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气敏半导体材料Cd_2Sb_2O_(6.8)的制备及其性能研究被引量：1: 1; 作者刘杏芹刘亚飞沈瑜生《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期837-842,共6页; 采用化学共沉淀法，在较低温度（７５０℃）下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Ｃｄ２Ｓｂ２Ｏ６．８的纯相超微粉；研究了制备条件对物相、结构和气敏性能的影响，并对其反应过程机理进行了探讨．气敏性能测试结果表明，纯相Ｃｄ... 展开更多; 关键词缺陷烧绿石结构气敏半导体 Cd2Sb2O6 乙炔; 在线阅读下载PDF 职称材料

复合氧化物Cd_2Sb_2O_(7-x)的制备及其应用新进展被引量：1: 2; 作者刘亚飞刘杏芹《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页; 回顾了镉一锑复合氧化物的制备及其应用的进展情况，介绍了一种采用化学共沉淀制备具有缺陷烧绿石结构的Cd2Sb2Q7-x超微纯相粉的方法，并发现该法所得产物具有良好的气敏性能。; 关键词化学共沉淀缺陷烧绿石结构 Cd_2Sb_2O_7-x 气敏性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学共沉淀法制备气敏材料Cd_(2+X)Sb_2O_(6.8) 被引量：1: 3; 作者刘亚飞刘杏芹《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第3期293-300,共8页; 采用化学共沉淀法，以可溶性的镉盐和三价锑盐为源物质、氢氧化物作共沉淀剂，在较宽的Ｃｄ／Ｓｂ摩尔配比范围内，制备出了具有缺陷烧绿石结构的镉锑复合氧化物Ｃｄ２Ｓｂ２Ｏ６．８及其固溶体。研究了烧成条件对产物的影响，在较低温... 展开更多; 关键词化学共沉淀法缺陷烧绿石结构气敏材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	气敏半导体材料Cd_2Sb_2O_(6.8)的制备及其性能研究	刘杏芹刘亚飞沈瑜生	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	复合氧化物Cd_2Sb_2O_(7-x)的制备及其应用新进展	刘亚飞刘杏芹	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	化学共沉淀法制备气敏材料Cd_(2+X)Sb_2O_(6.8)	刘亚飞刘杏芹	《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料