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电沉积聚8-羟基喹啉膜及其耐蚀性的研究
被引量：
3
1
作者
刘小勤
曾冬铭
+2 位作者
徐钦建
黄凤祥
刘中兴
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期84-88,共5页
采用循环伏安法合成了一种新的聚合物膜——聚8-羟基喹啉膜,推测了聚合的机理,通过红外光谱分析了聚合膜的组成。采用单因素实验优化了成膜条件,结果表明,循环伏安法形成聚8-羟基喹啉膜的最佳条件是:8-羟基喹啉浓度为0.002 mol/L,氢氧...
采用循环伏安法合成了一种新的聚合物膜——聚8-羟基喹啉膜,推测了聚合的机理,通过红外光谱分析了聚合膜的组成。采用单因素实验优化了成膜条件,结果表明,循环伏安法形成聚8-羟基喹啉膜的最佳条件是:8-羟基喹啉浓度为0.002 mol/L,氢氧化钠浓度为0.4 mol/L,扫描速度30 mV/s,扫描8圈。采用该成膜条件在镀镍工件上电沉积聚8-羟基喹啉,其表面形成了一层浅黄色明亮光滑的致密薄膜,达到封孔目的,使得工件的耐蚀性显著提高。
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关键词
电沉积
聚8-羟基喹啉
防腐蚀
循环伏安法
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职称材料
一种新型的橙红光发射材料聚8-羟基喹啉镓的合成与光谱特性
2
作者
郭海波
郝玉英
+3 位作者
樊文浩
张志强
郭晓霞
许并社
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1358-1361,共4页
合成了高分子金属配合物聚8-羟基喹啉镓(Gaqq3)n。利用红外吸收光谱、X射线衍射谱(XRD)研究了配合物的分子结构、物相结构;利用热重(TG)分析研究了配合物的热稳定性;利用紫外吸收光谱、荧光激发和发射光谱研究了该配合物的光物理性能。...
合成了高分子金属配合物聚8-羟基喹啉镓(Gaqq3)n。利用红外吸收光谱、X射线衍射谱(XRD)研究了配合物的分子结构、物相结构;利用热重(TG)分析研究了配合物的热稳定性;利用紫外吸收光谱、荧光激发和发射光谱研究了该配合物的光物理性能。结果表明:(Gaqq3)n的热分解温度为443.6℃,具有较高的热稳定性。(Gaqq3)n的紫外吸收带位于250～500nm,存在较强的带尾吸收,表明禁带中存在带隙缺陷态。(Gaqq3)n的荧光激发带位于380～456nm,荧光发射峰位于568nm,为橙红光发射。光学带隙2.49eV。与Gaq3相比,荧光强度有所减弱,这是由于次甲基相连的两个喹啉环的扭曲导致了(Gaqq3)n的刚性和共平面性不好;由于分子共轭体系的增大,使(Gaqq3)n分子的π电子更加离域化,导致了荧光发射峰发生了红移。(Gaqq3)n有望在有机电致发光器件和有机光伏器件中得到应用。
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关键词
聚8-羟基喹啉
镓
合成
光谱特性
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职称材料
题名
电沉积聚8-羟基喹啉膜及其耐蚀性的研究
被引量：
3
1
作者
刘小勤
曾冬铭
徐钦建
黄凤祥
刘中兴
机构
中南大学化学化工学院
中南大学有色金属资源化学教育部重点实验室
特能宝化学原料有限公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期84-88,共5页
基金
中南大学中央高校基本科研业务费专项资金资助(2012zzts054)
文摘
采用循环伏安法合成了一种新的聚合物膜——聚8-羟基喹啉膜,推测了聚合的机理,通过红外光谱分析了聚合膜的组成。采用单因素实验优化了成膜条件,结果表明,循环伏安法形成聚8-羟基喹啉膜的最佳条件是:8-羟基喹啉浓度为0.002 mol/L,氢氧化钠浓度为0.4 mol/L,扫描速度30 mV/s,扫描8圈。采用该成膜条件在镀镍工件上电沉积聚8-羟基喹啉,其表面形成了一层浅黄色明亮光滑的致密薄膜,达到封孔目的,使得工件的耐蚀性显著提高。
关键词
电沉积
聚8-羟基喹啉
防腐蚀
循环伏安法
Keywords
electrodeposition
poly
-
8
-
hydroxyquinoline
corrosion
-
resistance
cyclic vohammetry
分类号
TQ153.3 [化学工程—电化学工业]
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职称材料
题名
一种新型的橙红光发射材料聚8-羟基喹啉镓的合成与光谱特性
2
作者
郭海波
郝玉英
樊文浩
张志强
郭晓霞
许并社
机构
太原理工大学理学院物理系
太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期1358-1361,共4页
基金
国家自然科学基金项目(20671068)
教育部科学技术重点项目(207015)
山西省科技攻关项目(2006031121)资助
文摘
合成了高分子金属配合物聚8-羟基喹啉镓(Gaqq3)n。利用红外吸收光谱、X射线衍射谱(XRD)研究了配合物的分子结构、物相结构;利用热重(TG)分析研究了配合物的热稳定性;利用紫外吸收光谱、荧光激发和发射光谱研究了该配合物的光物理性能。结果表明:(Gaqq3)n的热分解温度为443.6℃,具有较高的热稳定性。(Gaqq3)n的紫外吸收带位于250～500nm,存在较强的带尾吸收,表明禁带中存在带隙缺陷态。(Gaqq3)n的荧光激发带位于380～456nm,荧光发射峰位于568nm,为橙红光发射。光学带隙2.49eV。与Gaq3相比,荧光强度有所减弱,这是由于次甲基相连的两个喹啉环的扭曲导致了(Gaqq3)n的刚性和共平面性不好;由于分子共轭体系的增大,使(Gaqq3)n分子的π电子更加离域化,导致了荧光发射峰发生了红移。(Gaqq3)n有望在有机电致发光器件和有机光伏器件中得到应用。
关键词
聚8-羟基喹啉
镓
合成
光谱特性
Keywords
Polymer of tis（5,5＇
-
methylene
-
bis（
8
-
hydroxyquinoline）gallium （Gaqq3）n
Synthesis
Spectral properties
分类号
O428.3 [理学—声学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电沉积聚8-羟基喹啉膜及其耐蚀性的研究
刘小勤
曾冬铭
徐钦建
黄凤祥
刘中兴
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
在线阅读
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职称材料
2
一种新型的橙红光发射材料聚8-羟基喹啉镓的合成与光谱特性
郭海波
郝玉英
樊文浩
张志强
郭晓霞
许并社
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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