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4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在TiO_2(100)表面吸附的密度泛函理论研究被引量：6: 1; 作者张福兰吴兴发《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期927-932,共6页; 采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,在PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔(简称P)的低聚合物P_n(n=1～5)的稳定性和化学活性.结果表明:随着聚合度增加,P_n的稳定性降低,化学活性增强.采用密... 展开更多; 关键词 4 7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔 TiO2(100)表面密度泛函理论化学活性电子结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在SnO2(100)表面吸附的理论研究被引量：1: 2; 作者张福兰《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2017年第1期29-36,共8页; 采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,在GGA/PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔(简称PTE-DTBT)和Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔(简称PTE-DTBT-Si)在SnO_2(100)表面的吸附.... 展开更多; 关键词 4 7-二（2-噻吩基）苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔掺杂 SnO2（100）表面密度泛函理论; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚3-甲氧基噻吩对二巯基噻二唑的电化学改性的研究被引量：2: 3; 作者张敬华其鲁 +2 位作者舒东杨立红张晓雨《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第S1期18-21,共4页; 研究了聚3-甲氧基噻吩(PMOT)膜电极在2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)溶液中电化学处理或浸泡后的循环伏安(CV)曲线的变化规律,并研究了一定量的PMOT对DMcT充放电性能的影响。实验结果表明,PMOT膜电极在DMcT溶液中进行电化学处理或浸泡... 展开更多; 关键词聚3-甲氧基噻吩膜电极 2 5-二巯基-1 3 4-噻二唑电化学催化作用; 在线阅读下载PDF 职称材料

低带隙共轭聚合物的合成及光学性质被引量：1: 4; 作者李彦军黄鹏程《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期44-47,共4页; 在钯催化剂的作用下,通过4,7-二溴[2,1,3]苯并噻二唑与2,5-二乙炔基-3-辛基噻吩的偶联反应,合成了一种新的共轭高分子PTE-BT。采用紫外可见吸收光谱及荧光光谱对其光学性质进行了研究。紫外可见吸收谱结果表明,PTE-BT的固体膜光学带隙为... 展开更多; 关键词聚苯并噻二唑3-基噻吩二炔低带隙共轭聚合物光学性质合成; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型含硒杂环红光聚芴电解质的电致发光器件制备和研究被引量：8: 5; 作者罗潺黄飞 +2 位作者杨伟彭俊彪曹镛《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期134-138,共5页; 利用新型的聚[9，9-二辛基芴-9，9-（双（3′-（N，N-二甲基）-N-乙基铵^＋溴^-）丙基）芴-4，7-二噻吩-2-基-2，1，3-苯并硒二唑]（PFNBr—DBse）共扼聚电解质制备了聚合物发光二极管。这类共扼聚电解质可用乙醇等溶剂成膜，不仅可代... 展开更多; 关键词聚合物发光二极管聚[9 9-二辛基芴-9 9-(双(3′-(N N-二甲基)-N-乙基铵^+溴-)丙基)芴-4 7-二噻吩-2-基-2 1 3-苯并硒二唑] 共扼聚电解质; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在TiO_2(100)表面吸附的密度泛函理论研究被引量：6: 1; 作者张福兰吴兴发; 机构长江师范学院化学化工学院; 出处《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期927-932,共6页; 基金重庆市自然科学基金(cstc2011jjA50013); 文摘采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法,在PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔(简称P)的低聚合物P_n(n=1～5)的稳定性和化学活性.结果表明:随着聚合度增加,P_n的稳定性降低,化学活性增强.采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,研究了化合物P在TiO_2(100)表面的吸附,通过吸附前后化合物P的Mulliken charge和前线轨道分析表明:当P吸附在TiO_2(100)表面时,P向TiO_2(100)表面转移0.692 e电荷,前线轨道能隙变窄.通过吸附前后TiO_2(100)表面的能带和态密度分析表明:在TiO_2(100)表面吸附了化合物P后,能带向低能区移动,且TiO_2中价带和导带间的禁带消失.理论预测的结果与实验值吻合.; 关键词 4 7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔 TiO2(100)表面密度泛函理论化学活性电子结构; Keywords 3-octylthien-2 5-ylenediethynylene-co-benzo[c]-1’ 2’ 5’-thiadiazo-3 6-ylenedi（2 5-thienylene） TiO2（100） surface density functional theory chemical activity electronic structure; 分类号 O641 [理学—物理化学] O647 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在SnO2(100)表面吸附的理论研究被引量：1: 2; 作者张福兰; 机构长江师范学院化学化工学院; 出处《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2017年第1期29-36,共8页; 基金重庆市教委科学技术项目(KJ1601215); 文摘采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,在GGA/PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔(简称PTE-DTBT)和Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔(简称PTE-DTBT-Si)在SnO_2(100)表面的吸附.通过吸附前后化合物PTE-DTBT和PTE-DTBT-Si的Mulliken charge和前线轨道分析表明:当PTE-DTBT和PTE-DTBT-Si吸附在SnO_2(100)表面时,PTE-DTBT向SnO_2(100)表面转移了0.059 e电荷,SnO_2(100)表面向PTE-DTBTSi转移0.042 e电荷;同时前线轨道能隙变窄.通过吸附前后SnO_2(100)表面的能带和态密度分析表明:在SnO_2(100)表面吸附了化合物PTE-DTBT和PTE-DTBT-Si后,SnO_2中价带和导带间的禁带变窄或消失.且研究表明,PTE-DTBT掺杂一个Si原子后,电池材料光伏性更好.; 关键词 4 7-二（2-噻吩基）苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔掺杂 SnO2（100）表面密度泛函理论; Keywords 3 - octyhhien - 2,5 - ylenediethynylene - co - benzo [ c ] - 1 ＇ 2＇ , 5＇ - thiadiazo - 3,6 - ylenedi （2,5 - thienylene） Doping SnO2 （100） surface Density functional theory; 分类号 O641 [理学—物理化学] O647 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚3-甲氧基噻吩对二巯基噻二唑的电化学改性的研究被引量：2: 3; 作者张敬华其鲁舒东杨立红张晓雨; 机构中信国安盟固利新能源科技有限公司北京大学化学与分子工程学院华南师范大学化学与环境学院; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第S1期18-21,共4页; 文摘研究了聚3-甲氧基噻吩(PMOT)膜电极在2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)溶液中电化学处理或浸泡后的循环伏安(CV)曲线的变化规律,并研究了一定量的PMOT对DMcT充放电性能的影响。实验结果表明,PMOT膜电极在DMcT溶液中进行电化学处理或浸泡过程可使DMcT进入PMOT膜内部与PMOT形成复合物。PMOT对DMcT的电化学催化作用可能和二者之间形成的电子给体-受体复合物有关.该复合物的电化学氧化还原特性不同于PMOT和DMcT,其氧化还原反应速率和可逆性均优于DMcT,且经过PMOT催化改性后,DMcT的放电容量得到了增加,循环性能有了很大改善。; 关键词聚3-甲氧基噻吩膜电极 2 5-二巯基-1 3 4-噻二唑电化学催化作用; Keywords Poly（3-Methoxythiophene） film electrode 2 5-dimercapto-1 3 4-thiadiazole electrocatalytic effect; 分类号 O633.5 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低带隙共轭聚合物的合成及光学性质被引量：1: 4; 作者李彦军黄鹏程; 机构北京航空航天大学材料科学与工程学院高分子及复合材料系; 出处《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期44-47,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(29974002); 文摘在钯催化剂的作用下,通过4,7-二溴[2,1,3]苯并噻二唑与2,5-二乙炔基-3-辛基噻吩的偶联反应,合成了一种新的共轭高分子PTE-BT。采用紫外可见吸收光谱及荧光光谱对其光学性质进行了研究。紫外可见吸收谱结果表明,PTE-BT的固体膜光学带隙为1.86 eV;TiO2/PTE-BT共混固体膜的荧光发射谱结果表明,电子供体PTE-BT分子与电子受体TiO2分子间存在有效的电子转移。; 关键词聚苯并噻二唑3-基噻吩二炔低带隙共轭聚合物光学性质合成; Keywords poly [3-octylthiophen-2,5-diylethynylene-（ benzo [ 1,2,5 ] thiadiazole-4,7-diyl） ethynylene ] low band-gap conjugated polymer optical properties synthesis; 分类号 O631.24 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型含硒杂环红光聚芴电解质的电致发光器件制备和研究被引量：8: 5; 作者罗潺黄飞杨伟彭俊彪曹镛; 机构华南理工大学高分子光电材料及器件研究所特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期134-138,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.90101019 No.50028302) 科技部资助项目(No.2002CB613402); 文摘利用新型的聚[9，9-二辛基芴-9，9-（双（3′-（N，N-二甲基）-N-乙基铵^＋溴^-）丙基）芴-4，7-二噻吩-2-基-2，1，3-苯并硒二唑]（PFNBr—DBse）共扼聚电解质制备了聚合物发光二极管。这类共扼聚电解质可用乙醇等溶剂成膜，不仅可代替传统的甲苯等芳香性非极性溶剂，而且有利于制备溶液型的多层显示器件。文章研究了这类新型聚电解质的光致发光特性及发光二极管器件的电荧光特性。研究表明在紫外光照射或电激发下，窄带系的DBse链段通过俘获激子能够实现有效的能量转移。聚电解质中DBSe的含量在5％以上，其器件具有电致发光峰值为700-740nm的饱和红光发射。所制聚电解质器件在用铝作电极时的电致发光效率比用钡作电极时要高。; 关键词聚合物发光二极管聚[9 9-二辛基芴-9 9-(双(3′-(N N-二甲基)-N-乙基铵^+溴-)丙基)芴-4 7-二噻吩-2-基-2 1 3-苯并硒二唑] 共扼聚电解质; Keywords PLED poly [9,9-dioctylfluorene-9,9-（bis （ 3＇-（ N, N-dimethyl）- N-ethylammonium bromide） propyl） fluorene-4,7-dithienyl-2,1,3-benzoselenadiazole] conjugated polyelectrolyte; 分类号 TN873.3 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在TiO_2(100)表面吸附的密度泛函理论研究	张福兰吴兴发	《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心	2012	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Si掺杂4,7-二(2-噻吩基)苯并噻二唑-3-辛基噻吩二炔在SnO2(100)表面吸附的理论研究	张福兰	《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	聚3-甲氧基噻吩对二巯基噻二唑的电化学改性的研究	张敬华其鲁舒东杨立红张晓雨	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	低带隙共轭聚合物的合成及光学性质	李彦军黄鹏程	《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新型含硒杂环红光聚芴电解质的电致发光器件制备和研究	罗潺黄飞杨伟彭俊彪曹镛	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2006	8	在线阅读下载PDF 职称材料