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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:1
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作者 付永升 任海鹏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2774-2785,I0021,共13页
为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr... 为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybrid switch,SiC/Si HyS)的可靠性与适用性,该文提出一种可变驱动电压的SiC/Si HyS栅极驱动电路结构,采用一路脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)控制信号和一个驱动芯片产生不同电压幅值的栅极控制信号,分别控制SiC/Si HyS中的SiC-MOSFET和Si-IGBT。相比于传统采用2个独立驱动电路的SiC/Si HyS驱动结构,该驱动电路大幅度降低SiC/Si HyS栅极驱动电路的复杂度,降低SiC-MOSFET关断过程中Si-IGBT误导通的可能性,提升混合开关的工作可靠性。该文首先分析所设计驱动电路工作原理,给出驱动电压调节方法;其次,建立耦合电容端电压纹波和系统启动时电容端电压暂态数学模型,通过仿真和实验验证模型准确性;搭建2 kW的SiC/Si混合开关Buck电路,验证该文所提混合开关驱动电路可行性,从SiC/Si HyS功率器件关断损耗、驱动电路功率损耗、成本以及体积4个方面分析所提驱动结构的优势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 驱动电路 耦合电容
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弧焊逆变电源本脉冲反馈控制
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作者 田松亚 陈丽华 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期83-84,96,共3页
由于IGBT(Insulatedgatebipolartransistor)较其它电力电子器件开关频率高、载流容量大、开通损耗小、饱和压降低等优点 ,已逐渐成为逆变焊机的主流 ,为了提高IGBT逆变电源的可靠性 ,设计了本脉冲反馈技术的控制电路 ,该电路实现整个电... 由于IGBT(Insulatedgatebipolartransistor)较其它电力电子器件开关频率高、载流容量大、开通损耗小、饱和压降低等优点 ,已逐渐成为逆变焊机的主流 ,为了提高IGBT逆变电源的可靠性 ,设计了本脉冲反馈技术的控制电路 ,该电路实现整个电弧负载变化范围内焊接电流的无超调快速控制 ,既可满足焊接静特性和动特性要求 ,又可保证逆变弧焊电源的可靠性。本电路适用于单端正激式。 展开更多
关键词 弧焊逆变电源 绝缘栅极双极晶体管 反馈控制 逆变焊机 IGBT
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电动汽车用IGBT及逆变器的电磁兼容性分析 被引量:22
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作者 郭彦杰 王丽芳 廖承林 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1732-1737,共6页
为了抑制电动汽车中的电磁干扰,提高整车的稳定性和安全性,建立了包含杂散参数的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和三相电压型脉宽调制(PWM)逆变器的等效电路模型,计算得到了IGBT对周边设备的干扰传播增益;并通过仿真和实车实验分析了电动... 为了抑制电动汽车中的电磁干扰,提高整车的稳定性和安全性,建立了包含杂散参数的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和三相电压型脉宽调制(PWM)逆变器的等效电路模型,计算得到了IGBT对周边设备的干扰传播增益;并通过仿真和实车实验分析了电动汽车用逆变器差模电压和共模电流干扰的时域、频域特征以及IGBT开关过程、PWM控制策略和干扰传播路径阻抗对干扰特性的影响。得出如下结论:逆变器的差模干扰主要是由IGBT开关过程和PWM控制策略所决定;逆变器的共模干扰本质上是由三相PWM脉冲之和不为0所引起,并且更多的受干扰传播路径阻抗特性的影响。上述模型和结论为整车电磁兼容性分析和干扰抑制打下了良好的基础。 展开更多
关键词 电磁兼容 电磁干扰 绝缘栅极晶体管 等效电路模型 杂散参数 逆变器 电动汽车
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