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绝缘栅双极晶体管串联应用中暂态均压特性 被引量：1
1
作者 徐旭哲 严萍 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期186-190,共5页
采用金属球隙放电的方式模拟了负载短路时的暂态过程。通过引线自感公式计算法和电路状态分析法估算脉冲放电回路的杂散电感数值,并采用传统RCD均压网络的绝缘栅双极晶体管串联链进行各元件参数差异下的蒙特卡罗仿真分析,发现影响串联... 采用金属球隙放电的方式模拟了负载短路时的暂态过程。通过引线自感公式计算法和电路状态分析法估算脉冲放电回路的杂散电感数值,并采用传统RCD均压网络的绝缘栅双极晶体管串联链进行各元件参数差异下的蒙特卡罗仿真分析,发现影响串联链暂态均压特性的关键元件是栅极稳压二极管和动态均压电容。因此为了提高这类拓扑结构的串联链的可靠性,在筛选元件时要尤其注意栅极稳压二极管的限幅保持一致。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管串联 暂态均压 SABER仿真 蒙特卡罗分析
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高精度固态调制器绝缘栅双极晶体管驱动电路 被引量：1
2
作者 石秀倩 何大勇 +3 位作者 李飞 甘楠 牟雅洁 李京祎 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期120-128,共9页
加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的... 加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的性能直接影响IGBT的开关特性,最终影响脉冲电压质量,尤其是驱动电路的导通抖动指标,这是影响脉冲电压精度的关键因素之一。根据加法器式固态调制器中IGBT的工作特性,以提高脉冲电压精度为目标,对驱动电路进行研究。分析了开关抖动对输出电压精度的影响,介绍了设计原理,研制了驱动电路板,并利用放电模块对其工作性能进行了实验测试。测试结果表明,该款驱动电路的导通抖动为300 ps,相比1 ns的商用驱动电路抖动压缩至1/3,在1 kV充电电压下,放电模块在0.5Ω的负载上放电,形成上升时间为500 ns、导通抖动峰、峰值在5 ns以下的脉冲电压,当发生退饱和故障时,驱动电路能够在4μs时间内关断IGBT,该款驱动电路满足高精度固态调制器的工作要求。 展开更多
关键词 固态调制器 脉冲电压精度 绝缘栅双极晶体管 栅极驱动电路 导通抖动
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绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究 被引量：19
3
作者 甘孔银 汤宝寅 +4 位作者 王小峰 王浪平 王松雁 朱剑豪 武洪臣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期954-956,共3页
　采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联,对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究;通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下,串联IGBT开关工作性能稳定,重复性好。在纯... 　采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联,对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究;通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下,串联IGBT开关工作性能稳定,重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约1 64μs、峰值电压1.8kV的输出。 展开更多
关键词 串联 IGBT 固体开关 绝缘栅双极晶体管 加速器 瞬态电压平衡
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10kV绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制 被引量：12
4
作者 甘孔银 汤宝寅 +5 位作者 王浪平 王小峰 王松雁 卢和平 黎明 朱剑豪 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1033-1036,共4页
　采用8只IXLF19N250A绝缘栅双极型晶体管串联研制成功了10kV固体开关。试验表明:该固体开关最高输出电压为14kV,最高输出脉冲电流为20A、输出脉冲宽度可在2112μs之间以1μs步长变化,脉冲重复频率范围为1Hz4kHz,短时间可以工作到8.6kHz。
关键词 绝缘栅双极型晶体管 固体开关 串联
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绝缘栅双极型晶体管失效机理与寿命预测模型分析 被引量：38
5
作者 陈明 胡安 刘宾礼 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期65-71,共7页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要失效机理,特别是键合引线失效过程,采用高速红外热成像仪对键合引线失效过程的结温温度场分布实时探测试验,同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控,发现IGBT在高结温与高温度梯度时主要的失效形式是... 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要失效机理,特别是键合引线失效过程,采用高速红外热成像仪对键合引线失效过程的结温温度场分布实时探测试验,同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控,发现IGBT在高结温与高温度梯度时主要的失效形式是键合引线翘曲与熔化,在外部特性上表现为集射极压降值增大,而热阻基本不变.提出了提高器件可靠性、延长使用寿命的方法.在加速寿命试验原理的基础上,通过开展高温下的功率循环测试,并对试验数据进行拟合,得到了加入电流等级和最高工作结温的改进寿命预测模型.通过试验数据误差分析对比,发现该模型精度较原有模型在不同测试条件下均有提高,适用范围从80 K拓宽到100K. 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 失效机理 寿命预测模型 键合引线
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绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究 被引量：11
6
作者 陈明 胡安 +1 位作者 唐勇 汪波 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期70-76,共7页
建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果... 建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值.利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测. 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 短时脉冲 结温特性 温度分布 电热耦合
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绝缘栅双极型晶体管的研究进展 被引量：7
7
作者 张金平 李泽宏 +2 位作者 任敏 陈万军 张波 《中国电子科学研究院学报》 2014年第2期111-119,共9页
作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历... 作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。 展开更多
关键词 功率半导体器件 绝缘栅双极型晶体管 研究进展
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究 被引量：12
8
作者 郝润科 杨一波 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2004年第3期283-285,共3页
介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求,结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论,并给出了一些典型电路以供大家参考.
关键词 绝缘栅双极型晶体管 驱动 保护
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逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展 被引量：2
9
作者 张广银 沈千行 +3 位作者 张须坤 田晓丽 卢烁今 朱阳军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优... 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。 展开更多
关键词 功率器件 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT) 反向阻断 隔离技术 终端 混合隔离
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动与保护 被引量：8
10
作者 史平君 《火控雷达技术》 1996年第3期26-31,共6页
在介绍IGBT结构原理及特点的基础上,讨论了设计IGBT驱动电路应考虑的问题和IGBT的过压和过流保护技术.在大功率高压开关电源中的应用证明,所设计的驱动保护电路性能良好.
关键词 绝缘栅 双极性晶体管 驱动电路 过压过流保护
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)充电器的原理及分析
11
作者 陆地 秦祖荫 《长安大学学报（建筑与环境科学版）》 CAS 2003年第3期66-69,共4页
介绍了 IGBT的发展状况以及采用 IGBT为逆变器主元件所组成的充电器 ,并对电路的组成和基本工作原理进行了详细的理论分析 ,且进行了相应的仿真和实验验证 .给出了实验用样机和系统的实验曲线 .该装置具有体积小、重量轻、工作频率高等... 介绍了 IGBT的发展状况以及采用 IGBT为逆变器主元件所组成的充电器 ,并对电路的组成和基本工作原理进行了详细的理论分析 ,且进行了相应的仿真和实验验证 .给出了实验用样机和系统的实验曲线 .该装置具有体积小、重量轻、工作频率高等显著的特点 .实验表明 ,该系统具有良好的输出响应特性 ,并且提高了充电器的效率 .实验结果进一步验证了理论分析和系统方案的正确性 . 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 充电器 逆变 静电敏感器件 电路结构
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高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路 被引量：6
12
作者 邢达 高迎慧 严萍 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期239-243,共5页
高频化是提升电源功率密度的有效方法。为了保护高频电容器充电电源中的开关器件,以串联谐振式电容器充电电源为基础,研究了绝缘栅双极晶体管(IGBT)尖峰电压的产生机理及影响因素。介绍了几种抑制尖峰电压的方法,着重分析了IGBT吸收电... 高频化是提升电源功率密度的有效方法。为了保护高频电容器充电电源中的开关器件,以串联谐振式电容器充电电源为基础,研究了绝缘栅双极晶体管(IGBT)尖峰电压的产生机理及影响因素。介绍了几种抑制尖峰电压的方法,着重分析了IGBT吸收电路的基本原理,并进行了参数设计。结合仿真软件,对吸收电路的参数进行了优化,将仿真结果和40 kW,50 kHz电容器充电电源样机的实验结果进行对比,验证了提出方案的可行性。 展开更多
关键词 电容器充电电源 吸收电路 尖峰电压 绝缘栅双极晶体管 逆变器 高频电源
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广州地铁增购列车的辅助系统充电机绝缘栅双极型晶体管爆裂故障分析及整改措施 被引量：2
13
作者 张三多 卢勇 +1 位作者 段玉玲 程婷 《城市轨道交通研究》 北大核心 2015年第3期136-138,共3页
对广州地铁1、2、8号线增购列车在调试工作中发现的辅助系统充电机绝缘栅双极型晶体管(IGBT)爆裂故障原因进行了分析,对充电机控制逻辑及工作原理进行了深入研究。指出了故障原因是充电器控制逻辑有缺陷,并提出了相应的整改措施。
关键词 广州地铁 辅助系统 充电机 绝缘栅双极型晶体管 爆裂故障 整改措施
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高温功率循环下绝缘栅双极型晶体管失效特征及机理分析 被引量：9
14
作者 陈明 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期119-126,共8页
结合绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块结构和工作的不同阶段,分析了IGBT失效类型及其失效机理。深入分析了影响IGBT工作寿命的3种封装失效类型及失效机理。高结温、大温度梯度极端工作方式下主要的封装失效类型是键合引线失效,由某一根或... 结合绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块结构和工作的不同阶段,分析了IGBT失效类型及其失效机理。深入分析了影响IGBT工作寿命的3种封装失效类型及失效机理。高结温、大温度梯度极端工作方式下主要的封装失效类型是键合引线失效,由某一根或几根过载引起电流分配不均引发,失效前压降大,热阻基本不变。通过分析得到IGBT模块的寿命值近似服从Weibull分布。实验过程中结合各类显微镜和红外热像仪得出的失效特征分布规律表明:经过功率循环后的芯片表面中心区域、边缘绝缘保护环原胞结构均由规则点阵变化为点阵中出现小的黑圈、空穴、裂纹,变得不再规则;各物理层接触面间的缺陷由芯片向下呈递减趋势;IGBT模块各物理层不平整度由基板向上呈递减趋势。通过实际实验发现,可将压降的突变位置作为IGBT可靠性评估的标准。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率循环 失效 键合引线 焊料层
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微机控制的绝缘栅双极晶体管逆变二氧化碳焊机
15
作者 张卫军 董俊明 史维祥 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1201-1204,共4页
阐述了一种额定电流为 4 0 0A、引入了微机控制的新型逆变二氧化碳焊机的研制实施方案 .在对逆变理论和微机控制技术进行研究的基础上 ,采用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)作为功率开关器件 ,主电路选择双全桥结构以满足大功率输出的需要 ,并... 阐述了一种额定电流为 4 0 0A、引入了微机控制的新型逆变二氧化碳焊机的研制实施方案 .在对逆变理论和微机控制技术进行研究的基础上 ,采用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)作为功率开关器件 ,主电路选择双全桥结构以满足大功率输出的需要 ,并对送丝系统进行了改造 ,以适应微控系统的要求 .控制系统以 80 31单片机为核心 ,应用脉宽调制方式 ,经系统扩展和系统配置构成 ,成功地实现了平特性配合等速送丝 .应用微机控制 ,简化了系统硬件 ,提高了系统的控制性能 ,而且软件设计灵活 ,容易扩展功能 .试验结果表明 ,所研制的焊机工艺性能良好 ,在最佳焊接规范条件下飞溅率基本控制在 3%以下 。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 二氧化碳焊机 逆变 微机控制 焊接质量
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1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取 被引量：2
16
作者 陆戴 王文杰 +2 位作者 王庆珍 于平平 姜岩峰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期434-439,共6页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度. 展开更多
关键词 场终止型绝缘栅双极晶体管 双极扩散方程 物理模型
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绝缘栅双极晶体管的并联应用及保护技术 被引量：1
17
作者 汤灿明 《电子技术应用》 北大核心 1995年第4期39-43,46,共6页
叙述了绝缘栅双极晶体管的概况、特性及并联应用的栅驱动设计、均流、散热设计应考虑的问题.介绍了几种并联应用时采用的栅驱动电路、均流措施、过压过流保护电路.
关键词 绝缘栅双极晶体管 并联应用 栅驱动 均流 保护电路
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逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真 被引量：1
18
作者 杨坤进 汪德文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期517-520,529,共5页
仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"... 仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"折回效应"的影响。用"MOSFET+pin二极管"等效电路模型分析了仿真结果中得到的结论。结果表明,Ln/Lp与n-漂移区厚度对"折回效应"幅度影响显著。在n-漂移区厚度为60μm时,Ln/Lp尺寸比例在5/11和2/14(μm/μm)之间,"折回效应"幅度较低,并且反向二极管具有导通能力,可以成为对应RC-NPT-IGBT的工艺窗口;在n-漂移区厚度达到150μm时,"折回效应"接近消失,Ln/Lp尺寸比例可以有更宽的选择。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 非穿通型(NPT) 逆向导通(RC) “折回效应” 电导调制效应
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轨道交通绝缘栅双极型晶体管模块封装材料的制备技术及其显微组织研究
19
作者 范明保 王永亮 +3 位作者 黄林 肖宇 张力 邢大伟 《城市轨道交通研究》 北大核心 2022年第2期120-122,共3页
作为电气系统组件,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块在轨道交通领域有着广泛应用。封装材料的性能直接影响IGBT模块的使用寿命和稳定性。Al-50%Si合金是IGBT模块较为理想的封装材料。采用粉末冶金结合双向分级热压致密化成型工艺,制备了Al-... 作为电气系统组件,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块在轨道交通领域有着广泛应用。封装材料的性能直接影响IGBT模块的使用寿命和稳定性。Al-50%Si合金是IGBT模块较为理想的封装材料。采用粉末冶金结合双向分级热压致密化成型工艺,制备了Al-50%Si合金材料。使用OM、SEM方法(扫描电子显微镜)分析热压态及热处理态合金的显微组织。结果表明,在烧结温度为720℃且保温50 min后,能够获得Si相尺寸与分布控制较好的合金;在热扩散温度为540℃,扩散处理3.5 h后,能够有效熔断纤维状与细针状共晶硅。 展开更多
关键词 轨道交通 绝缘栅双极型晶体管模块 封装材料 制备技术 显微组织
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基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用 被引量：4
20
作者 张浩 李俊 +5 位作者 赵婷婷 郭爱英 李痛快 茅帅帅 原理 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期451-460,共10页
随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重... 随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al2O3为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层对TFT器件的影响。其中,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52 cm^2/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×10^7的高开关比。同时,器件还表现出优异的稳定性:栅极±5 V偏压1 h阈值电压波动最小仅为0.09 V以及优良的150 mm×150 mm大面积分布均一性。实现了TFT器件的低工作电压和高稳定性。最后,以该TFT器件为基础设计了共源极放大器,得到14 dB的放大增益。 展开更多
关键词 a-IGZO薄膜晶体管 Al2O3栅绝缘层 原子层沉积 共源极放大器
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