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采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计
被引量:
1
1
作者
杭国强
聂莹莹
金心宇
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期421-426,共6页
提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的...
提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化,并可采用标准的双层多晶硅CMOS工艺予以实现。此外,这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。
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关键词
多值逻辑
浮栅金属氧化物半导体器件
控阈技术
编码-译码电路
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职称材料
题名
采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计
被引量:
1
1
作者
杭国强
聂莹莹
金心宇
机构
浙江大学信息与电子工程学系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期421-426,共6页
基金
浙江省自然科学基金资助项目(Y105124
Y106375)
文摘
提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化,并可采用标准的双层多晶硅CMOS工艺予以实现。此外,这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。
关键词
多值逻辑
浮栅金属氧化物半导体器件
控阈技术
编码-译码电路
Keywords
multiple
-
valued logic
floating
-
gate MOS device
threshold
-
controllable tech
-
nique
encoder
-
decoder circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计
杭国强
聂莹莹
金心宇
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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