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题名SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究
被引量：2
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作者
陈越政
钱钦松
孙伟锋
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机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期54-57,共4页
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文摘
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。
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关键词
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
电流增益β
n型缓冲层
漂移区长度
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Keywords
SOI-LIGBT
current gain β
n-buffer
drift length
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
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题名超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT
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作者
陈文锁
张培建
钟怡
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机构
重庆中科渝芯电子有限公司
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期509-513,555,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61404013)
重庆市基础与前沿研究计划(一般)资助项目(cstc2013jcyj A40060)
重庆市博士后研究人员科研项目特别资助项目(xm2014085)
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文摘
提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。该新结构器件整体构建在顶硅层厚度为1μm、介质层厚度为2μm的SOI材料上,其阳极采用STI和p+埋层结构设计。新器件STI-SOI-LIGBT的制造方法可以采用半导体工艺生产线常用的带有浅槽隔离工艺的功率集成电路加工技术,关键工艺的具体实现步骤也进行了讨论。器件+电路联合仿真实验说明:新器件STISOI-LIGBT完全消除了正向导通过程中的负微分电阻现象,与常规结构LIGBT相比,正向压降略微增加6%,而关断损耗大幅降低86%。此外,对关键参数的仿真结果说明新器件还具有工艺容差大的设计优点。新器件STI-SOI-LIGBT非常适用于SOI基高压功率集成电路。
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关键词
绝缘体上硅(SOI)
浅槽隔离(STI)
横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)
负微分电阻(nDR)
功率集成电路
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Keywords
silicon on insulator（SOI）
shallow trench isolation（STI）
lateral insulated gate bipolar transistor（LIGBT）
negative differential resistance（nDR）
power IC
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
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