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CdZnTe晶体的缺陷能级分析
被引量：
3
1
作者
韦永林
朱世富
+5 位作者
赵北君
王瑞林
高德友
魏昭荣
李含东
唐世红
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期189-191,共3页
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下...
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。
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关键词
CDZNTE晶体
缺陷能级分析
布里奇曼法
激活能
俘获
能级
电阻率
碲锌镉单晶体
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职称材料
题名
CdZnTe晶体的缺陷能级分析
被引量：
3
1
作者
韦永林
朱世富
赵北君
王瑞林
高德友
魏昭荣
李含东
唐世红
机构
四川大学材料科学系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期189-191,共3页
基金
国家自然科学基金(60276030)
教育部博士点基金资助项目
四川省科技攻关重点项目(02GG009 010)
文摘
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。
关键词
CDZNTE晶体
缺陷能级分析
布里奇曼法
激活能
俘获
能级
电阻率
碲锌镉单晶体
Keywords
CZT single crystal
I-T curve
activation energy
detector
defect energy level
分类号
O77 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdZnTe晶体的缺陷能级分析
韦永林
朱世富
赵北君
王瑞林
高德友
魏昭荣
李含东
唐世红
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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