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考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型
1
作者
张峰源
刘凡宇
+5 位作者
李博
李彬鸿
张旭
罗家俊
韩郑生
张青竹
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期438-443,共6页
建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等...
建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。
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关键词
绝缘体
上鳍
(
foi
)
鳍
式场效应晶体管(FinFET)
电流模型
背栅偏置
耦合效应
耦合系数
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职称材料
题名
考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型
1
作者
张峰源
刘凡宇
李博
李彬鸿
张旭
罗家俊
韩郑生
张青竹
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
中国科学院硅器件技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第6期438-443,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61874135,11905287)。
文摘
建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。
关键词
绝缘体
上鳍
(
foi
)
鳍
式场效应晶体管(FinFET)
电流模型
背栅偏置
耦合效应
耦合系数
Keywords
fin-on-insulator(
foi
)
fin field effect transistor(FinFET)
current model
back-gate bias
coupling effect
coupling coefficient
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型
张峰源
刘凡宇
李博
李彬鸿
张旭
罗家俊
韩郑生
张青竹
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
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