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大截面高压电缆导体交流电阻的优化被引量：25: 1; 作者邓显波欧阳本红 +2 位作者孔祥海赵健康夏荣《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期522-527,共6页; 由于集肤效应的影响,大截面高压电缆导体的交流电阻远大于直流电阻,不仅会导致电缆线路的载流能力降低,还会产生更大的线路损耗。为解决该问题,通过分析电缆导体集肤效应的产生原理和影响因素,探索降低导体交流电阻的措施,试制了不同设... 展开更多; 关键词电缆导体交流电阻集肤效应导体结构单线绝缘电压电流相位差法; 在线阅读下载PDF 职称材料

CuSO_4电解液中XLPE电缆绝缘老化的试验研究被引量：3: 2; 作者豆朋文习山王洪新《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期58-60,共3页; 在实验室中利用水针法加速老化试验了浸在CuSO4电解液中的XLPE电缆试样,测量电缆绝缘电阻并观察电缆表面发现,CuSO4溶液中电缆树枝老化发展较快,但在老化过程中极性效应明显,且在针孔缺陷处有许多棕红色树枝状物质。物理和能谱分析确定... 展开更多; 关键词 XLPE 电缆老化绝缘电阻极性效应电化学树水树; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性被引量：13: 3; 作者李智威李化 +5 位作者杨佩原林福昌陈耀红刘德王博闻张钦《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第9期274-280,共7页; 金属化聚丙烯膜电容器(MPPFC)是脉冲功率电源系统中的常用储能单元,应用于高场强的MPPFC电压降落现象显著。介质泄漏是降低储能效率的重要因素,绝缘电阻提供了泄漏的路径。本文以MPPFC为对象,通过测量其的绝缘电阻来研究的泄漏特性。测... 展开更多; 关键词电容器金属化聚丙烯膜泄漏绝缘电阻poole-frenkel效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型部分耗尽SOI器件体接触结构: 4; 作者宋文斌毕津顺韩郑生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期968-971,共4页; 提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小... 展开更多; 关键词绝缘体上硅浮体效应体接触寄生电容体电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大截面高压电缆导体交流电阻的优化被引量：25: 1; 作者邓显波欧阳本红孔祥海赵健康夏荣; 机构中国电力科学研究院国网湖北省电力公司; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期522-527,共6页; 文摘由于集肤效应的影响,大截面高压电缆导体的交流电阻远大于直流电阻,不仅会导致电缆线路的载流能力降低,还会产生更大的线路损耗。为解决该问题,通过分析电缆导体集肤效应的产生原理和影响因素,探索降低导体交流电阻的措施,试制了不同设计结构的导体样品,并采用电压电流相位差法对样品进行交流电阻测量研究。结果表明:截面积为800 mm2的电缆分割导体的交流电阻比紧压圆形结构降低了约7.5%;截面积≤1 600 mm2的瓦楞形分割导体与扇形分割导体的交流电阻相差不大;采用单线绝缘可以有效降低交流电阻,其中漆包单线比氧化单线对交流电阻的降低效果更明显,但前者的生产成本和安装成本更高;对于紧压圆形和分割导体,同向绞合均比异向绞合结构更能有效降低交流电阻,适当提高紧压系数和增加单线根数也均能降低交流电阻。; 关键词电缆导体交流电阻集肤效应导体结构单线绝缘电压电流相位差法; Keywords cable conductor AC resistance skin effect conductor structure wire insulation voltage-current phase-difference method; 分类号 TM75 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CuSO_4电解液中XLPE电缆绝缘老化的试验研究被引量：3: 2; 作者豆朋文习山王洪新; 机构武汉大学电气工程学院; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期58-60,共3页; 文摘在实验室中利用水针法加速老化试验了浸在CuSO4电解液中的XLPE电缆试样,测量电缆绝缘电阻并观察电缆表面发现,CuSO4溶液中电缆树枝老化发展较快,但在老化过程中极性效应明显,且在针孔缺陷处有许多棕红色树枝状物质。物理和能谱分析确定生成物有单质铜和铜的硫化物、氧化物等;最后分析了水树生长过程中的电化学机理。; 关键词 XLPE 电缆老化绝缘电阻极性效应电化学树水树; Keywords XLPE cable aging insulation resistance polarity effect electrochemical tree water tree; 分类号 TM247 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性被引量：13: 3; 作者李智威李化杨佩原林福昌陈耀红刘德王博闻张钦; 机构华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室中国兵器科学研究院; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第9期274-280,共7页; 基金特高压工程技术(昆明广州)国家工程实验室开放基金资助项目; 文摘金属化聚丙烯膜电容器(MPPFC)是脉冲功率电源系统中的常用储能单元,应用于高场强的MPPFC电压降落现象显著。介质泄漏是降低储能效率的重要因素,绝缘电阻提供了泄漏的路径。本文以MPPFC为对象,通过测量其的绝缘电阻来研究的泄漏特性。测试结果表明MPPFC的等效绝缘电阻对场强极其敏感,随着场强增加,等效绝缘电阻急剧减小。结晶度显著影响薄膜的等效绝缘电阻。结合Poole-Frenkel效应的等效绝缘电阻计算结果表明,影响等效绝缘电阻的关键参数是电场强度、电导率和Poole-Frenkel效应系数,本文等效绝缘电阻计算值与测试结果吻合。; 关键词电容器金属化聚丙烯膜泄漏绝缘电阻poole-frenkel效应; Keywords Capacitor, metallized polypropylene film, leakage, insulation resistance, poole-frenkeleffect; 分类号 TM315 [电气工程—电机]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型部分耗尽SOI器件体接触结构: 4; 作者宋文斌毕津顺韩郑生; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期968-971,共4页; 文摘提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且,该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下,通过适当的增加Si膜厚度的方法减小体引出电阻,从而更有效地抑制了浮体效应。; 关键词绝缘体上硅浮体效应体接触寄生电容体电阻; Keywords SOI （Si on insulator） floating body effect body contact parasitic capacitance body resistance; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	大截面高压电缆导体交流电阻的优化	邓显波欧阳本红孔祥海赵健康夏荣	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	25	在线阅读下载PDF 职称材料
2	CuSO_4电解液中XLPE电缆绝缘老化的试验研究	豆朋文习山王洪新	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同场强下金属化聚丙烯膜电容器泄漏特性	李智威李化杨佩原林福昌陈耀红刘德王博闻张钦	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2013	13	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型部分耗尽SOI器件体接触结构	宋文斌毕津顺韩郑生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料