期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
硝苯地平在聚吡咯膜修饰电极上的电化学行为及电位溶出分析 被引量:1
1
作者 程发良 吴剑 +1 位作者 张敏 汪洪 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期14-17,共4页
提出了在吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中 ,然后在合适的溶液中通过线性扫描将之溶出的分析方法。与空白聚吡咯修饰电极 (PPy-GCE)比较 ,在0.088mol/LH2O2-0.1mol/LH2SO4 底液中 ,以100mV/s的速率进行线性扫描时 ,硝苯地... 提出了在吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中 ,然后在合适的溶液中通过线性扫描将之溶出的分析方法。与空白聚吡咯修饰电极 (PPy-GCE)比较 ,在0.088mol/LH2O2-0.1mol/LH2SO4 底液中 ,以100mV/s的速率进行线性扫描时 ,硝苯地平有一灵敏的线性扫描溶出峰 ,峰电位在 -0.628V(vs.SCE)。峰电流与硝苯地平的浓度在1×10 -8~1×10 -4mol/L范围内有良好的线性关系 ,利用这一峰对硝苯地平片剂的含量进行了测试 。 展开更多
关键词 硝苯地平 聚吡咯膜修饰电极 电化学行为 电位溶出分析 片剂 含量测定 钙离子拮抗剂 血管扩张剂
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部