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薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析
被引量：
1
1
作者
姚峰英
胡恒升
张敏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期1522-1525,共4页
本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映...
本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布 ,可以表征栅介质层的质量和均匀性 .此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化 .同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量 .陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降 .氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的 1%发生击穿 ( 10 2 0 cm-3) .Nbd的物理意义清楚 ,不象Qbd随测试应力条件变化 ,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标 .
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关键词
集成电路
薄栅介质
可靠性
缺陷统计分析
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职称材料
题名
薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析
被引量：
1
1
作者
姚峰英
胡恒升
张敏
机构
中国科学院上海冶金研究所微电子学分部
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期1522-1525,共4页
文摘
本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布 ,可以表征栅介质层的质量和均匀性 .此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化 .同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量 .陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降 .氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的 1%发生击穿 ( 10 2 0 cm-3) .Nbd的物理意义清楚 ,不象Qbd随测试应力条件变化 ,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标 .
关键词
集成电路
薄栅介质
可靠性
缺陷统计分析
Keywords
Calculations
Dielectric films
Electric breakdown
Electric fields
Electron traps
Integrated circuit testing
Reliability
Statistical methods
Thin films
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析
姚峰英
胡恒升
张敏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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职称材料
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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