器技术和放... 太赫兹技术是一个新兴的交叉研究领域。在过去20年,太赫兹技术有了巨大的发展。倍频器是太赫兹差分接收机重要技术,主要运用在天文、大气和行星科学射频前端。太赫兹空白的存在主要因素是缺少高效太赫兹源和探测器。通过倍频器技术和放大技术,可以得到高稳定低相噪的倍频源。340 GHz是太赫兹大气传输窗口之一,所以340 GHz倍频源能够运用在各种通信成像系统中。肖特基二极管倍频源可以工作在常温和低温下。倍频器是倍频链路最关键的部分。通过理论分析和3D电磁仿真设计了一个340 GHz倍频器。实验得到最大输出功率为4.8dBm,最大效率为3%,在331-354.5GHz输出功率大于0dBm。实验结果证明电路仿真和建模的可行性。 展开更多
关键词 太赫兹技术 倍频 仿真模型 倍频效率 倍频源 肖特基二极管 平衡倍频器
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4500V碳化硅肖特基二极管研究 被引量:9
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作者 黄润华 李理 +7 位作者 陶永洪 刘奥 陈刚 李赟 柏松 栗锐 杨立杰 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期220-223,共4页
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护... 设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。 展开更多
关键词 4H型碳化硅 结势垒肖特基二极管 终端保护 保护环
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基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真(英文) 被引量:7
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作者 陈宇晓 尹显东 +1 位作者 唐丹 杨谟华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期45-50,共6页
皮秒级瞬态取样门主要应用于激光聚变实验和高能物理实验中,对单次高速脉冲进行实时取样。提出了一种新颖的基于肖特基二极管桥的平衡取样门,给出其模型和具体电路设计。电路仿真结果表明,对称的选通设计保证了选通脉宽为100 ps时,取样... 皮秒级瞬态取样门主要应用于激光聚变实验和高能物理实验中,对单次高速脉冲进行实时取样。提出了一种新颖的基于肖特基二极管桥的平衡取样门,给出其模型和具体电路设计。电路仿真结果表明,对称的选通设计保证了选通脉宽为100 ps时,取样间隔也为100 ps,取样门带宽为4.4 GHz,可应用于多路超短激光脉冲取样。 展开更多
关键词 激光脉冲取样 肖特基二极管 平衡取样门 脉冲宽度 设计与仿真
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4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析 被引量:6
14
作者 张林 张义门 +3 位作者 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期854-858,共5页
在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源... 在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。 展开更多
关键词 4H—SiC 肖特基二极管 Γ射线 探测器 数值模拟 灵敏度
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600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究 被引量:4
15
作者 李宇柱 倪炜江 +3 位作者 李哲洋 李赟 陈辰 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期292-296,共5页
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃... 采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。 展开更多
关键词 4H碳化硅 肖特基二极管 快恢复二极管 软度
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肖特基二极管整流的计算与测量 被引量:5
16
作者 黄建仁 王秩雄 +1 位作者 陈绳乾 王挺 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1887-1890,共4页
提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格-库塔法编制了计算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,输入功率从零开始增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;... 提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格-库塔法编制了计算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,输入功率从零开始增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;输入功率一定时,负载从零开始增大,整流效率先增大后减小,对于某一固定的输入功率,存在着一个最佳负载值;当输入功率和负载都相同时,降低工作频率,整流效率上升。型号为2DV10B的X波段管子在负载为525Ω、输入功率为10 mW、频率为3.2 GHz时获得的整流效率为75.2%;频率为10 GHz时获得50.2%的效率,实验测量结果与理论分析一致。 展开更多
关键词 肖特基二极管 接收整流天线 微波输电 无线输电 太阳能电站
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基于肖特基二极管改进模型的W波段宽带八次谐波混频器 被引量:4
17
作者 丁德志 徐金平 陈振华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期314-320,共7页
在对肖特基二极管电磁模型和电路模型精确建模的基础上,设计并制作了W波段宽带八次谐波混频器.通过对肖特基二极管物理结构的分析,建立了其精确的三维电磁仿真模型和直到180 GHz的改进的宽带等效电路模型.针对W波段八次谐波混频器混频... 在对肖特基二极管电磁模型和电路模型精确建模的基础上,设计并制作了W波段宽带八次谐波混频器.通过对肖特基二极管物理结构的分析,建立了其精确的三维电磁仿真模型和直到180 GHz的改进的宽带等效电路模型.针对W波段八次谐波混频器混频产物能量分布特点和工作带宽要求,设计了宽带射频和本振匹配网络,使混频器的工作带宽能覆盖整个W波段.测试结果显示,射频信号在75~110 GHz频率范围内,W波段八次谐波混频器最大变频损耗28 d B,最小变频损耗18 d B. 展开更多
关键词 W波段 宽带 八次谐波 肖特基二极管
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4H-SiC肖特基二极管α探测器研究 被引量:4
18
作者 陈雨 范晓强 +5 位作者 蒋勇 吴健 白立新 柏松 陈刚 李理 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期57-61,共5页
碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探... 碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。 展开更多
关键词 α探测器 肖特基二极管 4H—SiC
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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响 被引量:2
19
作者 陈刚 陈雪兰 +2 位作者 柏松 李哲洋 韩平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期247-249,共3页
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1... 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。 展开更多
关键词 4H-SIC 缺陷 肖特基二极管 理想因子 势垒高度 测试
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基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命 被引量:4
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作者 段毅 马卫东 +1 位作者 吕长志 李志国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期92-95,共4页
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。... 对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的IR作为失效判据。基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107h,测试结果与实际预测相符。 展开更多
关键词 退化试验 理想因子 势垒高度 肖特基二极管 恒定电应力温度斜坡法
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