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高性能聚焦离子束(FIB)系统及其在材料科学领域的应用 被引量:9
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作者 周伟敏 吴国英 《实验室研究与探索》 CAS 2004年第9期19-20,52,共3页
采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察... 采用液态镓作为离子源的FIB系统在材料科学研究领域可以起非常重要的作用。离子束聚焦于样品表面,在不同大小、束流及通入不同辅助气体的情况下,可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的沉淀,扫描离子成像等功能。该系统有三大用途:形貌观察,分辨率高达5nm;微刻蚀以及微沉淀。本文介绍了FIB技术的应用。 展开更多
关键词 聚焦离子显微镜(fib) 透射电子显微分析(TEM) 材料科学
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聚焦离子束(FIB)中的离子光学问题 被引量:1
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作者 陈文雄 徐军 张解东 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期411-415,共5页
本文简要讨论了聚焦离子束中的离子光学问题 ,包括液态金属离子源的发射机制和发射特性 ,如虚源、角电流强度、能量分散、伏安特性、束流起伏、聚焦限制、离子束中的化学成分及源的寿命。讨论了离子光学柱体的组成与特征 ,束流一束径关... 本文简要讨论了聚焦离子束中的离子光学问题 ,包括液态金属离子源的发射机制和发射特性 ,如虚源、角电流强度、能量分散、伏安特性、束流起伏、聚焦限制、离子束中的化学成分及源的寿命。讨论了离子光学柱体的组成与特征 ,束流一束径关系 ,束中电流密度分布 ,以及空间电荷效应等。 展开更多
关键词 离子光学 聚焦离子 fib 液态金属离子 LMIS 静电透镜 空间电荷效应 发射机制
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聚焦离子束工艺参数对单像素线刻蚀的影响 被引量:2
3
作者 李美霞 施展 +2 位作者 陆熠磊 王英 杨明来 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期818-824,共7页
单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离... 单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离子束加工中,离子剂量与刻蚀线条宽度和深度之间呈正相关,与宽深比之间呈负相关;离子束流大小的变化对刻蚀深度影响不明显,但刻蚀宽度和宽深比随离子束流的增大而增大。此外,随着离子束流驻留时间增加,刻蚀宽度增大而深度减小;随着扫描步长百分比的增大,刻蚀深度增大,刻蚀宽度减小,分析结果表明这些变化与加工过程中再沉积作用有关。本研究成果为后续复杂图形的精密加工提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 聚焦离子(fib)刻蚀 加工参数 刻蚀形貌 单像素线 再沉积 宽深比
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基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究 被引量:8
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作者 徐宗伟 房丰洲 +1 位作者 张少婧 陈耘辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期62-67,共6页
提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量... 提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantation,FIBI)和聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。通过扫描电镜观察FIBI横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。当镓离子剂量大于1.4×1017ion/cm2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10~15nm的纳米颗粒层。以此作为XeF2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF2气体辅助刻蚀(FIB-GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。 展开更多
关键词 聚焦离子(fib) 离子注入 气体辅助刻蚀(GAE) 微结构
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聚焦离子束装置的发展及趋势 被引量:2
5
作者 李晓明 应根裕 汪健如 《真空科学与技术》 CSCD 1992年第6期478-488,共11页
综述了聚焦离子束装置的发展状况,包括各个年代、不同地区和国家的研究方向及特点。通过几台典型机描术透镜系统及其内部透镜的性能。介绍几种联机系统。最后阐明我国研究和开发聚焦离子束装置及其应用技术的必要性。
关键词 离子 聚焦 离子装置 fib
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面向Ga^+和惰性离子的聚焦离子束加工机理的研究
6
作者 贾瑞丽 徐宗伟 王前进 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第1期63-69,共7页
聚焦离子束(FIB)技术越来越广泛地应用于纳米加工等领域,其加工机理的研究是该技术发展的重要基础。本文针对纳米结构加工过程中聚焦离子束对加工精度的影响规律,基于蒙特卡罗法的SRIM程序,对离子轰击硅、金、铬等典型基底进行了仿真分... 聚焦离子束(FIB)技术越来越广泛地应用于纳米加工等领域,其加工机理的研究是该技术发展的重要基础。本文针对纳米结构加工过程中聚焦离子束对加工精度的影响规律,基于蒙特卡罗法的SRIM程序,对离子轰击硅、金、铬等典型基底进行了仿真分析与建模,研究了Ga+、He+、Ne+不同离子束的入射能量对入射深度、能量损伤、横向离散等参数的影响规律,解释了He+在加工小于10nm线宽结构中的优势及其加工中存在的新现象。结果表明,在FIB加工过程中可采用不同的离子束源,进行加工结构的工艺优化。 展开更多
关键词 聚焦离子(fib) 纳米加工 能量损伤 横向离散
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基于聚焦离子束的微米铝粉界面结构制备和氧化特性研究
7
作者 王敬凯 陈捷 +3 位作者 刘帅 睢贺良 索志荣 银颖 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期904-913,共10页
为直观地研究金属铝核/氧化层的界面结构,以聚焦离子束微纳加工技术为基础,成功建立了2~8μm铝粉颗粒的切片方法。对于尺寸2~8μm的铝粉颗粒,可通过结合聚焦离子束(FIB)直接切割与剖面减薄获得切片。所制备的切片样品的界面结构清晰完整... 为直观地研究金属铝核/氧化层的界面结构,以聚焦离子束微纳加工技术为基础,成功建立了2~8μm铝粉颗粒的切片方法。对于尺寸2~8μm的铝粉颗粒,可通过结合聚焦离子束(FIB)直接切割与剖面减薄获得切片。所制备的切片样品的界面结构清晰完整,氧化层未被破坏;通过进一步联用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能谱线扫描及元素面分布等多种表征手段,获得了不同老化条件下铝颗粒“核‐壳”界面的微观结构、结晶性和元素分布等信息。发现铝颗粒表面氧化层中Al和O元素的化学计量比偏离于标准Al2O3,呈现梯度分布特征;定量地获得了铝颗粒氧化层厚度与老化温度之间的正相关关系,未经热老化样品的氧化层厚度约5.4 nm,75℃和95℃老化样品的氧化层厚度分别增加至(34.1±2.1)nm和(51.3±2.2)nm。 展开更多
关键词 聚焦离子(fib) 微纳加工技术 高分辨透射电镜 梯度分布 氧化层厚度 微末铝粉
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聚焦离子束制样条件对TEM样品形貌的影响 被引量:2
8
作者 孙紫涵 李明 +1 位作者 高金德 吴涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期25-30,共6页
聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB... 聚焦离子束(FIB)因其制样成功率和效率高,可定点精确制样等特点已经成为半导体失效分析领域重要的透射电子显微镜(TEM)制样方法。利用双束FIB系统针对TEM样品制备条件对样品形貌的影响进行了分析和研究。通过控制变量法等方法分析了FIB的电子束或离子束等制样条件可能对样品带来的损伤。通过实验发现,FIB的离子束能量对TEM样品热损伤影响较小,电子束的电压和电流是引起样品损伤的主要因素。实验证明,在电子束辅助沉积保护层时适当降低电子束的电压和电流,可有效改善样品的微观形貌。 展开更多
关键词 透射电子显微镜(TEM) 制样 失效分析 聚焦离子(fib) 热损伤 电子辅助沉积 保护层
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聚焦离子束沉积铂纳米导线的电学失效机理
9
作者 瞿敏妮 乌李瑛 +4 位作者 黄胜利 凌天宇 沈贇靓 权雪玲 王英 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期382-387,共6页
研究了聚焦离子束(FIB)沉积Pt纳米导线的电学失效行为及其机理。FIB沉积Pt纳米导线在集成电路修复和微型电极制备等领域有重要应用,其电学特性及失效行为研究对器件结构设计及性能测试具有重要意义。直流电学测试中电压接近9 V时,电流... 研究了聚焦离子束(FIB)沉积Pt纳米导线的电学失效行为及其机理。FIB沉积Pt纳米导线在集成电路修复和微型电极制备等领域有重要应用,其电学特性及失效行为研究对器件结构设计及性能测试具有重要意义。直流电学测试中电压接近9 V时,电流快速上升并发生断路。经扫描电子显微镜(SEM)和原位X射线能谱(EDS)分析发现,断路后Pt纳米导线中有球状结构析出,球状结构中Pt与C的原子数分数之比是原始薄膜中的4倍,周围物质变得疏松甚至发生局部断裂,且Pt的原子数分数降低,从而形成不导电结构。进一步对样品进行升温电学测试,结果表明,在120℃以上Pt纳米导线在内部电流与外部加热共同作用下发生Pt晶粒生长及团聚,使Pt空缺的间隙变大,从而造成Pt纳米导线的电学失效。 展开更多
关键词 聚焦离子(fib) 铂纳米导线 电学失效 铂晶粒团聚 升温电学测试
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电子束致沉积手控生长碳纳米线 被引量:2
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作者 王鸣生 王晶云 +1 位作者 陈清 彭练矛 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期11-16,共6页
用电子束致沉积(EBID)来制备各种纳米尺寸的结构在纳米材料的制备和器件构建方面有着良好的应用前景。相对于聚焦离子束(FIB),它具有对样品损伤小和所得结构尺寸更小等优点。此前,电子束致沉积的工作大多数在扫描电镜中完成,而在透射电... 用电子束致沉积(EBID)来制备各种纳米尺寸的结构在纳米材料的制备和器件构建方面有着良好的应用前景。相对于聚焦离子束(FIB),它具有对样品损伤小和所得结构尺寸更小等优点。此前,电子束致沉积的工作大多数在扫描电镜中完成,而在透射电镜中沉积直到近两年才发展起来。本文尝试在普通热发射透射电镜中,手动控制生长碳纳米线、点等结构。对碳纳米线的生长过程进行了原位观测,并对电子束斑的大小、形状和辐照时间对沉积物形状的影响作了初步的研究。最后对电子束致沉积可控生长无定型碳纳米线可能的应用作了一些探索。 展开更多
关键词 电子 纳米线 聚焦离子 发射 器件 沉积 fib 透射电镜 损伤 辐照时间
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光子晶体Micro LED微显示阵列加工及光学特性分析 被引量:2
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作者 孟媛 肖秧 +4 位作者 冯晓雨 何龙振 张鹏喆 宁平凡 刘宏伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期719-725,共7页
Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示... Micro LED器件具有高亮度、低功耗和高可靠性等优点,但Micro LED显示像素巨量转移和光提取效率低的问题为其应用带来挑战。开发了具有高转移效率和出光效率的单片64×64 Micro LED微显示阵列,提出了倒装型GaN基单片Micro LED微显示阵列芯片和Si基驱动电路的设计方法及集成工艺。通过时域有限差分(FDTD)方法对Micro LED微显示阵列光学特性进行了建模分析,设计了一种提高Micro LED微显示阵列出光效率的光提取结构。结合仿真结果,开发了一种在Micro LED蓝宝石衬底表面制备光子晶体结构的聚焦离子束(FIB)微纳加工工艺,并进行了器件加工。测试结果表明,蓝宝石衬底上加工的光子晶体结构可以提高Micro LED器件的表面出光效率,光功率平均值提升了16.36%,对Micro LED微显示阵列加工及微显示像素光提取问题具有借鉴意义。 展开更多
关键词 Micro LED 微显示阵列 光子晶体结构 聚焦离子(fib) 出光效率
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多孔介质微观孔隙结构三维成像技术 被引量:21
12
作者 关振良 谢丛姣 +1 位作者 董虎 罗国平 《地质科技情报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期115-121,共7页
详细介绍目前国际上最先进的多孔介质微观结构三维成像技术,包括系列切片技术、聚焦离子束技术(FIB)、激光共聚焦扫描显微镜、Micro-CT技术,分析了各自的优越性及局限性,探讨了Micro-CT技术的应用现状及其在地质学领域的应用前景。分析... 详细介绍目前国际上最先进的多孔介质微观结构三维成像技术,包括系列切片技术、聚焦离子束技术(FIB)、激光共聚焦扫描显微镜、Micro-CT技术,分析了各自的优越性及局限性,探讨了Micro-CT技术的应用现状及其在地质学领域的应用前景。分析结果表明,Micro-CT及今后的Nano-CT技术是一种无损伤的3D成像技术,不但可获得足够分辨率的多孔介质微观孔隙结构3D图像,而且还可以现场实时检测孔隙中流体的渗流状态,在多孔介质孔隙结构及渗流机理研究中具有重要的应用价值。该技术必定成为今后的主流技术,不仅将在石油工程、水文工程等领域发挥重要的作用,而且还将广泛应用于岩石学、矿物学、古生物学、材料学、资源科学及环境科学等领域。该技术的研究和应用在我国还处在起步阶段,应加大设备引进和研究力度。 展开更多
关键词 系列切片 聚焦离子技术(fib) 激光共聚焦扫描显微镜 MICRO-CT 三维成像 孔隙网络模型
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微纳米复合金刚石自支撑膜的制备及微观结构的研究 被引量:2
13
作者 薛前进 黄玲 +6 位作者 陈广超 李彬 唐伟忠 李成明 宋建华 黑立富 佟玉梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期446-449,共4页
在30 kW级直流电弧等离子喷射化学气相沉积装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在多晶钼衬底上制备了微纳米复合多层金刚石自支撑膜。采用拉曼光谱对其进行成份分析、SEM观察膜体表面形貌,采用聚焦离子束(FIB)技术对其进行... 在30 kW级直流电弧等离子喷射化学气相沉积装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在多晶钼衬底上制备了微纳米复合多层金刚石自支撑膜。采用拉曼光谱对其进行成份分析、SEM观察膜体表面形貌,采用聚焦离子束(FIB)技术对其进行原位刻蚀,用高分辨电镜观察对其进行微观表征。结果显示,同普通微米膜相比,多层膜体是由微米晶金刚石层和纳米晶金刚石层组成,表面光滑,微米层与纳米层间具有相互嵌套式的界面,微/纳米复合多层金刚石自支撑膜中包含有纳米级金刚石晶粒、微米级金刚石晶粒和无定形碳。 展开更多
关键词 化学气相沉积 自支撑金刚石膜 多层结构 微观结构 聚焦离子(fib)
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涡轮叶片热障涂层三维成像研究进展 被引量:3
14
作者 敖波 邬冠华 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2021年第4期20-27,共8页
热障涂层是涡轮叶片高温防护关键技术,具有典型的层状结构特征,且热障涂层服役过程中高温氧化产生热生长氧化物结构,迫切需要利用三维成像方法无损探知热障涂层内部结构。由于计算机断层成像技术能提供三维立体图像,准确再现物体内部三... 热障涂层是涡轮叶片高温防护关键技术,具有典型的层状结构特征,且热障涂层服役过程中高温氧化产生热生长氧化物结构,迫切需要利用三维成像方法无损探知热障涂层内部结构。由于计算机断层成像技术能提供三维立体图像,准确再现物体内部三维结构,是热障涂层层状结构最佳分析手段之一,在热障涂层喷涂质量评价和高温氧化监测方面具有很好的前景。重点介绍了国内外在热障涂层微米CT成像、同步辐射CT成像、聚焦离子束–扫描电镜(FIB–SEM)三维成像及热应力有限元仿真方面的进展。最后指出了热障涂层无损检测可能的发展方向。 展开更多
关键词 热障涂层 微米CT 同步辐射CT 聚焦离子–扫描电镜(fib–SEM) 涡轮叶片 无损检测
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基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析 被引量:3
15
作者 赵扬 陈燕宁 +1 位作者 单书珊 赵明敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期72-76,共5页
随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机... 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。 展开更多
关键词 电可擦可编程只读存储器(EEPROM) 失效分析 电压衬度(VC) 聚焦离子(fib) 栅氧化层 缺陷
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ESD与短脉冲EOS失效的微观形态分析及验证 被引量:10
16
作者 龚瑜 黄彩清 吴凌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期58-64,共7页
静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(F... 静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相似。因此,借助扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等成像仪器以及芯片去层处理技术分析这两种失效机理的差别非常重要。通过实例分析这两种失效的机理及微观差别,从理论角度解释ESD和EOS的失效机理,分析这两种失效在发生背景、失效位置、损坏深度和失效路径方面的差异,同时对这两种失效进行模拟验证。这种通过失效微观形态进行研究的方法,可以实现失效机理的甄别,对于提高ESD防护等级和EOS防护能力有着重要的参考作用。 展开更多
关键词 过电应力(EOS) 静电放电(ESD) 聚焦离子(fib) 失效分析 芯片去层处理
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纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法 被引量:2
17
作者 段淑卿 虞勤琴 +4 位作者 陈柳 赵燕丽 李明 张启华 简维廷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期945-950,共6页
针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成。详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果。一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免... 针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成。详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果。一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免TEM图像重影问题;另外一个方法是利用FIB的不同角度切割能力,来制备定点的平面TEM样品。实践证明,通过FIB样品制备方法的优化和改善,解决了45 nm工艺及以下制程的半导体器件失效分析过程中遇到的此类问题,TEM样品质量能得到有效的改善,对于解决实际工作中的问题非常有效。 展开更多
关键词 透射电镜(TEM) 样品制备 聚焦离子(fib) 失效分析 平面样品
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非晶层占比对TEM样品成像的影响
18
作者 党鹏 马昊 +2 位作者 张启华 杨阳 史丽娜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期84-88,共5页
研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响。聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生畸变失真。在28 nm技术节点以下半导体器件TEM样品... 研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响。聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生畸变失真。在28 nm技术节点以下半导体器件TEM样品制备中,传统的制备方法会使样品在TEM下呈现非晶像或者图像质量不佳而不再适用。制备了一种楔形样品并使用平面转截面的样品制备方法研究了TEM呈晶格像时和非晶层临界占比的关系。实验表明,当样品中非晶层的占比超过0.66时,其在TEM下的成像为非晶像;当低于这一数值时,其在TEM下的成像为晶格像。针对非晶层对样品成像的影响,使用了一种低电压减薄的制备方法,通过降低非晶层占比可以显著优化表面成像,提高TEM样品的质量。 展开更多
关键词 透射电子显微镜(TEM) 聚焦离子(fib) 离子损伤 非晶层 图像质量 临界值
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先进集成电路超大测试结构的短路失效定位方法
19
作者 杨领叶 史燕萍 +4 位作者 段淑卿 陈强 蔡恩静 吕煜坤 高金德 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期416-420,共5页
针对先进集成电路超大测试结构的超薄金属缺陷导致的短路失效问题,开发了一种新的失效定位方法,该方法结合了电阻比例法、被动电压对比(PVC)、聚焦离子束(FIB)线路修补以及二分法等。通过电阻比例法,可以粗略地计算出该缺陷在结构中的... 针对先进集成电路超大测试结构的超薄金属缺陷导致的短路失效问题,开发了一种新的失效定位方法,该方法结合了电阻比例法、被动电压对比(PVC)、聚焦离子束(FIB)线路修补以及二分法等。通过电阻比例法,可以粗略地计算出该缺陷在结构中的大概位置,再利用FIB线路修补,结合PVC以及二分法,逐步将缺陷所在位置缩小到适合透射电子显微镜(TEM)分析的尺寸,通过TEM分析,定位到了导致金属线短路的超薄金属缺陷。 展开更多
关键词 超薄金属缺陷 电阻比例法 被动电压对比(PVC) 二分法 聚焦离子(fib)线路修补
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