液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO_2SOI结构

1

作者 樊瑞新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期41-44,47,共5页

介绍了液相外延技术制备Ｓｉ／ＳｉＯ２ＳＯＩ结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况，同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度ＳＯＩ结构具有广阔前景。

关键词 液相外延 横向外延过生长 SOI 缺陷密度 SI/SIO2

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碳球表面缺陷密度对其负载铜催化剂甲醇氧化羰基化反应性能的影响 被引量：2

2

作者 贾东森 张国强 +4 位作者 尹娇 张亮亮 赵丹 郑华艳 李忠 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期3701-3710,共10页

采用水热聚合法合成了一系列表面缺陷密度不同的有序微孔碳球(CS),并以其为载体制备了表面负载铜催化剂(Cu/CS),用于催化气相甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯。结合表征结果,研究了载体表面缺陷密度对Cu/CS催化剂结构及催化性能的影响。... 采用水热聚合法合成了一系列表面缺陷密度不同的有序微孔碳球(CS),并以其为载体制备了表面负载铜催化剂(Cu/CS),用于催化气相甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯。结合表征结果,研究了载体表面缺陷密度对Cu/CS催化剂结构及催化性能的影响。结果表明,CS的表面缺陷密度随其粒径增大而增大,且其缺陷密度越大,催化剂中Cu物种分散度越高;同时,较大的表面缺陷密度有利于增强载体与Cu物种间的相互作用力,促进CuO自还原为活性物种Cu2O和Cu,从而提高催化活性。长期评价结果表明,Cu物种的氧化和团聚是造成Cu/CS催化剂失活的原因。CS的表面缺陷抑制了反应过程中活性Cu物种的氧化,且缺陷密度越大,Cu物种抗氧化能力越强;但表面缺陷密度大的催化剂中Cu物种颗粒尺寸小,表面能高,因而更容易发生团聚。 展开更多

关键词 催化剂 有序微孔碳球 碳酸二甲酯 氧化羰基化 缺陷密度

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基于SURF特征改进的空调标签缺陷检测算法

3

作者 周慧子 刘跃霖 +1 位作者 刘青 李建武 《河北科技大学学报》 北大核心 2025年第3期323-332,共10页

针对深度学习算法无法兼容设备检测及新样本收集、检测时效性及泛化能力差的瓶颈,提出了一种基于SURF特征改进的传统模板匹配检测算法。首先,使用SURF算法对图像进行特征提取,采用乘积量化理论构建搜索树,结合特征点空间位置信息快速筛... 针对深度学习算法无法兼容设备检测及新样本收集、检测时效性及泛化能力差的瓶颈,提出了一种基于SURF特征改进的传统模板匹配检测算法。首先,使用SURF算法对图像进行特征提取,采用乘积量化理论构建搜索树,结合特征点空间位置信息快速筛选匹配点;其次,根据匹配点获取单应性矩阵和仿射变换矩阵,通过两矩阵结合筛选“内点”进行偏移量计算并执行图像配准;最后,结合局部缺陷密度度量法思想,综合区域前景及区域背景加权方式计算缺陷密度,通过缺陷密度判定标签是否合格,同时针对小字符特征少又含有局部偏移的场景,使用改进方法避免误判。结果表明,所提算法在自建数据集上的准确率、召回率及F1分别为98.67%、97.69%及98.18%,均优于主流方法,在设备上实际应用时满足实时性要求。该算法能有效提升特征点稳定性和检测精度,为其实际应用提供了技术参考。 展开更多

关键词 图像处理 缺陷检测 SURF特征 图像配准 缺陷密度

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瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析 被引量：1

4

作者 张通和 吴瑜光 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第4期33-40,共8页

分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10^(16)cm^(-2)... 分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10^(16)cm^(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。 展开更多

关键词 离子注入 瞬太退火 增强扩散模型 高密度缺陷

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小檗碱对铜绿假单胞菌密度感应缺陷株及其分泌的致病因子的作用研究 被引量：3

5

作者 夏飞 肖红兵 +3 位作者 杜鸣 廖亚玲 张明伟 王平 《华中科技大学学报（医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期155-159,174,共6页

目的观察小檗碱对铜绿假单胞菌(Pseudomonas aeruginosa,PA)密度感应缺陷株的生长及其分泌的致病因子的影响,初步探索小檗碱对铜绿假单胞菌密度感应系统及调控致病因子表达的作用机制。方法不同浓度小檗碱分别与铜绿假单胞菌野生株PAO1... 目的观察小檗碱对铜绿假单胞菌(Pseudomonas aeruginosa,PA)密度感应缺陷株的生长及其分泌的致病因子的影响,初步探索小檗碱对铜绿假单胞菌密度感应系统及调控致病因子表达的作用机制。方法不同浓度小檗碱分别与铜绿假单胞菌野生株PAO1、密度感应系统(quorum sensing system,QS)基因缺陷株PAO JP2、临床分离QS缺陷株共培养,运用倍比稀释法测定最小抑菌浓度,紫外分光光度法测定绿脓菌素分泌量,苔黑酚法测定鼠李糖脂水平,结晶紫法测定生物被膜起始量,荧光定量PCR检测各株QS基因表达。结果小檗碱对铜绿假单胞菌野生株PAO1 MIC值为12.50mg/mL,临床分离株C84 MIC值为1.56mg/mL,PAO JP2株与C39株MIC值均为3.12mg/mL,C104和C117株MIC值均为6.25mg/mL。在低于MIC浓度下,小檗碱对PAO1株、C104株、C117株绿脓菌素水平有显著抑制,且对各QS缺陷株鼠李糖脂有不同程度抑制作用。此外,PAO JP2株、C39株、C84株生物被膜可被小檗碱显著抑制。各株残留的LasR和rhI转录均受到小檗碱显著抑制。结论小檗碱对临床分离QS缺陷株有良好的抑制作用,可能通过调节QS基因多种不同细菌毒力因子进行调控。 展开更多

关键词 铜绿假单胞菌 小檗碱 密度感应缺陷 致病因子

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缺陷态密度对纳米硅太阳能电池的影响

6

作者 余水平 叶懿尉 +1 位作者 王格 郝会颖 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期22-26,共5页

运用美国宾州大学发展的AMPS-1D程序模拟了P-I-N结构的纳米硅薄膜太阳电池中I层、P-I界面、N-I界面的缺陷态密度对电池的输出特性的影响。结果表明,在其他参数保持不变的情况下,随着I层缺陷态密度的增大,I层的最佳厚度逐渐减小,且效率... 运用美国宾州大学发展的AMPS-1D程序模拟了P-I-N结构的纳米硅薄膜太阳电池中I层、P-I界面、N-I界面的缺陷态密度对电池的输出特性的影响。结果表明,在其他参数保持不变的情况下,随着I层缺陷态密度的增大,I层的最佳厚度逐渐减小,且效率降低。P-I界面的缺陷态密度对电池输出特性的影响十分显著,随着缺陷态密度及界面层厚度的增大,效率下降。 展开更多

关键词 缺陷态密度 纳米硅薄膜 太阳能电池 计算机模拟

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软件缺陷的综合研究 被引量：20

7

作者 梁成才 章代雨 林海静 《计算机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第19期88-90,共3页

软件缺陷的概念在软件质量范畴中处于举足轻重的地位,软件缺陷度量是软件质量度量范畴内的核心度量。该文区分了错误、缺陷、故障、失效4个软件缺陷相关的概念,采用正交缺陷分类法建立了软件缺陷的分类分级模式,剖析了软件缺陷的生存周... 软件缺陷的概念在软件质量范畴中处于举足轻重的地位,软件缺陷度量是软件质量度量范畴内的核心度量。该文区分了错误、缺陷、故障、失效4个软件缺陷相关的概念,采用正交缺陷分类法建立了软件缺陷的分类分级模式,剖析了软件缺陷的生存周期,给出了缺陷密度、缺陷泄漏矩阵、缺陷注入率和缺陷消除率等基本的、实用的软件缺陷度量。 展开更多

关键词 软件缺陷 缺陷分类分级 缺陷注入 缺陷清除 缺陷密度

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电流辅助硅钢成形中微观组织变化对变形抗力影响的研究

8

作者 叶奔 蒋保涛 +2 位作者 张蓓 胡锋 李立新 《精密成形工程》 北大核心 2025年第1期144-152,共9页

目的探究电流辅助硅钢成形中微观组织变化对硅钢变形抗力的影响。方法设计了不同变形条件下的电流辅助拉伸实验及静态电流对比实验,然后对样品进行电子背散射衍射(EBSD)测试,分析并研究电流辅助拉伸成形对Fe-0.5%(质量分数)Si无取向硅... 目的探究电流辅助硅钢成形中微观组织变化对硅钢变形抗力的影响。方法设计了不同变形条件下的电流辅助拉伸实验及静态电流对比实验,然后对样品进行电子背散射衍射(EBSD)测试,分析并研究电流辅助拉伸成形对Fe-0.5%(质量分数)Si无取向硅钢晶粒特征、晶界特征及缺陷密度的影响。结果在电流辅助硅钢成形中,硅钢的变形抗力显著下降。在电流作用下,晶粒尺寸小幅增加;晶粒轴比、晶界曲率、三叉结曲率等参数明显增大,晶粒轴比最多增大11%,晶界曲率最多增大71%,三叉结曲率最多增大43%;几何必需位错密度及微观缺陷密度显著减小,平均缺陷密度降低幅度最大达94%。结论在电流辅助成形中,微观组织的变化使硅钢变形抗力降低:晶粒尺寸和晶粒轴比的增大使拉伸方向晶界间距增大;晶界(三叉结)曲率的增大使晶界(三叉结)迁移能力及越过微观障碍的能力增强,且迁移速率增大;微观缺陷密度的降低使试样的系统自由能降低,使硅钢塑性变形趋势增强。 展开更多

关键词 硅钢 电流辅助成形 变形抗力 晶界曲率 缺陷密度

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YbF_3沉积速率对红外激光薄膜表面缺陷的影响 被引量：4

9

作者 张耀平 许鸿 +1 位作者 凌宁 张云洞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1019-1022,共4页

在介绍了薄膜缺陷的特点及成因的基础上,分析了YbF3沉积速率对红外激光薄膜表面缺陷密度的影响,得出了镀制激光薄膜所需的合适速率。结果表明:薄膜表面缺陷主要以节瘤缺陷与陷穴缺陷为主,其缺陷密度随YbF3沉积速率的减小基本表现为减小... 在介绍了薄膜缺陷的特点及成因的基础上,分析了YbF3沉积速率对红外激光薄膜表面缺陷密度的影响,得出了镀制激光薄膜所需的合适速率。结果表明:薄膜表面缺陷主要以节瘤缺陷与陷穴缺陷为主,其缺陷密度随YbF3沉积速率的减小基本表现为减小的趋势,当ZnS沉积速率约为0.2nm/s,YbF3沉积速率约为0.4nm/s时,可得到比较满意的激光薄膜,薄膜表面缺陷密度仅为0.000675。 展开更多

关键词 激光薄膜 沉积速率 缺陷密度 损伤阈值

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基于度量的嵌入式软件缺陷风险分析研究

10

作者 阮顺领 卢才武 《计算机工程与应用》 CSCD 2013年第3期61-64,87,共5页

通过对COSMIC-FFP模型的扩展优化提出了嵌入式软件系统度量的方法,从而解决了COSMIC-FFP模型不支持对含有复杂数学算法的嵌入式实时系统度量的问题,基于软件规模度量提出了软件缺陷度量的方法。通过对软件规模的准确度量和对软件缺陷风... 通过对COSMIC-FFP模型的扩展优化提出了嵌入式软件系统度量的方法,从而解决了COSMIC-FFP模型不支持对含有复杂数学算法的嵌入式实时系统度量的问题,基于软件规模度量提出了软件缺陷度量的方法。通过对软件规模的准确度量和对软件缺陷风险的分析,发现软件项目过程风险管理的不足,达到降低软件项目过程风险的目的。 展开更多

关键词 软件度量 缺陷密度 风险分析

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异质结太阳能电池的仿真模拟研究和界面态密度对效率的影响

11

作者 周理想 黄仕华 吴锋民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第S02期28-31,共4页

大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合适的TCO,也很少有报道界面态密度对异质结太阳能电池的影响机... 大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合适的TCO,也很少有报道界面态密度对异质结太阳能电池的影响机理。本研究表明,对于n型单晶硅片为衬底的异质结电池,发射场的TCO功函数越大越好,最佳范围是5.4~6.3 eV。对于背场的TCO功函数越小越好,最佳范围是3.6~4.0 eV。另外研究表明,对于n型衬底的非晶硅/晶体硅异质结电池(HIT电池),与衬底背面与非晶硅的界面态(Dit2)相比,衬底前表面与非晶硅的界面态(Dit1)是影响电池性能的主要因素,并且Dit1和Dit2态中,与类施主态相比,对电池效率起到主要影响作用的都是类受主态。 展开更多

关键词 异质结 太阳能电池 模拟 功函数 缺陷密度

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SrTiO_3/TiO_2复合纳米薄膜的缺陷态 被引量：2

12

作者 万敏 张振龙 《济南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期124-127,共4页

采用电化学方法,研究SrTiO3/TiO2复合纳米结构电极和TiO2电极的缺陷态性质。结果表明:SrTiO3/TiO2复合电极和TiO2电极捕获的电子总量分别为0.84×1017cm-2和1.21×1017cm-2;两电极相比,SrTiO3/TiO2复合电极的缺陷态密度较小,可... 采用电化学方法,研究SrTiO3/TiO2复合纳米结构电极和TiO2电极的缺陷态性质。结果表明:SrTiO3/TiO2复合电极和TiO2电极捕获的电子总量分别为0.84×1017cm-2和1.21×1017cm-2;两电极相比,SrTiO3/TiO2复合电极的缺陷态密度较小,可减少光生电子和空穴的复合,增大光生载流子的浓度,增强复合材料的光活性。 展开更多

关键词 电化学 SrTiO3/TiO2复合电极 缺陷态密度 光活性

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构造实施缺陷预防系统,提高软件开发能力

13

作者 孟莉 何晓源 《计算机工程与科学》 CSCD 2006年第z2期154-156,共3页

缺陷预防系统是提高软件产品质量的一套行之有效的系统理论和方法.通过有效的构造并实施,可以大幅度提高软件产品的质量,提高软件企业的开发能力.本文介绍了实施缺陷预防系统所需要的组织结构、缺陷的定义和跟踪,以及全员的参与和企业... 缺陷预防系统是提高软件产品质量的一套行之有效的系统理论和方法.通过有效的构造并实施,可以大幅度提高软件产品的质量,提高软件企业的开发能力.本文介绍了实施缺陷预防系统所需要的组织结构、缺陷的定义和跟踪,以及全员的参与和企业文化的改变,并且通过东软集团的一个开发部门实际运行结果的验证. 展开更多

关键词 CMM软件能力成熟度模型 缺陷预防 关键过程域 组织标准软件过程 软件工程过程组 软件过程改善 缺陷密度

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基于源文件可疑度的软件缺陷定位方法研究

14

作者 陆皖麟 王枭 +1 位作者 冯超 武剑 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2019年第3期143-148,154,共7页

提出了基于缺陷数据分析的软件缺陷定位方法,研究新的源文件可疑度概念及其计算方法,可疑度由缺陷数据和源文件的相关度、源文件的易错程度共同决定,可疑度越高,作为缺陷修复对象的概率越大。选用开源项目中的缺陷数据进行实验,将提出... 提出了基于缺陷数据分析的软件缺陷定位方法,研究新的源文件可疑度概念及其计算方法,可疑度由缺陷数据和源文件的相关度、源文件的易错程度共同决定,可疑度越高,作为缺陷修复对象的概率越大。选用开源项目中的缺陷数据进行实验,将提出的定位方法与VSM、Bug Scout定位方法做对比,在Top N、MRR、MAP三项评估指标中有着较好的表现,实验结果说明了提出方法的有效性。 展开更多

关键词 缺陷定位 缺陷数据分析 度量元提取 缺陷密度预测

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8英寸SiC晶圆制备与外延应用 被引量：3

15

作者 韩景瑞 李锡光 +7 位作者 李咏梅 王垚浩 张清纯 李达 施建新 闫鸿磊 韩跃斌 丁雄杰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1712-1719,共8页

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一,近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升,其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸(1英寸=25.4 mm)晶圆为主,但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC晶圆... 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一,近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升,其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸(1英寸=25.4 mm)晶圆为主,但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC晶圆的下一代器件和芯片。本研究联合国内SiC产业链上、下游龙头企业,推进8英寸SiC芯片国产研发,尤其是关键的晶圆制备和外延应用环节。本文采用扩径生长法制备了8英寸导电型4H-SiC衬底晶圆,其平均基平面位错(BPD)密度低至251 cm^(-2),平均螺位错(TSD)密度小于1 cm^(-2),实现了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸导电型4H-SiC衬底晶圆的制备,可以满足生产需要。采用国产8英寸外延设备和开发工艺包,实现了速率为68.66μm/h的快速外延生长,厚度不均匀性为0.89%,掺杂不均匀性为2.05%,这两个指标已经达到了优良6英寸外延膜的水平,完全可以满足生产需要。与国外已发布的8英寸外延结果对比,厚度和掺杂均匀性均优于国外数据,而缺陷密度只有国外数据的1/4。本文设计和实施了多片重复性试验,验证了8英寸外延的稳定性。 展开更多

关键词 碳化硅 8英寸 晶圆 外延 缺陷密度 掺杂均匀性

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乙酸钾修饰界面用于高效稳定的钙钛矿太阳电池

16

作者 户立文 胡隆生 +1 位作者 杨亿凡 李国龙 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期51-58,共8页

使用乙酸钾(KAc)修饰电子传输层,正置结构的SnO_(2)/perovskite界面使用其具有的羧基和碱金属阳离子调节能级。研究发现,KAc薄膜的引入会对钙钛矿薄膜产生一定的表面陷阱钝化作用,表现出非辐射复合的减少以及体内和界面电荷复合的抑制... 使用乙酸钾(KAc)修饰电子传输层,正置结构的SnO_(2)/perovskite界面使用其具有的羧基和碱金属阳离子调节能级。研究发现,KAc薄膜的引入会对钙钛矿薄膜产生一定的表面陷阱钝化作用,表现出非辐射复合的减少以及体内和界面电荷复合的抑制。此外,调节钙钛矿晶体的生长,产生晶粒尺寸从450 nm增至600 nm且无针孔的钙钛矿薄膜,缺陷密度显著降低。结果表明,通过使用KAc来修饰电子传输层,可明显减少SnO_(2)电子传输层的缺陷及能级差;优化后的太阳电池效率提高7.63%,量子效率(IPCE)从87.3%增大到90.1%。 展开更多

关键词 钙钛矿太阳电池 结晶度 缺陷密度 乙酸钾

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基于Cs_(2)PtI_(6)的无铅双钙钛矿太阳电池性能数值研究

17

作者 甘永进 邱贵新 +1 位作者 覃斌毅 宁维莲 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第12期2517-2527,共11页

提出结构为FTO/SnO_(2)/Cs_(2)PtI_(6)/CuInS_(2)-QD/Au以及FTO/SnO_(2)/Cs_(2)PtI_(6)/GaAs-QD/Au的无铅Cs_(2)PtI_(6)基新型钙钛矿太阳电池。以Cs_(2)PtI_(6)双钙钛矿材料为光活性层,SnO_(2)为电子传输层,CuInS_(2)-QD和GaAs-QD分别... 提出结构为FTO/SnO_(2)/Cs_(2)PtI_(6)/CuInS_(2)-QD/Au以及FTO/SnO_(2)/Cs_(2)PtI_(6)/GaAs-QD/Au的无铅Cs_(2)PtI_(6)基新型钙钛矿太阳电池。以Cs_(2)PtI_(6)双钙钛矿材料为光活性层,SnO_(2)为电子传输层,CuInS_(2)-QD和GaAs-QD分别为空穴传输层构建器件结构。数值仿真结果表明,当背电极材料为Au,Cs_(2)PtI_(6)层厚度和缺陷态密度分别设置为800 nm和1016 cm^(−3),HTL掺杂浓度设置为1018 cm^(−3),Cs_(2)PtI_(6)层与HTL界面缺陷态密度设置为1012 cm^(−3),工作温度设置为300 K时,结构为FTO/SnO_(2)/Cs_(2)PtI_(6)/CuInS_(2)-QD/Au的电池器件输出特性为:Voc=1.16 V,Jsc=31.66 mA/cm^(2),FF=77.73%,PCE=28.52%。而结构为FTO/SnO_(2)/Cs_(2)PtI_(6)/GaAs-QD/Au的电池器件输出特性为:Voc=1.14 V,Jsc=31.66 mA/cm^(2),FF=81.36%,PCE=29.43%。与之前同类型的研究相比,所构建的Cs_(2)PtI_(6)基双钙钛矿太阳电池性能更佳,为新型无铅、高效的钙钛矿太阳电池的研究提供了一定的借鉴思路。 展开更多

关键词 钙钛矿太阳电池 数值仿真 背电极 厚度 缺陷态密度 温度

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基于RbGeI_(3)全无机钙钛矿太阳电池的数值分析

18

作者 胡伟霞 杨记鑫 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第11期2309-2314,共6页

为了开发高效稳定的新型太阳电池,采用SCAPS-1D软件,对以RbGeI_(3)为吸收层的全无机无铅钙钛矿太阳电池进行数值模拟,其电池结构为FTO/TiO_(2)/RbGeI_(3)/Spiro-OMeTAD/Au。影响电池性能的因素包括RbGeI_(3)吸收层厚度及缺陷态密度、掺... 为了开发高效稳定的新型太阳电池,采用SCAPS-1D软件,对以RbGeI_(3)为吸收层的全无机无铅钙钛矿太阳电池进行数值模拟,其电池结构为FTO/TiO_(2)/RbGeI_(3)/Spiro-OMeTAD/Au。影响电池性能的因素包括RbGeI_(3)吸收层厚度及缺陷态密度、掺杂浓度和金属背电极的功函数。通过数值模拟对这些参数进行了优化,提高了电池性能。结果表明:当RbGeI_(3)吸收层厚度为600 nm,缺陷态密度为1013 cm^(-3),RbGeI_(3)吸收层掺杂浓度为1017 cm^(-3),TiO_(2)和Spiro-OMeTAD掺杂浓度分别为1020和1017 cm^(-3)时,电池效率趋于稳定。基于以上参数,优化后的电池输出特性为:V_(oc)=0.92 V,J_(sc)=32.97 mA/cm^(2),FF=78.10%,hPCE=23.65%。研究表明RbGeI_(3)钙钛矿太阳电池具有成为新型高效光伏器件的潜力。 展开更多

关键词 钙钛矿太阳电池 能级分布 厚度 缺陷态密度 掺杂浓度 数值仿真

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SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响 被引量：3

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作者 杨莺 刘素娟 +3 位作者 陈治明 林生晃 李科 杨明超 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期294-297,共4页

为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于... 为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量。 展开更多

关键词 SiC籽晶 表面状态 腐蚀 抛光 缺陷密度

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ZnGeP_2晶体近红外吸收特性的研究 被引量：3

20

作者 夏士兴 杨春晖 +4 位作者 朱崇强 马天慧 王猛 雷作涛 徐斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1029-1033,共5页

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近... 采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷GeZn+和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷GeZn+. 展开更多

关键词 磷化锗锌 近红外吸收 缺陷密度 施主缺陷 受主缺陷

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