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SOI(绝缘体上硅)的采用日趋活跃 被引量:1
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作者 志成 《电子产品世界》 2004年第05A期97-97,88,共2页
关键词 soi 绝缘体上 半导体生产 微处理器
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全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介 被引量:1
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作者 赵晓松 顾祥 +2 位作者 张庆东 吴建伟 洪根深 《电子与封装》 2022年第6期77-85,共9页
随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FD... 随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小。功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FDSOI)技术被进一步研发和产品化。对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结。FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品。FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向。 展开更多
关键词 全耗尽绝缘层 超薄埋氧 体偏置
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绝缘体上硅(SOI)
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《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期226-226,共1页
SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术,这种基板由以下三层构成:薄的单晶硅顶层,在其上形成蚀刻电路;相当薄的绝缘SiO2中间层;非常厚的体型Si衬底层。
关键词 绝缘体上 SIO2 机械支撑 基板 工程化 soi 单晶 中间层 体型 衬底 蚀刻
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Soitec最新应变绝缘硅技术可提高电子迁移率80%
4
《集成电路应用》 2004年第12期50-50,共1页
法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术,据称能将芯片设计的电子迁移率提... 法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术,据称能将芯片设计的电子迁移率提升80%。 展开更多
关键词 电子迁移率 绝缘 技术 soi工艺 soi技术 芯片设计 CM SA公司 提升 法国
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合晶科技完成双面抛光与绝缘层硅晶圆开发
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《集成电路应用》 2005年第8期23-23,共1页
合晶科技前不久宣布完成双面抛光(Double Side Polishing)硅晶圆,与绝缘层硅晶圆(SOI,Silicon on Insulatorl开发,成为我国台湾地区第一家提供相关硅晶圆的上游原材料公司。
关键词 晶圆 双面抛光技术 绝缘层晶圆 半导体器件 合晶科技公司
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绝缘硅成本不受材料限制薄膜SOI未来增长潜力巨大
6
《电子工业专用设备》 2006年第6期16-17,共2页
根据市场调研机构Semico Research日前发布的报告,绝缘硅(SOI)的增长势头将不会受限于材料成本,这与通常的看法相反。随着半导体工艺技术向纳米阶段发展,绝缘硅的价格实际上可能比块状硅(bulk silicon)还低,使之成为具有成本效... 根据市场调研机构Semico Research日前发布的报告,绝缘硅(SOI)的增长势头将不会受限于材料成本,这与通常的看法相反。随着半导体工艺技术向纳米阶段发展,绝缘硅的价格实际上可能比块状硅(bulk silicon)还低,使之成为具有成本效益和吸引力的解决方案。 展开更多
关键词 材料成本 绝缘 薄膜soi 市场调研 工艺技术 成本效益 半导体 吸引力
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多孔硅及其在SOI技术中的应用研究 被引量:1
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作者 黄宜平 李爱珍 +1 位作者 汤庭熬 鲍敏杭 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期18-19,共2页
对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用n-/n+/n-掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于100μm、硅膜单晶性好、硅膜厚度为200nm到几μm范围的多孔氧化硅SOI材料。用该材料研制的新型SOI/半导体压力... 对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用n-/n+/n-掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于100μm、硅膜单晶性好、硅膜厚度为200nm到几μm范围的多孔氧化硅SOI材料。用该材料研制的新型SOI/半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。 展开更多
关键词 多孔 soi 压力传感器
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体硅、SOI和SiCMOS器件高温特性的研究 被引量:5
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作者 冯耀兰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期7-14,共8页
首先介绍了体硅 MOS器件在 2 5~ 30 0℃范围高温特性的实测结果和分析 ,进而给出了薄膜 SOI MOS器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析 ,最后介绍了国际有关报道的Si C MOS器件在 2 2~ 4 50℃范围的高温特性。在上述研究的基础... 首先介绍了体硅 MOS器件在 2 5~ 30 0℃范围高温特性的实测结果和分析 ,进而给出了薄膜 SOI MOS器件在上述温度范围的高温特性模拟结果和分析 ,最后介绍了国际有关报道的Si C MOS器件在 2 2~ 4 50℃范围的高温特性。在上述研究的基础上 ,提出了体硅、SOI和 Si C 展开更多
关键词 绝缘层 碳化 MOS器件
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
9
作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体 绝缘 soi 栅氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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SOI硅膜层中的缺陷观察
10
作者 刘安生 邹具羚 袁建民 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期189-189,共1页
单晶Si衬底上沉积一层非晶绝缘的SiO_2膜,再在SiO_2膜上沉积一多晶硅层,经区熔再结晶处理后,形成单晶硅膜。这种结构的材料称为SOI(Silicon on Insulator)·SOI材料用于集成电路时具有许多优点,它速度高、集成度高、抗辐照和抗Latch... 单晶Si衬底上沉积一层非晶绝缘的SiO_2膜,再在SiO_2膜上沉积一多晶硅层,经区熔再结晶处理后,形成单晶硅膜。这种结构的材料称为SOI(Silicon on Insulator)·SOI材料用于集成电路时具有许多优点,它速度高、集成度高、抗辐照和抗Latch-up效应,也可以用于制备高压器件和敏感器件的集成电路,对于上述应用,要求Si膜中无缺陷。因此,采用热沉和厚度调制结构(图1),使缺陷限定于预先确定的区域,而在其余的区域得到无缺陷的SOI材料。当快速再结晶工艺选择不当时,在Si膜的各处都可能出现缺陷,我们使用横断面制样技术观察了石墨棒快速区熔无籽晶生长的再结晶硅膜中的缺陷(图2)。观察到的几种缺陷是亚晶界、位错和微孪晶·偶尔也观察到大角晶界。 展开更多
关键词 soi 膜层 缺陷 半导体材料
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高温薄膜SOIMOS器件硅膜厚度的设计考虑
11
作者 冯耀兰 《电子器件》 CAS 1997年第4期21-24,共4页
根据薄膜SOIMOS器件的特点和高温应用的特殊考虑,采用计算机模拟技术,得出最大耗尽层宽度xdmax和衬底掺杂浓度NB及温度T的关系曲线。研究结果表明,在常温下xdmax随NB的增大而减小,当NB一定时,xdmax随... 根据薄膜SOIMOS器件的特点和高温应用的特殊考虑,采用计算机模拟技术,得出最大耗尽层宽度xdmax和衬底掺杂浓度NB及温度T的关系曲线。研究结果表明,在常温下xdmax随NB的增大而减小,当NB一定时,xdmax随温度的升高而减小。因此,为满足薄膜器件的硅膜厚度dSi小于xdmax的条件及高温应用的特殊要求。 展开更多
关键词 高温薄膜 soi MOS 薄膜电路
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硅基光电子学中的SOI材料
12
作者 陈媛媛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期943-947,共5页
SOI材料是近年来应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。本文首先简要介绍了常见的SOI材料的制备方法,包括注氧隔离(SIMOX-SOI)、硅键合背面腐蚀(BE-SOI)和注氢智能剥离(Smart Cut)等,并比较了它们各自的特点和优劣。其次介绍了... SOI材料是近年来应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。本文首先简要介绍了常见的SOI材料的制备方法,包括注氧隔离(SIMOX-SOI)、硅键合背面腐蚀(BE-SOI)和注氢智能剥离(Smart Cut)等,并比较了它们各自的特点和优劣。其次介绍了SOI材料加工制造波导的基本工艺,包括光刻和刻蚀,其中刻蚀又分为干法刻蚀和湿法腐蚀。 展开更多
关键词 光电子学 soi 光波导材料 光波导器件
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21世纪的硅基材料——SOI
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作者 崔朝宏 《电子工艺技术》 2000年第2期57-59,共3页
介绍了SOI材料的发展及主要制备技术 ,对其应用前景也作了详尽论述。
关键词 基材料 制备技术 soi
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
14
作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上(soi) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
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作者 王永维 黄柯月 +2 位作者 温恒娟 陈浪涛 周锌 《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。 展开更多
关键词 soi LDMOS 绝缘体上 功率器件 击穿电压 阈值电压
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硅中注H^+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析 被引量:1
16
作者 张苗 林成鲁 +3 位作者 陈立凡 王鲁闽 K.Gutjahr U.M.Gosele 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期181-187,共7页
将中等剂量的H+注入到硅单晶中,并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构... 将中等剂量的H+注入到硅单晶中,并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构进行了分析。研究表明,智能剥离SOI是一种可通过较简单的工艺获得高质量SOI材料的新途径。 展开更多
关键词 离子注入 智能剥离 soi 半导体膜材料
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对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
17
作者 杨胜齐 何进 +1 位作者 黄如 张兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1605-1608,共4页
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的... 本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的Kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。 展开更多
关键词 异型 厚膜全耗尽soi KINK效应 集成电路 厚膜器件
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超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT
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作者 陈文锁 张培建 钟怡 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期509-513,555,共6页
提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计... 提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 绝缘体上(soi) 浅槽隔离(STI) 横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 负微分电阻(NDR) 功率集成电路
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热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响
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作者 李培仪 刘东 +3 位作者 雷程 梁庭 党伟刚 罗后明 《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期170-176,共7页
采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后... 采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后数据进行对比。结果表明,300℃加电老化情况下,芯片稳定输出的时间为12h,且老化后芯片的各项指标均有改善。在温度允许范围内,适当的老化温度可以使芯片达到稳定输出状态,提升工作效率的同时为优化SOI基压阻芯片的老化时间提供了参考。 展开更多
关键词 传感器 绝缘体上(soi)基压阻芯片 正装芯片 倒装芯片 老化
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SOI——新一代硅材料
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作者 林成鲁 《集成电路应用》 2003年第1期76-80,共5页
SOI是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是"二十一世纪的微电子技术"、"新一代硅"。本文综述了SOI的特点,国际SOI技术应用动态,... SOI是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是"二十一世纪的微电子技术"、"新一代硅"。本文综述了SOI的特点,国际SOI技术应用动态,国内SOI技术应用动态,SOI技术国内研究状况与上海的优势,以及建议实现上海和我国在SOI领域跳跃式发展。五年内,实现4—8英寸SOI材料产业化,建成国际先进水平的国家级SOI材料和器件创新研究、开发基地,形成集科研、开发、生产为一体的高新技术产业。 展开更多
关键词 soi 材料 绝缘层 集成电路
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