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(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究
被引量：
6
1
作者
李长鹏
王矜奉
+2 位作者
陈洪存
苏文斌
李明明
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2001年第5期362-365,共4页
研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电...
研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na+ 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2
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关键词
压敏材料
二氧化锡
电学性能
缺陷势垒模型
掺杂
压敏电阻器
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职称材料
(Zn,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电子特性
被引量：
4
2
作者
王勇军
陈洪存
+3 位作者
王矜奉
董火民
张沛霖
钟维烈
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2000年第4期259-261,共3页
依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地...
依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。
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关键词
压敏材料
缺陷势垒模型
二氧化锡
掺杂
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职称材料
稀土Ce对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏性能的影响
被引量：
1
3
作者
高琨
王矜奉
+2 位作者
陈洪存
亓鹏
高建鲁
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2003年第4期280-283,共4页
研究了掺Ce对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷样品具有最高的密度(ρ=6.71g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=413.6V/mm),最高的非线性系数(α=1...
研究了掺Ce对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷样品具有最高的密度(ρ=6.71g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=413.6V/mm),最高的非线性系数(α=13.8),最高的势垒电压和最窄的势垒厚度。为了解释样品电学非线性性质的起源,该文提出了SnO2·Co2O3·Nb2O5·CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析。试验测量与等效电路分析结果相符。
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关键词
压敏材料
二氧化锡
电学性能
缺陷势垒模型
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职称材料
题名
(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究
被引量：
6
1
作者
李长鹏
王矜奉
陈洪存
苏文斌
李明明
机构
山东大学物理系
济南大学物理系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2001年第5期362-365,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 5 0 0 72 0 13)
文摘
研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i+ 对 Sn4+ 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na+ 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2
关键词
压敏材料
二氧化锡
电学性能
缺陷势垒模型
掺杂
压敏电阻器
Keywords
varistors
tin oxide
lithium oxide
electrical properties
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
TM54 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
(Zn,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电子特性
被引量：
4
2
作者
王勇军
陈洪存
王矜奉
董火民
张沛霖
钟维烈
机构
山东大学物理系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2000年第4期259-261,共3页
基金
山东省自然科学基金资助项目
文摘
依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ２＋和Ｎｂ５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究，测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质。利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。
关键词
压敏材料
缺陷势垒模型
二氧化锡
掺杂
Keywords
varistor material
defect barrier model
nonlinear cofficient
barrier voltage
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
稀土Ce对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏性能的影响
被引量：
1
3
作者
高琨
王矜奉
陈洪存
亓鹏
高建鲁
机构
山东大学物理学院
济南市安太电子研究所
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2003年第4期280-283,共4页
基金
国家理科人才培养基地建设项目
文摘
研究了掺Ce对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现Ce4+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的致密度,掺入x(CeO2)为0.05的陶瓷样品具有最高的密度(ρ=6.71g/cm3),最高的视在势垒电场(EB=413.6V/mm),最高的非线性系数(α=13.8),最高的势垒电压和最窄的势垒厚度。为了解释样品电学非线性性质的起源,该文提出了SnO2·Co2O3·Nb2O5·CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析。试验测量与等效电路分析结果相符。
关键词
压敏材料
二氧化锡
电学性能
缺陷势垒模型
Keywords
varistors
tin oxide
electrical nonlinearity
barrier model
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究
李长鹏
王矜奉
陈洪存
苏文斌
李明明
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2001
6
在线阅读
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职称材料
2
(Zn,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电子特性
王勇军
陈洪存
王矜奉
董火民
张沛霖
钟维烈
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2000
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
稀土Ce对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏性能的影响
高琨
王矜奉
陈洪存
亓鹏
高建鲁
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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