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聚焦离子束致形变微纳加工研究进展 被引量:3
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作者 毛逸飞 吴文刚 徐军 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第4期369-378,共10页
聚焦离子束技术(focused ion beam,FIB)由于其高精度刻蚀、定点加工、实时成像等优势,常用于精密加工、TEM制样等领域。其工作机理通常为:刻蚀、淀积与成像。而基于FIB新的加工手段正在被探索和研究,其中就包括两种聚焦离子束致形变技术... 聚焦离子束技术(focused ion beam,FIB)由于其高精度刻蚀、定点加工、实时成像等优势,常用于精密加工、TEM制样等领域。其工作机理通常为:刻蚀、淀积与成像。而基于FIB新的加工手段正在被探索和研究,其中就包括两种聚焦离子束致形变技术,分别为聚焦离子束应力引入致形变技术(FIB-stress induced deformation,FIBSID)和聚焦离子束物质再分布致形变技术(FIB-material-redistribution induced deformation,FIB-MRD)。前者通过控制FIB辐照时离子注入与溅射之间的竞争关系实现悬臂梁的多角度弯曲,后者利用粒子与物质作用时的瑞利不稳定性构建纳米结构,在一定意义上扩充了聚焦离子束的应用范围。运用上述方法可以加工三维微纳螺旋,悬浮光滑纳米弦以及大规模阵列化纳米网孔等多样化微/纳功能构件,在微流控系统,太赫兹通信,光学天线等领域具有很强的应用前景。 展开更多
关键词 聚焦离子束应力引入致形变 聚焦离子物质再分布致形变 微/纳功能结构加工
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润滑油添加剂对齿轮微点蚀的影响研究
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作者 王云飞 张建荣 苏朔 《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期109-118,共10页
探索建立微牵引力测定仪(MTM)、聚离子束、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和能量色散光谱相结合的方法对齿轮微点蚀进行识别和评价。研究发现:添加剂的减摩性能和抗磨性能是影响其抗微点蚀性能的关键因素,在MTM试验中存在一个摩擦轨迹... 探索建立微牵引力测定仪(MTM)、聚离子束、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和能量色散光谱相结合的方法对齿轮微点蚀进行识别和评价。研究发现:添加剂的减摩性能和抗磨性能是影响其抗微点蚀性能的关键因素,在MTM试验中存在一个摩擦轨迹宽度不大于400μm、摩擦因数不小于0.097的微点蚀易产生区域,添加剂和配方的研发应避开这个微点蚀易产生区域,综合平衡减摩性和抗磨性;添加剂所形成的耐机械剪切的摩擦膜抗磨性能越好,使得MTM试验中的摩擦轨迹更窄,应力更集中,更易产生微点蚀;在产生微点蚀的润滑体系中引入降低体系摩擦因数的添加剂可改善其抗微点蚀性能。 展开更多
关键词 微点蚀 聚焦离子 添加剂 摩擦 应力
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ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证 被引量:9
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作者 龚瑜 黄彩清 吴凌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期58-64,共7页
静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(F... 静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 过电应力(EOS) 静电放电(ESD) 聚焦离子(FIB) 失效分析 芯片去层处理
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