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掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善
1
作者
陈建新
吴楠
+1 位作者
史辰
杨维明
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1048-1051,共4页
为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础...
为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.
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关键词
掩埋金属
自对准
结面积利用率
金属-半导体接触
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职称材料
题名
掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善
1
作者
陈建新
吴楠
史辰
杨维明
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1048-1051,共4页
基金
国家自然科学基金(60476034)
文摘
为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.
关键词
掩埋金属
自对准
结面积利用率
金属-半导体接触
Keywords
buried-metal
self-aligned
area utilization efficiency
metal semi-conductor contact
分类号
TN323 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善
陈建新
吴楠
史辰
杨维明
《北京工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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