检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路被引量：2: 1; 作者韩绪冬孙鹏 +3 位作者邹铭锐王宇雷牛富丽曾正《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期7240-7253,共14页; 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和... 展开更多; 关键词碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管锆钛酸铅压电陶瓷缓冲吸收电路定量设计模型温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

适用于复杂电路分析的IGBT模型被引量：48: 2; 作者邓夷赵争鸣 +2 位作者袁立强胡斯登王雪松《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第9期1-7,共7页; 推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概... 展开更多; 关键词绝缘栅双极性晶体管模型 PSIM 开关特性缓冲吸收电路并联运行; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成门极换向晶闸管开关特性被引量：6: 3; 作者兰志明李崇坚 +2 位作者绳伟辉王成胜朱春毅《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期93-97,共5页; 新型开关器件集成门极换向晶闸管(IGCT)由于其优越的性能在中高压大功率多电平变流器系统中逐渐得到广泛应用。在电力电子仿真软件PSIM中实现的一种适用于高压大功率变流仿真的IGCT功能模型的基础上,建立了IGCT单管实验的仿真模型,分析... 展开更多; 关键词 IGCT 功能模型 PSIM 杂散电感缓冲吸收电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于阻尼系数的PEF系统输出方波波形特性影响因素: 4; 作者张若兵刘怀宇 +1 位作者张星董广奇《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期2464-2471,共8页; 高压脉冲电场技术是一种新型的非热食品加工处理技术,其对输出脉冲参数有着严格的要求。基于IEEE脉冲变压器等值参数模型,研究了双极性脉冲方波脉冲电场技术（PEF）系统的阻尼系数与脉冲输出方波波形特性的关系,重点考察了负载阻抗、回... 展开更多; 关键词 PEF 脉冲变压器阻尼系数脉冲方波波形特性 RCD缓冲吸收电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路被引量：2: 1; 作者韩绪冬孙鹏邹铭锐王宇雷牛富丽曾正; 机构输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学); 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期7240-7253,共14页; 基金国家自然科学基金项目(52177169) 重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2022ycjh-bgzxm0155) 重庆市研究生科研创新项目(CYS22023)。; 文摘在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和工作温度对吸收电路性能的影响,限制缓冲吸收电路的应用。针对这些问题,该文提出一种基于锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)压电陶瓷的缓冲吸收电路,分析PZT的温度特性,通过建立半桥电路与PZT缓冲吸收电路的高精度交互模型,揭示PZT缓冲吸收电路与SiC器件的耦合规律,利用特征方程-根轨迹方法,定量刻画PZT缓冲吸收电路的参数设计域。对比评估工作温度对多种缓冲吸收电路性能的影响。实验结果表明,所提设计方法能很好地抑制关断电压过冲与振荡,验证设计方法的有效性。相较于传统RC缓冲吸收电路,PZT缓冲吸收电路在工作温度发生变动后,仍然具有很好的抑制效果,且抑制效果随工作温度的上升而不断增强。为SiC功率器件的暂态稳定性分析,以及功率模块和缓冲吸收电路的集成设计,提供有益的参考。; 关键词碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管锆钛酸铅压电陶瓷缓冲吸收电路定量设计模型温度特性; Keywords silicon carbide(SiC)metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) lead zirconate titanate(PZT)piezoelectric ceramic snubber circuit quantitative design model temperature characteristic; 分类号 TM131.2 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名适用于复杂电路分析的IGBT模型被引量：48: 2; 作者邓夷赵争鸣袁立强胡斯登王雪松; 机构电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系); 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第9期1-7,共7页; 基金国家自然科学基金项目(50737002 50707015)~~; 文摘推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程,并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数,并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。; 关键词绝缘栅双极性晶体管模型 PSIM 开关特性缓冲吸收电路并联运行; Keywords insulated model PSIM switching paralleled operation gate bipolar transistor （IGBT） characteristic snubber circuit; 分类号 TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成门极换向晶闸管开关特性被引量：6: 3; 作者兰志明李崇坚绳伟辉王成胜朱春毅; 机构冶金自动化研究设计院中国科学院电工研究所; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第7期93-97,共5页; 文摘新型开关器件集成门极换向晶闸管(IGCT)由于其优越的性能在中高压大功率多电平变流器系统中逐渐得到广泛应用。在电力电子仿真软件PSIM中实现的一种适用于高压大功率变流仿真的IGCT功能模型的基础上,建立了IGCT单管实验的仿真模型,分析了IGCT开关特性,特别是该电路中各种杂散参数和缓冲吸收电路中各元件参数对IGCT关断过程的影响,为实际的基于IGCT器件的大功率多电平变流器系统的结构设计和控制提供了重要的理论根据和指导。; 关键词 IGCT 功能模型 PSIM 杂散电感缓冲吸收电路; Keywords IGCT, functional model, PSIM, stray inductance, snubber circuit; 分类号 TM215.4 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于阻尼系数的PEF系统输出方波波形特性影响因素: 4; 作者张若兵刘怀宇张星董广奇; 机构清华大学深圳研究生院; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期2464-2471,共8页; 基金国家自然科学基金(51177082) 深圳市科技计划(JCYJ20130402145002399) 清洁生产重点实验室(筹)提升计划~~; 文摘高压脉冲电场技术是一种新型的非热食品加工处理技术,其对输出脉冲参数有着严格的要求。基于IEEE脉冲变压器等值参数模型,研究了双极性脉冲方波脉冲电场技术（PEF）系统的阻尼系数与脉冲输出方波波形特性的关系,重点考察了负载阻抗、回路寄生参数等对系统阻尼系数的影响。理论和试验研究发现：负载阻抗越小,系统阻尼系数越大,脉冲上升时间越大;回路寄生参数影响系统上升阶段阻尼系数σrsys,输出方波上升时间增大;箝位式RCD缓冲吸收电路改变了系统分布参数能量释放通道,系统下降阶段阻尼系数σfsys减小,输出方波下降时间增大。由此可见,系统阻尼系数对PEF系统输出方波波形特性有着重要的影响,因而对于PEF系统输出方波波形优化,需基于系统阻尼系数综合考虑波形特性影响因素的作用。; 关键词 PEF 脉冲变压器阻尼系数脉冲方波波形特性 RCD缓冲吸收电路; Keywords pulsed electric fields pulse transformer damping coefficient square pulse waveform characteristic RCDbuffer absorbing circuit; 分类号 TS205 [轻工技术与工程—食品科学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路	韩绪冬孙鹏邹铭锐王宇雷牛富丽曾正	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	适用于复杂电路分析的IGBT模型	邓夷赵争鸣袁立强胡斯登王雪松	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2010	48	在线阅读下载PDF 职称材料
3	集成门极换向晶闸管开关特性	兰志明李崇坚绳伟辉王成胜朱春毅	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于阻尼系数的PEF系统输出方波波形特性影响因素	张若兵刘怀宇张星董广奇	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料