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添加剂HP在复合添加剂中对电解铜箔组织性能的影响 被引量:1
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作者 樊斌锋 程润润 +3 位作者 王庆福 朱石林 董玉佳 王坤 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第10期28-33,共6页
电解铜箔具有工艺简单、导电导热等力学性能较好的特点,目前已经成为了现代电子行业重要的基础原材料。本研究采用直流电沉积法,以一定量的醇硫基丙烷磺酸钠(HP)、聚乙二醇(PEG)、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、糖精钠(BSI)和胶原蛋白作为... 电解铜箔具有工艺简单、导电导热等力学性能较好的特点,目前已经成为了现代电子行业重要的基础原材料。本研究采用直流电沉积法,以一定量的醇硫基丙烷磺酸钠(HP)、聚乙二醇(PEG)、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、糖精钠(BSI)和胶原蛋白作为复合添加剂,研究了不同HP浓度对铜箔表面微观形貌、抗拉强度以及其他物理性能的影响。结果表明:HP在合适的浓度范围内,可以在组合添加剂中与其他添加剂发生协同作用提高(200)和(220)晶面的择优取向,从而有效地细化晶粒,降低粗糙度。当HP在组合添加剂中的浓度为6 mg·L^(−1)时,制备的铜箔其抗拉强度和延伸率分别达到了634.1 MPa和4.1%。 展开更多
关键词 电解铜箔 磺酸钠 聚二硫二丙烷磺酸钠 抗拉强度
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添加剂MPS和SPS及其与PEG、Cl^-组合对铜镀层晶面取向的影响 被引量:2
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作者 魏泽英 王文静 《重庆大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期100-105,共6页
高择优取向的铜镀层具有优异的性能,镀层晶面择优取向受多种因素的影响,添加剂是影响铜镀层晶面取向的因素之一。在酸性Cu SO4电解液中分别加入添加剂MPS(3-巯基-1-丙烷磺酸钠)和SPS(聚二硫二丙烷磺酸钠),及其他们与PEG(聚乙二醇)、Cl-... 高择优取向的铜镀层具有优异的性能,镀层晶面择优取向受多种因素的影响,添加剂是影响铜镀层晶面取向的因素之一。在酸性Cu SO4电解液中分别加入添加剂MPS(3-巯基-1-丙烷磺酸钠)和SPS(聚二硫二丙烷磺酸钠),及其他们与PEG(聚乙二醇)、Cl-组合的添加剂,在这系列电解液中,采用恒电流沉积方法,在0.040 A/cm2和0.150 A/cm2两个电流密度下,制备出了不同取向的铜镀层。X射线衍射实验结果表明:高电流密度0.150 A/cm2,添加MPS+Cl-和SPS+Cl-得到了(220)全择优取向的Cu镀层。而添加MPS或SPS,或其他添加剂组合,如MPS+PEG、MPS+PEG+Cl-、SPS+PEG、SPS+PEG+Cl-,得到不同取向择优的镀层。优化添加剂组合是在电沉积过程中尽早实现高择优取向生长的有效方法。 展开更多
关键词 3-巯基-1-磺酸钠 聚二硫二丙烷磺酸钠 镀层 电沉积 晶面取向
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添加剂对极薄锂电铜箔电沉积过程的影响 被引量:8
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作者 樊斌锋 王绪军 +2 位作者 王庆福 彭肖林 李谋翠 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2023年第5期85-89,共5页
利用线性扫描伏安法及正交试验研究了聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG)和聚乙烯亚胺(PEI)对Cu电沉积过程的影响,并通过SEM表征了最优复合添加剂作用下生产的4.5μm铜箔以及铜沉积层的微观形貌。试验结果表明,SPS促进Cu的电沉积,... 利用线性扫描伏安法及正交试验研究了聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG)和聚乙烯亚胺(PEI)对Cu电沉积过程的影响,并通过SEM表征了最优复合添加剂作用下生产的4.5μm铜箔以及铜沉积层的微观形貌。试验结果表明,SPS促进Cu的电沉积,PEG抑制Cu的电沉积,而PEI对Cu的电沉积表现为低浓度抑制,高浓度促进。最优复合添加剂4×10^(-6)SPS-7×10^(-6)PEG-7×10^(-6)PEI协同作用时可得到平整、晶粒细小、致密性高的铜沉积层。 展开更多
关键词 铜箔 电沉积 聚二硫二丙烷磺酸钠 乙烯亚胺
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离子色谱脉冲安培法测定电镀铜液中的增亮剂SPS 被引量:1
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作者 杨秀丽 陶玲 孙郑冬 《中国无机分析化学》 CAS 2012年第A01期49-50,共2页
用二维离子色谱法测定了标准溶液和电镀铜液中的SPS。首先,利用样品处理模块消除基质中的铜离子,然后样品在第一套系统的柱子上分离,将一段馏分收集在预浓缩柱上,再用第二套系统测定。标准工作曲线的线性相关系数达0.9999,对3种... 用二维离子色谱法测定了标准溶液和电镀铜液中的SPS。首先,利用样品处理模块消除基质中的铜离子,然后样品在第一套系统的柱子上分离,将一段馏分收集在预浓缩柱上,再用第二套系统测定。标准工作曲线的线性相关系数达0.9999,对3种样品分别进行15次分析,所得结果的相对标准偏差小于6%,有很好的准确度和精密度。 展开更多
关键词 离子色谱 聚二硫二丙烷磺酸钠 脉冲安培法
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