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电场作用下聚对苯亚胺中的激子行为
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作者 张勇 余万伦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期455-458,共4页
从扩展的Ginder Epstein(GE)模型出发,计入静电场,数值模拟了有限长开链聚对苯亚胺(pernigrani line base)中的激子态。计算表明,当场强为零时,激子是自陷(self trapped)束缚的极化子激子;随着电场强度的增加,缺陷将沿电场方向发生移动... 从扩展的Ginder Epstein(GE)模型出发,计入静电场,数值模拟了有限长开链聚对苯亚胺(pernigrani line base)中的激子态。计算表明,当场强为零时,激子是自陷(self trapped)束缚的极化子激子;随着电场强度的增加,缺陷将沿电场方向发生移动(无论正反向施以电场);而当E≥3 6×104V/cm时,激子被静电场解离,形成正、负极化子而束缚在链端。本文关于零电场和强电场时的激子行为与李蕾,傅柔励等人关于m LPPP等电致发光材料的结果十分相似,但在弱电场时,并未出现预料中的极化,疑与本文引用的模型有关。 展开更多
关键词 聚对苯亚胺 电场 自陷束缚激子 电致发光 Ginder-Epstein模型 自洽方程 芳环扭角
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