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基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制被引量：2: 1; 作者张发生李欣然《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期146-149,共4页; 采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击... 展开更多; 关键词碳化硅肖特基势垒二极管结终端扩展欧姆接触; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种900 V JTE结构VDMOS终端设计被引量：1: 2; 作者石存明冯全源陈晓培《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第4期129-132,共4页; 垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Transistor,VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,... 展开更多; 关键词终端结终端扩展缓变结击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计: 3; 作者宋迎新马捷 +4 位作者侯杰孙德福刘进松李泽宏任敏《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期352-356,共5页; 为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优... 展开更多; 关键词结终端扩展埋层高能离子注入金属场板击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

VDMOS结终端技术对比研究被引量：2: 4; 作者赵圣哲李理赵文魁《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期46-50,共5页; 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前... 展开更多; 关键词结终端场限环(FLR)技术 p+偏移技术横向变掺杂(VLD)技术结终端扩展(JTE)技术 RESURF技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究被引量：1: 5; 作者张芳傅兴华《现代电子技术》 2012年第9期170-172,共3页; 借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特... 展开更多; 关键词碳化硅肖特基二极管 Silvaco 结终端扩展结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压VDMOSFET击穿电压优化设计被引量：3: 6; 作者严向阳唐晓琦淮永进《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期577-579,585,共4页; 通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSF... 展开更多; 关键词纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管击穿电压结终端扩展终端结构外延层厚度和掺杂浓度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制被引量：2: 1; 作者张发生李欣然; 机构湖南大学电气与信息工程学院中南林业科技大学计算机与信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期146-149,共4页; 基金湖南省高等学校科学研究项目(08C942) 湖南省科技厅科技项目(2008FJ3102); 文摘采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击穿电压达1800V,且反向恢复特性为32ns。; 关键词碳化硅肖特基势垒二极管结终端扩展欧姆接触; Keywords silicon carbide（SiC） Schottky barrier diode（SBD） junction termination extension（JTE） ohmic contact; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种900 V JTE结构VDMOS终端设计被引量：1: 2; 作者石存明冯全源陈晓培; 机构西南交通大学微电子研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第4期129-132,共4页; 基金国家自然科学基金项目(61271090) 四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103); 文摘垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Transistor,VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,在原理上也相当于突变结耐压.结合结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)技术,引入缓变结耐压,设计了一款900V的终端结构,实现了992.0V的仿真击穿电压,终端效率达到了98.6%,而且有效终端长度仅有130.2μm,在较大程度上减小了芯片的占用面积,提高了击穿电压,而且工艺流程与成熟的深阱场限环基本一致,有较好的兼容性.; 关键词终端结终端扩展缓变结击穿电压; Keywords termination variation of lateral doping breakdown voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计: 3; 作者宋迎新马捷侯杰孙德福刘进松李泽宏任敏; 机构济南市半导体元件实验所电子科技大学; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期352-356,共5页; 基金国家重点研发计划资助项目(2006ZYGQ0203)。; 文摘为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优化表面电场,实现了终端电场更加均衡,提高了击穿电压及减少结终端尺寸。利用仿真软件对提出的新型终端结构进行仿真,对新结构的电场分布、击穿电流电压曲线、击穿电压随终端JTE区注入剂量变化和击穿电压随表面固定电荷Qf变化四个方面进行分析,结果表明:相比传统JTE终端,本文设计的新型终端尺寸缩短16%,耐压提升约20%,同时可靠性也有所提升。; 关键词结终端扩展埋层高能离子注入金属场板击穿电压; Keywords junction terminal extension buried layer high energy ion implantation metal field plate breakdown voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VDMOS结终端技术对比研究被引量：2: 4; 作者赵圣哲李理赵文魁; 机构深圳方正微电子; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期46-50,共5页; 文摘垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结终端技术的结构及工作原理,包括场限环技术、p+偏移技术、横向变掺杂技术、结终端扩展技术和RESURF技术。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结终端技术不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结终端技术试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结终端技术制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。; 关键词结终端场限环(FLR)技术 p+偏移技术横向变掺杂(VLD)技术结终端扩展(JTE)技术 RESURF技术; Keywords junction terminal field limiting ring（FLR） technology p＋shift technology variation of lateral doping（VLD） technology junction termination extension（JTE） technology RESURF technology; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究被引量：1: 5; 作者张芳傅兴华; 机构贵州省微纳电子技术重点实验室贵州大学电子科学系; 出处《现代电子技术》 2012年第9期170-172,共3页; 基金贵州省工业公关项目(黔科合GY字[2009]3026号) 贵州省重点实验室能力建设项目(黔科合计Z字[2010]4006); 文摘借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。; 关键词碳化硅肖特基二极管 Silvaco 结终端扩展结构; Keywords silicon carbide（SiC） Schottky barrier diodes（SBD） Silvaco junction terminal expand（JTE）; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压VDMOSFET击穿电压优化设计被引量：3: 6; 作者严向阳唐晓琦淮永进; 机构佛山市蓝箭电子有限公司北京燕东微电子有限公司; 出处《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期577-579,585,共4页; 文摘通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值。; 关键词纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管击穿电压结终端扩展终端结构外延层厚度和掺杂浓度; Keywords VDMOSFET breakdown voltage junction termination extension （JTE） termination structure thickness and doping concentration of EPI; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN323.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制	张发生李欣然	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种900 V JTE结构VDMOS终端设计	石存明冯全源陈晓培	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计	宋迎新马捷侯杰孙德福刘进松李泽宏任敏	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	VDMOS结终端技术对比研究	赵圣哲李理赵文魁	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究	张芳傅兴华	《现代电子技术》	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高压VDMOSFET击穿电压优化设计	严向阳唐晓琦淮永进	《微纳电子技术》 CAS	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料