绝缘栅型功率开关器件栅极驱动主动控制技术综述 被引量：11

1

作者 朱义诚 赵争鸣 +2 位作者 施博辰 鞠佳禾 虞竹珺 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2082-2092,共11页

近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极... 近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极驱动主动控制技术的研究现状。在此基础上,从控制策略的设计、控制稳定性的分析、控制参数自适应调整能力、多功能集成以及宽禁带器件的主动控制方法等方面对当前的热点问题进行分析阐释。最后,围绕该技术有待研究的问题进行了讨论,并对其发展趋势做出展望。 展开更多

关键词 栅极驱动主动控制 绝缘栅型功率开关器件 驱动电路 开关瞬态过程 开关特性

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10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制 被引量：12

2

作者 甘孔银 汤宝寅 +5 位作者 王浪平 王小峰 王松雁 卢和平 黎明 朱剑豪 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1033-1036,共4页

　采用8只IXLF19N250A绝缘栅双极型晶体管串联研制成功了10kV固体开关。试验表明:该固体开关最高输出电压为14kV,最高输出脉冲电流为20A、输出脉冲宽度可在2112μs之间以1μs步长变化,脉冲重复频率范围为1Hz4kHz,短时间可以工作到8.6kHz。

关键词 绝缘栅双极型晶体管 固体开关 串联

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场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型 被引量：7

3

作者 唐勇 陈明 +1 位作者 汪波 凌晨 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第30期54-60,共7页

新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避... 新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上,根据FS型IGBT的结构特点和工作机制,在场终止层内采用了大注入的假设条件,同时考虑基区内载流子的复合作用,提出了一种改进的FS型开关瞬态模型。通过2种模型仿真波形与实测波形的比较,验证了该模型具有更高的准确性。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 场终止结构 开关瞬态模型

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高压大功率IGBT器件绝缘结构的电场计算研究综述 被引量：2

4

作者 刘招成 崔翔 +2 位作者 李学宝 马楚萱 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期214-230,I0018,共18页

随着高压直流输电技术的发展,高压大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而,在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中,器件内部局部放电现... 随着高压直流输电技术的发展,高压大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而,在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中,器件内部局部放电现象乃至击穿现象频繁发生,给器件绝缘设计带来巨大挑战。要想实现良好器件绝缘设计,就需要获得器件内部的电场分布,因此实现器件内部电场的准确计算至关重要。文中全面回顾器件内部绝缘结构的建模和计算方法的发展历程,从封装绝缘电场计算、芯片绝缘电场计算以及芯片和封装绝缘耦合电场计算3个方面介绍相关研究的发展历程、适用范围以及相应的不足,最后展望未来器件内绝缘结构电场计算的发展方向。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管器件绝缘 封装结构 芯片终端 电场计算模型 边值问题

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高温功率循环下绝缘栅双极型晶体管失效特征及机理分析 被引量：9

5

作者 陈明 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期119-126,共8页

结合绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块结构和工作的不同阶段,分析了IGBT失效类型及其失效机理。深入分析了影响IGBT工作寿命的3种封装失效类型及失效机理。高结温、大温度梯度极端工作方式下主要的封装失效类型是键合引线失效,由某一根或... 结合绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块结构和工作的不同阶段,分析了IGBT失效类型及其失效机理。深入分析了影响IGBT工作寿命的3种封装失效类型及失效机理。高结温、大温度梯度极端工作方式下主要的封装失效类型是键合引线失效,由某一根或几根过载引起电流分配不均引发,失效前压降大,热阻基本不变。通过分析得到IGBT模块的寿命值近似服从Weibull分布。实验过程中结合各类显微镜和红外热像仪得出的失效特征分布规律表明:经过功率循环后的芯片表面中心区域、边缘绝缘保护环原胞结构均由规则点阵变化为点阵中出现小的黑圈、空穴、裂纹,变得不再规则;各物理层接触面间的缺陷由芯片向下呈递减趋势;IGBT模块各物理层不平整度由基板向上呈递减趋势。通过实际实验发现,可将压降的突变位置作为IGBT可靠性评估的标准。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率循环 失效 键合引线 焊料层

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逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展 被引量：2

6

作者 张广银 沈千行 +3 位作者 张须坤 田晓丽 卢烁今 朱阳军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页

逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优... 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。 展开更多

关键词 功率器件 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT) 反向阻断 隔离技术 终端 混合隔离

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新型功率MOS器件的结构与性能特点 被引量：5

7

作者 华伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第7期27-30,36,共5页

电力电子器件的结构决定其性能，而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理，分析比较了近十年来１０种实用的具有新结构的功率ＭＯＳ器件的结构与性能特点。

关键词 电力电子器件 绝缘栅双极晶体管 功率MOSFET 场效应晶体管

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GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续) 被引量：3

8

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期81-87,共7页

2．3大栅宽器件 大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用，2009年报道了栅宽为20mm的5A／1100V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用旧引，器件特点是，栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。

关键词 功率开关器件 GAN 功率变换 微尺度 升压变换器 等离子处理 场板结构 栅宽

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半导体GaN功率开关器件的结构改进 被引量：1

9

作者 杨媛媛 《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期186-192,共7页

因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象,业界一直以进一步发挥GaN性能为目的展开研究,GaN材料的全面实用化应用也面临... 因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象,业界一直以进一步发挥GaN性能为目的展开研究,GaN材料的全面实用化应用也面临着性能稳定性的挑战。为此,提出一种新的半导体GaN功率开关器件结构改进方法。由于集电极-发射极击穿电压和饱和压降是衡量器件可靠性的重要指标,因此采用绝缘栅混合阳极二极管取代平面肖特基势垒二极管,解决集电极-发射集击穿电压和饱和压降输出不合理的问题。改进结构后的器件阳极由肖特基栅极和欧姆阳极金属短接组成,阴极为欧姆金属;改进器件的制作主要采用隔离、钝化、凹槽刻蚀和介质淀积等工艺,更好地实现了功率开关和功率转换功能。经仿真结果的分析可知:改进结构后的功率开关器件能有效减少反向饱和漏电状况,且改进器件的温度与电压、比导通电阻成正比,高温性能良好。 展开更多

关键词 绝缘栅混合阳极二极管 GaN功率开关 欧姆金属 饱和压降

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压接型IGBT器件短路失效管壳爆炸特性及防护方法 被引量：1

10

作者 周扬 唐新灵 +5 位作者 王亮 张晓伟 代安琪 林仲康 金锐 魏晓光 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期2350-2361,I0023,共13页

压接型绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为现有柔性直流输电设备的核心部件,在实际应用中,由于承受高电压、大电流的工作环境,容易发生短路过流失效,进而造成的结构爆炸现象。为研究这一爆炸现象的破坏效... 压接型绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为现有柔性直流输电设备的核心部件,在实际应用中,由于承受高电压、大电流的工作环境,容易发生短路过流失效,进而造成的结构爆炸现象。为研究这一爆炸现象的破坏效应及其防护,该文结合多组模拟模块化多电平工况实验,得到IGBT器件短路过流失效爆炸后外壳结构的变形特征。结合电气能量特性的分析和实际爆炸失效形貌特点,建立该IGBT器件结构的数值仿真模型,初步确定实际爆炸过程中的等效TNT爆炸当量。在此基础上,从提高结构自身抗爆能力、增加能量外泄通道、替换结构材料等角度开展IGBT器件的结构优化设计,并进行相关试验验证。结果表明,将管壳的陶瓷材料替换为纤维增强复合材料可有效提高结构的防爆性能,降低器件的破坏程度。 展开更多

关键词 压接型绝缘栅双极性晶体管器件 短路失效 爆炸特性 防爆 仿真

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1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计 被引量：1

11

作者 郑婷婷 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期310-315,329,共7页

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、... 为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。 展开更多

关键词 精细沟槽栅结构 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) TCAD仿真 元胞结构 器件性价比

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碳化硅功率器件技术综述与展望 被引量：116

12

作者 盛况 任娜 徐弘毅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1741-1752,共12页

碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶... 碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。 展开更多

关键词 碳化硅 功率器件 二极管 结型场效应晶体管 金氧半场效晶体管 绝缘栅双极型晶体管 门极可断晶闸管

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IGBT模块的开关暂态模型及损耗分析 被引量：104

13

作者 毛鹏 谢少军 许泽刚 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第15期40-47,共8页

总结了绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的功率管及反并联二极管开关暂态过程的主要特征,建立了相应的开关模型,并在此基础上得到了损耗分析模型。建立的开关模型充分考虑了导通电流对开关暂态过程的影... 总结了绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的功率管及反并联二极管开关暂态过程的主要特征,建立了相应的开关模型,并在此基础上得到了损耗分析模型。建立的开关模型充分考虑了导通电流对开关暂态过程的影响,利用该模型可准确再现任意一个开关周期的开关暂态电压、电流波形,为功率变换器的损耗分析奠定了基础。该模型不仅适用于DC/DC变换器,而且适用于相邻开关周期内开关管导通电流不相等的变换器,如AC/DC和DC/AC变换器。采用Simulink/Stateflow对开关暂态过程及损耗模型进行了仿真,仿真与实验结果对比证实了所提出的开关模型和损耗模型的正确性。 展开更多

关键词 损耗分析 模型 开关暂态 绝缘栅双极型晶体管 波形拟合

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IGBT开关瞬态的温度特性与电热仿真模型 被引量：25

14

作者 唐勇 汪波 陈明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期146-153,共8页

由于半导体的材料特性随温度的变化发生改变,采用硅材料制造的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性受温度的影响也十分显著,开关瞬态过程将随温度发生较大变化。针对不同温度下的开关过程开展了测试实验,发现IGBT的开通与关断瞬态具有... 由于半导体的材料特性随温度的变化发生改变,采用硅材料制造的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作特性受温度的影响也十分显著,开关瞬态过程将随温度发生较大变化。针对不同温度下的开关过程开展了测试实验,发现IGBT的开通与关断瞬态具有不同的温度特性,根据实验现象对IGBT的开关过程进行了分析,得出IGBT开关瞬态的温度特性主要是受载流子寿命影响的结论。对IGBT电热模型的基本原理以及现有模型方法进行了分析,根据实验中得出的结论,提出了一种改进的IGBT电热模型。基于该模型对IGBT关断时的电流拖尾过程以及整个开关瞬态过程开展了电热仿真分析,通过仿真波形与实测波形的比较,验证了实验中得出的结论以及该模型的准确性。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 开关瞬态 温度特性 电热模型 仿真研究

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基于IGBT栅极米勒平台的新型电流过载检测技术 被引量：7

15

作者 李新昌 徐大伟 +2 位作者 朱弘月 程新红 俞跃辉 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期156-162,共7页

通过对基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）栅极米勒平台的新型电流过载检测技术的研究,首先从理论上分析了感性负载功率转换电路中IGBT栅极米勒平台的形成机理,给出理想条件下米勒平台电压V（GE,MP）与集电极电流IC的关系;其次设计了IGBT... 通过对基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）栅极米勒平台的新型电流过载检测技术的研究,首先从理论上分析了感性负载功率转换电路中IGBT栅极米勒平台的形成机理,给出理想条件下米勒平台电压V（GE,MP）与集电极电流IC的关系;其次设计了IGBT栅极米勒平台电压测量系统实现对VGE,MP的精确测量,并对VGE,MP与IC的关系进行了实验验证。最后,根据IC与VGE,MP的正相关关系,设计了应用于IGBT功率转换器的电流过载检测电路。当IC高于IGBT功率转换器额定电流时,VGE,MP高于额定电流对应的IGBT的米勒平台电压,本电路通过实时监测IGBT米勒平台电压实现电流过载检测。分别利用仿真和实验的手段对该新型电流过载检测技术的可行性和可靠性进行了验证。实验结果表明,IGBT集电极电流IC在2.8～50 A的范围内,检测系统稳定有效,最大检测误差为±0.85 A。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 米勒平台 功率转换器 过载检测

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功率器件IGBT串联的移相控制技术 被引量：8

16

作者 付志红 苏向丰 周雒维 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期113-116,共4页

IGBT器件在电力装置中得到广泛应用 ,用IGBT串联提高装置对超单管耐压电源的控制是切实可行的 ,关键问题要解决IGBT串联的静态均压和动态过压问题。提出用并联电阻的办法解决静态均压问题 ;用移相控制技术 ,通过对主电源分级 ,对各级电... IGBT器件在电力装置中得到广泛应用 ,用IGBT串联提高装置对超单管耐压电源的控制是切实可行的 ,关键问题要解决IGBT串联的静态均压和动态过压问题。提出用并联电阻的办法解决静态均压问题 ;用移相控制技术 ,通过对主电源分级 ,对各级电源移相控制 ,实现主电源的分级接入和撤离 ,解决主控电路中IGBT的动态过压问题。文中讨论了IGBT串联电路的耐压、移相角度等参数的确定办法 ,分析了该技术对开关极限频率、输出波形的影响以及存在的问题。 展开更多

关键词 功率器件 IGBT 串联 动态过压 移相控制 耐压能力 绝缘栅双极晶体管 静态过压 耐压控制

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采用逆阻型IGBT的零电流开关PWM电流源型半桥变换器 被引量：6

17

作者 肖华锋 谢少军 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第31期110-114,共5页

电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖... 电流源型半桥变换器(current-fed half-bridge converter,CFHB)由于变压器漏感的存在引起了开关管关断电压尖峰。为解决这个问题,该文提出一种新的ZCS PWM CFHB变换器,主功率器件选用逆阻型IGBT(RB-IGBT)可以彻底消除主功率管的电压尖峰和有效减小谐振电流峰值。该文详细分析了这种新型变换器的工作原理和特性,并在一个600W的原理样机上进行验证,最后给出试验结果。 展开更多

关键词 电流源型半桥变换器 零电流开关 逆阻型绝缘栅 双极性晶体管

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基于多层级模拟的压接型IGBT器件短路失效机理分析 被引量：4

18

作者 李辉 余越 +3 位作者 姚然 赖伟 向学位 李金元 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期2392-2403,共12页

压接型绝缘栅双极晶体管(press pack insulated gate bipolar transistor,PP-IGBT)器件具有功率密度高、短路失效等优势,已被广泛应用于柔性直流输电换流阀中。现有压接型IGBT器件短路失效研究主要基于宏观测试结果,难以揭示由微观材料... 压接型绝缘栅双极晶体管(press pack insulated gate bipolar transistor,PP-IGBT)器件具有功率密度高、短路失效等优势,已被广泛应用于柔性直流输电换流阀中。现有压接型IGBT器件短路失效研究主要基于宏观测试结果,难以揭示由微观材料失效诱发器件短路失效的机理,该文基于圧接型IGBT器件短路测试结果,提出压接型IGBT器件短路失效机理的多层级模拟方法。首先,搭建短路冲击实验平台,基于短路实验获取失效发生条件与失效芯片;其次,建立压接型IGBT宏观器件——介观元胞模型,研究圧接型IGBT器件短路失效时器件–元胞复合应力变化规律;最后,建立微观元胞铝–硅界面分子动力学模型,分析短路失效发生条件,揭示短路失效机理,并提出芯片失效部位相对概率分布。结果表明,短路工况下芯片靠近栅极的有源区边角是最容易发生失效的薄弱区域,铝、硅材料失效是导致压接型IGBT器件短路失效的直接原因。 展开更多

关键词 压接型绝缘栅双极晶体管器件 短路失效 多层级模拟 失效机理

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大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用 被引量：27

19

作者 周文鹏 曾嵘 +5 位作者 赵彪 陈政宇 刘佳鹏 白睿航 吴锦鹏 余占清 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2940-2956,共17页

全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强... 全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强栅极晶体管(injection enhanced gate transistor,IEGT)为代表的晶体管类器件。文中首先介绍并比较IGCT与IGBT(含IEGT)的芯片结构及制作工艺,然后分析对比IGCT与IGBT(含IEGT)的工作原理及封装形式。接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等9个角度出发,系统性分析不同全控型压接式器件的工作特性,最后对其应用现状及前景进行概述及展望。 展开更多

关键词 压接式器件 绝缘栅型双极晶体管 注入增强栅极晶体管 集成门极换流晶闸管 直流电网 大容量电力电子

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高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制 被引量：1

20

作者 袁剑峰 杨柏梁 +8 位作者 朱永福 李牧菊 刘传珍 吴渊 廖燕平 王刚 邵喜斌 刘宏武 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第3期181-186,共6页

介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ ... 介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。 展开更多

关键词 HTFT 开关器件 有源层 栅绝缘层 液晶显示器

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