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题名8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征
被引量：6
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作者
娄艳芳
巩拓谌
张文
郭钰
彭同华
杨建
刘春俊
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机构
北京天科合达半导体股份有限公司
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第12期2131-2136,共6页
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基金
国家重点研发计划(2021YFB3601100)。
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文摘
使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。
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关键词
8英寸SiC单晶衬底
物理气相传输法
X射线摇摆曲线
微管密度
翘曲度和弯曲度
位错密度
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Keywords
8-inch SiC single crystal substrate
physical vapor transport mehtod
X-ray rocking curve
micropipe density
warp and bow
dislocation density
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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