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真空室氢组分背压对霍尔推力器等离子体束聚焦特性的影响研究
1
作者
丁永杰
扈延林
+2 位作者
宁中喜
颜世林
李杰
《推进技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期635-640,共6页
基于光谱方法和羽流探针诊断方法，研究分析了氢组分压力对霍尔推力器束流聚焦特性和振荡特性的影响。研究结果表明，随着罐内氢组分压力的提高，通道内氢的特征谱线强度增强，相比 pH=0Pa， pH=0.04Pa下最大HI=652.6nm相对谱线强度增加...
基于光谱方法和羽流探针诊断方法，研究分析了氢组分压力对霍尔推力器束流聚焦特性和振荡特性的影响。研究结果表明，随着罐内氢组分压力的提高，通道内氢的特征谱线强度增强，相比 pH=0Pa， pH=0.04Pa下最大HI=652.6nm相对谱线强度增加了8-9倍。氢组分向通道内的返流影响通道内的工质电离和离子加速过程，进而导致推力器束流特性变差，且伴随着低频振荡增大。当 p H=0.04Pa时，羽流发散半角为41.5°，相比pH=0Pa条件下增加了24.5°。
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关键词
霍尔推力器
地面真空系统
氢气分压
光谱
等离子
体
束
聚焦
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职称材料
FIB与PEM联用在半导体器件失效分析中的应用
被引量：
6
2
作者
辛娟娟
韦旎妮
+2 位作者
刘抒
黄红伟
叶景良
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期703-705,731,共4页
在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节。光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一。PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷。而聚焦等离子束(FIB)的定点切割和沉积技术在亚微米级半导体...
在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节。光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一。PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷。而聚焦等离子束(FIB)的定点切割和沉积技术在亚微米级半导体工艺失效分析中扮演着越来越重要的作用。介绍了一种联合使用FIB和PEM进行亚微米级缺陷定位的新方法,使得一些单独使用PEM无法完成缺陷定位的案例得以成功解决。
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关键词
失效定位
测试结构
光发射显微镜
聚焦等离子束
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职称材料
题名
真空室氢组分背压对霍尔推力器等离子体束聚焦特性的影响研究
1
作者
丁永杰
扈延林
宁中喜
颜世林
李杰
机构
哈尔滨工业大学先进动力技术研究所
北京控制工程研究所
出处
《推进技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期635-640,共6页
文摘
基于光谱方法和羽流探针诊断方法，研究分析了氢组分压力对霍尔推力器束流聚焦特性和振荡特性的影响。研究结果表明，随着罐内氢组分压力的提高，通道内氢的特征谱线强度增强，相比 pH=0Pa， pH=0.04Pa下最大HI=652.6nm相对谱线强度增加了8-9倍。氢组分向通道内的返流影响通道内的工质电离和离子加速过程，进而导致推力器束流特性变差，且伴随着低频振荡增大。当 p H=0.04Pa时，羽流发散半角为41.5°，相比pH=0Pa条件下增加了24.5°。
关键词
霍尔推力器
地面真空系统
氢气分压
光谱
等离子
体
束
聚焦
Keywords
Hall effect thruster
Ground vacuum system
Hydrogen pressure
Spectrum
Plasma focusing characteristics
分类号
V439.4 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
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职称材料
题名
FIB与PEM联用在半导体器件失效分析中的应用
被引量：
6
2
作者
辛娟娟
韦旎妮
刘抒
黄红伟
叶景良
机构
上海宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期703-705,731,共4页
文摘
在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节。光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一。PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷。而聚焦等离子束(FIB)的定点切割和沉积技术在亚微米级半导体工艺失效分析中扮演着越来越重要的作用。介绍了一种联合使用FIB和PEM进行亚微米级缺陷定位的新方法,使得一些单独使用PEM无法完成缺陷定位的案例得以成功解决。
关键词
失效定位
测试结构
光发射显微镜
聚焦等离子束
Keywords
failure isolation
test structure
PEM
FIB
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
真空室氢组分背压对霍尔推力器等离子体束聚焦特性的影响研究
丁永杰
扈延林
宁中喜
颜世林
李杰
《推进技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
在线阅读
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职称材料
2
FIB与PEM联用在半导体器件失效分析中的应用
辛娟娟
韦旎妮
刘抒
黄红伟
叶景良
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
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职称材料
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