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超声技术在石英光纤腐蚀中的运用
被引量：
7
1
作者
钟年丙
廖强
+2 位作者
朱恂
王永忠
陈蓉
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期988-995,共8页
为了获得光滑的腐蚀光纤表面并精确管理光纤的腐蚀直径,采用自行设计的超声腐蚀系统,在质量百分比浓度为12.5%的氢氟酸(HF)溶液中研究了超声功率和腐蚀温度对石英光纤包层、纤芯腐蚀速率以及腐蚀后光纤表面形貌的影响。研究表明:在HF溶...
为了获得光滑的腐蚀光纤表面并精确管理光纤的腐蚀直径,采用自行设计的超声腐蚀系统,在质量百分比浓度为12.5%的氢氟酸(HF)溶液中研究了超声功率和腐蚀温度对石英光纤包层、纤芯腐蚀速率以及腐蚀后光纤表面形貌的影响。研究表明:在HF溶液中,超声扰动有利于提高光纤的腐蚀速率,光纤腐蚀速率与腐蚀时间呈非线性关系,腐蚀表面随着腐蚀的进行越来越粗糙。基于研究结果,进一步采用质量百分比浓度为12.5%的HF溶液和25%的NH4OH溶液配制了缓冲氢氟酸(BHF)溶液,探讨了光纤腐蚀速率及表面形貌的变化,结果表明:在V(HF)∶V(NH4OH)=2的BHF溶液中,当超声功率为165W、腐蚀温度为40℃时,可获得光滑的腐蚀光纤表面和腐蚀速率与腐蚀时间的线性关系。
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关键词
超声扰动
石英光纤
缓冲氢氟酸
表面形貌
线性控制
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职称材料
MEMS结构在BOE中释放时气泡的产生与预防
2
作者
桑新文
张宝顺
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期715-718,共4页
微电子机械系统(MEMS)器件加工中,采用表面Si工艺和体Si工艺的混合工艺或MEMS SOI工艺,用SiO2的湿法腐蚀液缓冲氢氟酸(BOE)释放MEMS Si结构时将会出现一个新问题,阐述了该新问题的工作机理并给出可行的解决方法。以100 mm(4英寸)p型双...
微电子机械系统(MEMS)器件加工中,采用表面Si工艺和体Si工艺的混合工艺或MEMS SOI工艺,用SiO2的湿法腐蚀液缓冲氢氟酸(BOE)释放MEMS Si结构时将会出现一个新问题,阐述了该新问题的工作机理并给出可行的解决方法。以100 mm(4英寸)p型双面抛光Si片(100)替代MEMS器件Si结构,详细阐述了经过不同方法处理的Si片表面在不同温度下的BOE溶液以及加有表面活性剂的BOE溶液中是否产生气泡,并通过测量BOE溶液与Si片表面的接触角大小来衡量表面活性剂的效果。文章指出BOE溶液的温度、Si片表面的粗糙度以及表面活性剂的类型对气泡的产生具有很大的影响,同时指出阴性表面活性剂为抑制气泡产生的最佳表面活性剂。
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关键词
微电子机械系统
缓冲氢氟酸
气泡
表面活性剂
接触角
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职称材料
题名
超声技术在石英光纤腐蚀中的运用
被引量：
7
1
作者
钟年丙
廖强
朱恂
王永忠
陈蓉
机构
重庆大学低品位能源利用及系统教育部重点实验室
重庆大学工程热物理研究所
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期988-995,共8页
基金
国家杰出青年科学基金资助项目(No.50825602)
国家自然科学基金重点项目(No.51136007)
国家自然科学基金资助项目(No.50976130)
文摘
为了获得光滑的腐蚀光纤表面并精确管理光纤的腐蚀直径,采用自行设计的超声腐蚀系统,在质量百分比浓度为12.5%的氢氟酸(HF)溶液中研究了超声功率和腐蚀温度对石英光纤包层、纤芯腐蚀速率以及腐蚀后光纤表面形貌的影响。研究表明:在HF溶液中,超声扰动有利于提高光纤的腐蚀速率,光纤腐蚀速率与腐蚀时间呈非线性关系,腐蚀表面随着腐蚀的进行越来越粗糙。基于研究结果,进一步采用质量百分比浓度为12.5%的HF溶液和25%的NH4OH溶液配制了缓冲氢氟酸(BHF)溶液,探讨了光纤腐蚀速率及表面形貌的变化,结果表明:在V(HF)∶V(NH4OH)=2的BHF溶液中,当超声功率为165W、腐蚀温度为40℃时,可获得光滑的腐蚀光纤表面和腐蚀速率与腐蚀时间的线性关系。
关键词
超声扰动
石英光纤
缓冲氢氟酸
表面形貌
线性控制
Keywords
ultrasonic agitation
silica optical fiber
buffered HF acid
surface morphology
linear control
分类号
TN25 [电子电信—物理电子学]
TB559 [理学—声学]
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职称材料
题名
MEMS结构在BOE中释放时气泡的产生与预防
2
作者
桑新文
张宝顺
机构
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院研究生院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期715-718,共4页
文摘
微电子机械系统(MEMS)器件加工中,采用表面Si工艺和体Si工艺的混合工艺或MEMS SOI工艺,用SiO2的湿法腐蚀液缓冲氢氟酸(BOE)释放MEMS Si结构时将会出现一个新问题,阐述了该新问题的工作机理并给出可行的解决方法。以100 mm(4英寸)p型双面抛光Si片(100)替代MEMS器件Si结构,详细阐述了经过不同方法处理的Si片表面在不同温度下的BOE溶液以及加有表面活性剂的BOE溶液中是否产生气泡,并通过测量BOE溶液与Si片表面的接触角大小来衡量表面活性剂的效果。文章指出BOE溶液的温度、Si片表面的粗糙度以及表面活性剂的类型对气泡的产生具有很大的影响,同时指出阴性表面活性剂为抑制气泡产生的最佳表面活性剂。
关键词
微电子机械系统
缓冲氢氟酸
气泡
表面活性剂
接触角
Keywords
MEMS
BOE
bubbles
surfactant
contact angles
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超声技术在石英光纤腐蚀中的运用
钟年丙
廖强
朱恂
王永忠
陈蓉
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
7
在线阅读
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职称材料
2
MEMS结构在BOE中释放时气泡的产生与预防
桑新文
张宝顺
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
已选择
0
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