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基于GDT的14MeV中子源初步设计研究 被引量:5
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作者 杜红飞 陈德鸿 +5 位作者 蒋洁琼 汪晖 王福琼 陈一平 吴宜灿 FDS团队 《核科学与工程》 CSCD 北大核心 2012年第1期68-73,共6页
为满足聚变材料测试对D-T聚变中子源的需要,本文首先根据国际上对用于聚变材料测试的中子源的要求给出设计目标,然后基于Gas Dynamic Trap(GDT)装置的实验进展,提出了基于GDT装置的14MeV中子源的设计初步方案,并建立了GDT中子源的物理... 为满足聚变材料测试对D-T聚变中子源的需要,本文首先根据国际上对用于聚变材料测试的中子源的要求给出设计目标,然后基于Gas Dynamic Trap(GDT)装置的实验进展,提出了基于GDT装置的14MeV中子源的设计初步方案,并建立了GDT中子源的物理模型。计算分析给出了两套中子源参数初步方案,其中FDS-GDT2中子壁负载为2MW/m2,可用于聚变材料的测试。 展开更多
关键词 GAS DYNAMIC Trap(GDT) 中子源 磁镜 聚变材料测试
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