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耗尽型GaN非易失性存储器的研究
1
作者
邵国键
陈韬
+1 位作者
周书同
李信
《固体电子学研究与进展》
2025年第2期12-15,共4页
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模...
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模式,清除SiN电荷存储层中的电子,存储器恢复至初始状态。在经历10~4次循环擦写、10~4 s数据保持等可靠性验证后,GaN存储器依然保持了足够的窗口。
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关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
耗尽型gan非易失性存储器
擦除模式
写入模式
循环特性
保持特性
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职称材料
题名
耗尽型GaN非易失性存储器的研究
1
作者
邵国键
陈韬
周书同
李信
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
2025年第2期12-15,共4页
文摘
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模式,清除SiN电荷存储层中的电子,存储器恢复至初始状态。在经历10~4次循环擦写、10~4 s数据保持等可靠性验证后,GaN存储器依然保持了足够的窗口。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管
耗尽型gan非易失性存储器
擦除模式
写入模式
循环特性
保持特性
Keywords
gan
high-electron-mobility transistors
depletion mode
gan
nonvolatile memory
erase mode
program mode
cycling characteristics
retention characteristics
分类号
TN386 [电子电信]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
耗尽型GaN非易失性存储器的研究
邵国键
陈韬
周书同
李信
《固体电子学研究与进展》
2025
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