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高稳定性ZnO∶Ga/InGaN异质结微型绿光发光二极管
被引量：
1
1
作者
林毅
周雷
+2 位作者
范宝路
于彦龙
徐春祥
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1965-1973,共9页
绿光光源可广泛应用于固态照明、可见光通信、电子显示、光遗传学等领域。相比于蓝光LED,高性能低维绿色发光器件的设计与制备受限于绿光效率低(Green gap)和高注入电流下效率下降(Efficiency droop)两个主要问题的困扰。本文采用化学...
绿光光源可广泛应用于固态照明、可见光通信、电子显示、光遗传学等领域。相比于蓝光LED,高性能低维绿色发光器件的设计与制备受限于绿光效率低(Green gap)和高注入电流下效率下降(Efficiency droop)两个主要问题的困扰。本文采用化学气相沉积方法(CVD)生长镓掺杂的氧化锌微米线(ZnO∶Ga MW),结合p型InGaN衬底制备了n-ZnO∶Ga MW/p-InGaN异质结发光二极管。该器件的输出波长为540 nm,半峰宽约为32 nm,在相对较大的注入电流下,器件发光峰位、半峰宽等发光特征参数没有明显的变化,且相对外量子效率(REQE)在较大电流下呈现出相对较小的下降,体现了较高的发光稳定性。此外,利用金纳米薄膜改善了ZnO∶Ga微米线与InGaN衬底间的接触,实现了结区界面的优化,成功提高了发光二极管的发光强度。实验结果表明,采用n-ZnO∶Ga微米线结合p-InGaN衬底构筑的异质结可用于制备高稳定性高亮度的微型绿光发光二极管。
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关键词
绿光发光二极管
金纳米薄膜
镓掺杂氧化锌微米线
铟镓氮
相对外量子效率
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职称材料
GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
2
作者
张李骊
刘战辉
+3 位作者
钟霞
修向前
张荣
谢自力
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期51-56,62,共7页
详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米...
详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。
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关键词
绿光发光二极管
(LED)
镓掺杂氧化锌(GaZnO)薄膜
发光
效率
透明导电层(TCL)
多量子阱(MQW)
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职称材料
用荧光粉转换方法制备纯绿色LED
被引量：
5
3
作者
蒋大鹏
赵成久
+3 位作者
侯凤勤
刘学彦
申德振
范希武
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期311-313,共3页
采用荧光粉转换的方法制备了纯绿色LED ,所制备的纯绿光LED的发光峰值在 5 2 0nm ,其半峰宽约为 30nm ,法向光强为 6 0 0mcd。
关键词
荧
光
粉转换
纯
绿
色LED
纯
绿光发光二极管
紫
光
发光
二极管
制备方法
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职称材料
题名
高稳定性ZnO∶Ga/InGaN异质结微型绿光发光二极管
被引量：
1
1
作者
林毅
周雷
范宝路
于彦龙
徐春祥
机构
淮阴工学院数理学院
东南大学生物科学与医学工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1965-1973,共9页
基金
国家自然科学基金(11604114)资助项目。
文摘
绿光光源可广泛应用于固态照明、可见光通信、电子显示、光遗传学等领域。相比于蓝光LED,高性能低维绿色发光器件的设计与制备受限于绿光效率低(Green gap)和高注入电流下效率下降(Efficiency droop)两个主要问题的困扰。本文采用化学气相沉积方法(CVD)生长镓掺杂的氧化锌微米线(ZnO∶Ga MW),结合p型InGaN衬底制备了n-ZnO∶Ga MW/p-InGaN异质结发光二极管。该器件的输出波长为540 nm,半峰宽约为32 nm,在相对较大的注入电流下,器件发光峰位、半峰宽等发光特征参数没有明显的变化,且相对外量子效率(REQE)在较大电流下呈现出相对较小的下降,体现了较高的发光稳定性。此外,利用金纳米薄膜改善了ZnO∶Ga微米线与InGaN衬底间的接触,实现了结区界面的优化,成功提高了发光二极管的发光强度。实验结果表明,采用n-ZnO∶Ga微米线结合p-InGaN衬底构筑的异质结可用于制备高稳定性高亮度的微型绿光发光二极管。
关键词
绿光发光二极管
金纳米薄膜
镓掺杂氧化锌微米线
铟镓氮
相对外量子效率
Keywords
green LED
Au nano-film
Ga doped ZnO microwire
InGaN
relative external quantum efficiency(REQE)
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
2
作者
张李骊
刘战辉
钟霞
修向前
张荣
谢自力
机构
南京信息工程大学物理与光电工程学院
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期51-56,62,共7页
基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(21203098)
文摘
详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。
关键词
绿光发光二极管
(LED)
镓掺杂氧化锌(GaZnO)薄膜
发光
效率
透明导电层(TCL)
多量子阱(MQW)
Keywords
green light-emitting diode（LED）
Ga-doped ZnO film（GaZnO）
emission efficiency
transparent conductive layer（TCL）
multiple quantum well（MQW）
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用荧光粉转换方法制备纯绿色LED
被引量：
5
3
作者
蒋大鹏
赵成久
侯凤勤
刘学彦
申德振
范希武
机构
中国科学院激发态物理开放研究实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期311-313,共3页
基金
吉林省科技发展计划基金资助项目 (2 0 0 10 3 0 2 )
文摘
采用荧光粉转换的方法制备了纯绿色LED ,所制备的纯绿光LED的发光峰值在 5 2 0nm ,其半峰宽约为 30nm ,法向光强为 6 0 0mcd。
关键词
荧
光
粉转换
纯
绿
色LED
纯
绿光发光二极管
紫
光
发光
二极管
制备方法
Keywords
phosphors
pure green LED
violet LE
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高稳定性ZnO∶Ga/InGaN异质结微型绿光发光二极管
林毅
周雷
范宝路
于彦龙
徐春祥
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
张李骊
刘战辉
钟霞
修向前
张荣
谢自力
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
用荧光粉转换方法制备纯绿色LED
蒋大鹏
赵成久
侯凤勤
刘学彦
申德振
范希武
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
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职称材料
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