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CdZnTe晶体的缺陷能级分析 被引量:3
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作者 韦永林 朱世富 +5 位作者 赵北君 王瑞林 高德友 魏昭荣 李含东 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期189-191,共3页
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下... 通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。 展开更多
关键词 CDZNTE晶体 缺陷能级分析 布里奇曼法 激活能 俘获能级 电阻率 碲锌镉单晶体
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