O471.1 2003021498半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理=Scaling of hydrogenic impurity binding energy andVirial theorem in semiconductor quantum wells and wires[刊,中]/刘建军(河北师范大学物理学院,石家庄(...O471.1 2003021498半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理=Scaling of hydrogenic impurity binding energy andVirial theorem in semiconductor quantum wells and wires[刊,中]/刘建军(河北师范大学物理学院,石家庄(050016)),苏会…//半导体学报.—2002,23(9).—925-929利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值。计算结果表明的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值,而不必考虑截面的形状和尺寸;体系的维里定理值并不等于常数,而是随杂质有效玻尔半径变化,在阱宽较小和较大时,维里定理值均趋于2。图4表1参15(方舟)展开更多
文摘O471.1 2003021498半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理=Scaling of hydrogenic impurity binding energy andVirial theorem in semiconductor quantum wells and wires[刊,中]/刘建军(河北师范大学物理学院,石家庄(050016)),苏会…//半导体学报.—2002,23(9).—925-929利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值。计算结果表明的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值,而不必考虑截面的形状和尺寸;体系的维里定理值并不等于常数,而是随杂质有效玻尔半径变化,在阱宽较小和较大时,维里定理值均趋于2。图4表1参15(方舟)
