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绝缘体上硅（SOI）: 1; 《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期226-226,共1页; SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，这种基板由以下三层构成：薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路；相当薄的绝缘SiO2中间层；非常厚的体型Si衬底层。; 关键词绝缘体上硅 SIO2 机械支撑基板工程化 soi 单晶硅中间层体型衬底蚀刻; 在线阅读下载PDF 职称材料

热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响: 2; 作者李培仪刘东 +3 位作者雷程梁庭党伟刚罗后明《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期170-176,共7页; 采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后... 展开更多; 关键词传感器绝缘体上硅(soi)基压阻芯片正装芯片倒装芯片老化; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI基底上制备的用于检测机器人手指接触力的微压阻式力传感器: 3; 作者范若欣赖丽燕李以贵《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1232-1239,共8页; 为了使工业机器人可以稳定、高效地完成夹持任务,设计并制备了三种不同结构的微压阻式力传感器。利用热氧化、硼扩散掺杂、光刻、反应离子刻蚀、物理气相沉积和阳极键合等微电子机械系统(MEMS)加工工艺在绝缘体上硅(SOI)基底上制备出了... 展开更多; 关键词压阻式力传感器微电子机械系统(MEMS) 压阻效应手指接触力绝缘体上硅(soi)基底; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米集成电路用硅基半导体材料: 4; 作者屠海令石瑛 +1 位作者肖清华马通达《中国集成电路》 2003年第46期105-110,85,共7页; 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经... 展开更多; 关键词纳米集成电路硅基半导体材料绝缘体上硅锗硅 SIGE soi 蓝宝石上外延硅键合硅片; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅基肖特基势垒红外光学探测器: 5; 作者高编《红外》 CAS 2008年第7期36-36,共1页; 本发明提供一种硅基肖特基势垒红外光学探测器，更具体地说，是一种暗电流足够低、能够在室温下有效工作的平面型波导基红外光学探测器。这种探测器是这样制作的：在一个“绝缘体上硅”（SOI）结构的平面硅波导层（也称SOI层）上配置一... 展开更多; 关键词光学探测器肖特基势垒红外硅基 soi结构绝缘体上硅平面型硅化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI技术与SOC基础设计服务平台: 6; 作者王浩《中国集成电路》 2012年第9期45-54,共10页; 本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何... 展开更多; 关键词 soi(绝缘体上的硅) FB(浮衬底) BC(衬底连接) PDK(参数化设计套件) EDA(电子设计自动化) 优势难点解决; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于MEMS工艺的微热加速度计和微热陀螺仪的制备: 7; 作者吴嘉琦赖丽燕李以贵《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期110-119,共10页; 微热加速度计和微热陀螺仪两者传感芯片结构相似,并且制备工艺完全兼容,在同一块绝缘体上硅(SOI)基板上运用同一工艺流程同时制备出了微热陀螺仪传感芯片和微热加速度计传感芯片。为了准确地创建微尺度的图案和结构,设计了四块光刻掩模... 展开更多; 关键词微电子机械系统(MEMS) 微热加速度计微热陀螺仪绝缘体上硅(soi)基板热对流; 在线阅读下载PDF 职称材料

IBM推出45nm SOI代工服务: 8; 《中国集成电路》 2008年第12期6-6,共1页; 为了在SOI（绝缘体上的硅）这一新兴技术上确立优势，IBM目前宣布推出业界首个45nmSOI代工服务。据悉，IBM将在自己的晶圆厂中提供45nmSOI代工服务。此外新加坡特许半导体将作为该服务的“第二来源”。ARM则宣布向IBMSOI技术提供物理IP... 展开更多; 关键词 soi技术 IBM 服务 soi晶圆器件性能寄生电容硅衬底绝缘体; 在线阅读下载PDF 职称材料

美研制出快速节能型芯片: 9; 《现代电子技术》 1998年第A06期34-34,共1页; 新华社华盛顿电美国国际商用机器公司（ＩＢＭ）最近利用“绝缘体基础上的硅”技术开发成功一种新型芯片。这种芯片不但速度快而且还能节省能源。据美联社从纽约发出的报道，这种芯片运算速度比目前的芯片增强三分之一，而耗电量减少三... 展开更多; 关键词快速节能美国国际商用机器公司晶体管芯片加工绝缘体运算速度绝缘材料节约电能减少电流硅基底; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名绝缘体上硅（SOI）: 1; 出处《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期226-226,共1页; 文摘 SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，这种基板由以下三层构成：薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路；相当薄的绝缘SiO2中间层；非常厚的体型Si衬底层。; 关键词绝缘体上硅 SIO2 机械支撑基板工程化 soi 单晶硅中间层体型衬底蚀刻; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响: 2; 作者李培仪刘东雷程梁庭党伟刚罗后明; 机构中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室淮海工业集团有限公司; 出处《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期170-176,共7页; 基金国家重点研发计划(2023YFB3209100) 中央引导地方科技发展资金项目(YD2JSX20231B006) 山西省重点研发计划(202302030201001)。; 文摘采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后数据进行对比。结果表明,300℃加电老化情况下,芯片稳定输出的时间为12h,且老化后芯片的各项指标均有改善。在温度允许范围内,适当的老化温度可以使芯片达到稳定输出状态,提升工作效率的同时为优化SOI基压阻芯片的老化时间提供了参考。; 关键词传感器绝缘体上硅(soi)基压阻芯片正装芯片倒装芯片老化; Keywords sensor silicon on insulator(soi)-based piezoresistive chip formal chip flip chip aging; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI基底上制备的用于检测机器人手指接触力的微压阻式力传感器: 3; 作者范若欣赖丽燕李以贵; 机构上海应用技术大学理学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1232-1239,共8页; 基金国家自然科学基金(62104151); 文摘为了使工业机器人可以稳定、高效地完成夹持任务,设计并制备了三种不同结构的微压阻式力传感器。利用热氧化、硼扩散掺杂、光刻、反应离子刻蚀、物理气相沉积和阳极键合等微电子机械系统(MEMS)加工工艺在绝缘体上硅(SOI)基底上制备出了尺寸均为2 mm×2 mm×0.5 mm的三种微压阻式力传感器。通过封装前后对三种传感器在z方向上的应力灵敏度测试,结果表明第二种传感器的灵敏度较佳,封装前可达0.18 mV/mN,封装后仍可达0.096 mV/mN,仅减少了0.084 mV/mN,仍具有良好的线性关系,输出特性的趋势与预计一致。同时,这三种不同结构的传感器各方向之间的串扰均小于5%,非线性小于满量程的3%。通过封装前后力传感器性能对比,为优化此类传感器设计提供了实验数据,为后续配置在机器人的指尖上实现高效、稳定的操作提供了参考。; 关键词压阻式力传感器微电子机械系统(MEMS) 压阻效应手指接触力绝缘体上硅(soi)基底; Keywords piezoresistive force sensor micro-electromechanical system(MEMS),piezoresistive effect finger contact force silicon-on-insulator(soi)substrate; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米集成电路用硅基半导体材料: 4; 作者屠海令石瑛肖清华马通达; 机构北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心; 出处《中国集成电路》 2003年第46期105-110,85,共7页; 文摘随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。; 关键词纳米集成电路硅基半导体材料绝缘体上硅锗硅 SIGE soi 蓝宝石上外延硅键合硅片; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅基肖特基势垒红外光学探测器: 5; 作者高编; 出处《红外》 CAS 2008年第7期36-36,共1页; 文摘本发明提供一种硅基肖特基势垒红外光学探测器，更具体地说，是一种暗电流足够低、能够在室温下有效工作的平面型波导基红外光学探测器。这种探测器是这样制作的：在一个“绝缘体上硅”（SOI）结构的平面硅波导层（也称SOI层）上配置一层硅化物（或其它合适的金属层）；在该SOI结构的平面SOI层和硅化物上配置欧姆接点。这样，在平面SOI层内沿光学波导横向传播的光学信号就将从硅化物下面通过，; 关键词光学探测器肖特基势垒红外硅基 soi结构绝缘体上硅平面型硅化物; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI技术与SOC基础设计服务平台: 6; 作者王浩; 机构无锡华润上华半导体有限公司设计服务中心; 出处《中国集成电路》 2012年第9期45-54,共10页; 文摘本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何实现华润上华0.18微米60VSOI工艺设计服务平台。; 关键词 soi(绝缘体上的硅) FB(浮衬底) BC(衬底连接) PDK(参数化设计套件) EDA(电子设计自动化) 优势难点解决; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于MEMS工艺的微热加速度计和微热陀螺仪的制备: 7; 作者吴嘉琦赖丽燕李以贵; 机构上海应用技术大学理学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期110-119,共10页; 基金国家自然科学基金资助项目(62104151)。; 文摘微热加速度计和微热陀螺仪两者传感芯片结构相似,并且制备工艺完全兼容,在同一块绝缘体上硅(SOI)基板上运用同一工艺流程同时制备出了微热陀螺仪传感芯片和微热加速度计传感芯片。为了准确地创建微尺度的图案和结构,设计了四块光刻掩模版来制作该微热加速度计芯片和微热陀螺仪芯片,分别对应于接触孔开口、热敏电阻、互连布线和背面空腔。轻掺杂硅热敏电阻的可控电阻温度系数(TCR)大于传统金属丝,因此选择p型硅作为热敏电阻材料。TCR由硅片的掺杂浓度决定,使用了三种不同掺杂浓度的硅片进行对比实验,从而选定硅片的掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3),对应的TCR为3500×10^(-6)/℃。选择SOI作为衬底材料,显著增强了微热陀螺仪和微热加速度计的耐高温性,并且提高了其灵敏度。在电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)和氢氟酸(HF)蒸气工艺过程中,通过光刻胶和聚酰亚胺层成功保护了非常薄和易碎的热敏电阻,在4英寸(1英寸=2.54 cm)SOI基板上一次最多可以成功制备出180个微热陀螺仪传感芯片和108个微热加速度计传感芯片,制备的微热加速度计传感芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.4 mm,微热陀螺仪传感芯片尺寸为5.8 mm×5.8 mm×0.4 mm。分别对制备的微热加速度计和微热陀螺仪进行了测试,微热陀螺仪x轴灵敏度为0.107 mV/(°/s),y轴灵敏度为0.102 mV/(°/s),微热加速度计灵敏度为13 mV/g。通过一次工艺流程制备出两种热流体惯性传感器,极大地缩短了制备时间,降低了制备成本,成功实现了高精度的批量生产。; 关键词微电子机械系统(MEMS) 微热加速度计微热陀螺仪绝缘体上硅(soi)基板热对流; Keywords micro-electromechanical system(MEMS) micro-thermal accelerometer microthermal gyroscope silicon on insulator(soi)substrate thermal convection; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TH824 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名IBM推出45nm SOI代工服务: 8; 出处《中国集成电路》 2008年第12期6-6,共1页; 文摘为了在SOI（绝缘体上的硅）这一新兴技术上确立优势，IBM目前宣布推出业界首个45nmSOI代工服务。据悉，IBM将在自己的晶圆厂中提供45nmSOI代工服务。此外新加坡特许半导体将作为该服务的“第二来源”。ARM则宣布向IBMSOI技术提供物理IP。SOI技术用一块SOI晶圆代替普通体硅衬底，在此基础上制造的器件具有寄生电容减少的特点，从而提高器件性能。IBM称45nmSOI技术较体硅技术可改善30％的性能，功耗降低40％。; 关键词 soi技术 IBM 服务 soi晶圆器件性能寄生电容硅衬底绝缘体; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP333.35 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名美研制出快速节能型芯片: 9; 出处《现代电子技术》 1998年第A06期34-34,共1页; 文摘新华社华盛顿电美国国际商用机器公司（ＩＢＭ）最近利用“绝缘体基础上的硅”技术开发成功一种新型芯片。这种芯片不但速度快而且还能节省能源。据美联社从纽约发出的报道，这种芯片运算速度比目前的芯片增强三分之一，而耗电量减少三分之一。目前，芯片的集成度是用芯片...; 关键词快速节能美国国际商用机器公司晶体管芯片加工绝缘体运算速度绝缘材料节约电能减少电流硅基底; 分类号 TN01 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	绝缘体上硅（SOI）		《微纳电子技术》 CAS	2005	在线阅读下载PDF 职称材料
2	热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响	李培仪刘东雷程梁庭党伟刚罗后明	《微纳电子技术》 CAS	2024	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SOI基底上制备的用于检测机器人手指接触力的微压阻式力传感器	范若欣赖丽燕李以贵	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2023	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米集成电路用硅基半导体材料	屠海令石瑛肖清华马通达	《中国集成电路》	2003	在线阅读下载PDF 职称材料
5	硅基肖特基势垒红外光学探测器	高编	《红外》 CAS	2008	在线阅读下载PDF 职称材料
6	SOI技术与SOC基础设计服务平台	王浩	《中国集成电路》	2012	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于MEMS工艺的微热加速度计和微热陀螺仪的制备	吴嘉琦赖丽燕李以贵	《微纳电子技术》 CAS	2024	在线阅读下载PDF 职称材料
8	IBM推出45nm SOI代工服务		《中国集成电路》	2008	在线阅读下载PDF 职称材料
9	美研制出快速节能型芯片		《现代电子技术》	1998	在线阅读下载PDF 职称材料