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聚吡咯氧化石墨烯修饰的神经微电极阵列
被引量：
2
1
作者
王力
蒋庭君
+3 位作者
石文韬
宋轶琳
徐声伟
蔡新霞
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期623-626,共4页
利用电化学方法,在多通道神经微电极阵列芯片上制备聚吡咯氧化石墨烯薄膜材料,并对该材料的电化学行为进行了分析。对神经微电极阵列芯片采用计时电压法探究,确定了定向修饰聚吡咯氧化石墨烯薄膜的最佳电沉积条件。微电极阵列芯片为多...
利用电化学方法,在多通道神经微电极阵列芯片上制备聚吡咯氧化石墨烯薄膜材料,并对该材料的电化学行为进行了分析。对神经微电极阵列芯片采用计时电压法探究,确定了定向修饰聚吡咯氧化石墨烯薄膜的最佳电沉积条件。微电极阵列芯片为多通道实时检测神经细胞的电生理和电化学信号提供了一种新的器件,但其检测灵敏度、信噪比需进一步的提高。将聚吡咯氧化石墨烯的平面微电极阻抗值降低了92.1%,且提高了对多巴胺循环伏安响应的灵敏度,对神经电生理信号和电化学信号的检测具有重要意义。
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关键词
电沉积
阻抗
神经微电极阵列
聚吡咯氧化石墨烯
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职称材料
SnO_2/还原氧化石墨烯/聚吡咯三元复合物的合成及其电化学电容性能
被引量：
3
2
作者
张海英
胡中爱
+5 位作者
张亚军
张富海
梁鹏举
杨玉英
张子瑜
吴红英
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期138-141,共4页
采用两步法制备出均匀分散的SnO2/还原氧化石墨烯(SnO2/RGO)二元复合物,再以二元复合物为模板,通过化学氧化法聚合吡咯(Py)单体,制备出SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯(SnO2/RGO/PPy)三元复合材料。利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和场...
采用两步法制备出均匀分散的SnO2/还原氧化石墨烯(SnO2/RGO)二元复合物,再以二元复合物为模板,通过化学氧化法聚合吡咯(Py)单体,制备出SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯(SnO2/RGO/PPy)三元复合材料。利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对复合材料结构和形貌进行物性表征,利用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗对复合材料进行电化学性能研究,并讨论了不同含量的PPy对复合材料的结构和性能的影响。结果表明,所合成的三元复合材料的比电容随PPy含量的增加而增大,最大达到305.3F/g。三元复合物电容性能增强源于SnO2、RGO与PPy三者的相互协同作用,以及材料层状结构和大的比表面积。
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关键词
SnO2/还原
氧化
石墨
烯
/
聚
吡咯
三元复合材料
电化学电容
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职称材料
题名
聚吡咯氧化石墨烯修饰的神经微电极阵列
被引量：
2
1
作者
王力
蒋庭君
石文韬
宋轶琳
徐声伟
蔡新霞
机构
中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室(北方基地)
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期623-626,共4页
基金
国家973计划(2011CB933202)
国家自然科学基金(61125105
+1 种基金
61027001
61002037)
文摘
利用电化学方法,在多通道神经微电极阵列芯片上制备聚吡咯氧化石墨烯薄膜材料,并对该材料的电化学行为进行了分析。对神经微电极阵列芯片采用计时电压法探究,确定了定向修饰聚吡咯氧化石墨烯薄膜的最佳电沉积条件。微电极阵列芯片为多通道实时检测神经细胞的电生理和电化学信号提供了一种新的器件,但其检测灵敏度、信噪比需进一步的提高。将聚吡咯氧化石墨烯的平面微电极阻抗值降低了92.1%,且提高了对多巴胺循环伏安响应的灵敏度,对神经电生理信号和电化学信号的检测具有重要意义。
关键词
电沉积
阻抗
神经微电极阵列
聚吡咯氧化石墨烯
Keywords
electrodeposition
impedance
microelectrode array
polypyrrole graphene oxide
分类号
TP212.3 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
SnO_2/还原氧化石墨烯/聚吡咯三元复合物的合成及其电化学电容性能
被引量：
3
2
作者
张海英
胡中爱
张亚军
张富海
梁鹏举
杨玉英
张子瑜
吴红英
机构
西北师范大学化学化工学院
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期138-141,共4页
基金
国家自然科学基金(20963009和21163017)
甘肃省自然科学基金资助项目(0803RJA005)
文摘
采用两步法制备出均匀分散的SnO2/还原氧化石墨烯(SnO2/RGO)二元复合物,再以二元复合物为模板,通过化学氧化法聚合吡咯(Py)单体,制备出SnO2/还原氧化石墨烯/聚吡咯(SnO2/RGO/PPy)三元复合材料。利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对复合材料结构和形貌进行物性表征,利用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗对复合材料进行电化学性能研究,并讨论了不同含量的PPy对复合材料的结构和性能的影响。结果表明,所合成的三元复合材料的比电容随PPy含量的增加而增大,最大达到305.3F/g。三元复合物电容性能增强源于SnO2、RGO与PPy三者的相互协同作用,以及材料层状结构和大的比表面积。
关键词
SnO2/还原
氧化
石墨
烯
/
聚
吡咯
三元复合材料
电化学电容
Keywords
SnO2/RGO/PPy
ternary composite
electrochemical capacitor
分类号
TQ320.1 [化学工程—合成树脂塑料工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚吡咯氧化石墨烯修饰的神经微电极阵列
王力
蒋庭君
石文韬
宋轶琳
徐声伟
蔡新霞
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
在线阅读
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职称材料
2
SnO_2/还原氧化石墨烯/聚吡咯三元复合物的合成及其电化学电容性能
张海英
胡中爱
张亚军
张富海
梁鹏举
杨玉英
张子瑜
吴红英
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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职称材料
已选择
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