垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前...垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结终端技术的结构及工作原理,包括场限环技术、p+偏移技术、横向变掺杂技术、结终端扩展技术和RESURF技术。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结终端技术不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结终端技术试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结终端技术制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。展开更多
对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O SFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构。利用ISE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析。...对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O SFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构。利用ISE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析。结果表明,采用沟槽负斜角终端结构会使功率M O SFET的耐压达到其平行平面结击穿电压的92.6%,而所占的终端尺寸仅为场限环的80%。展开更多
文摘垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结终端技术的结构及工作原理,包括场限环技术、p+偏移技术、横向变掺杂技术、结终端扩展技术和RESURF技术。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结终端技术不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结终端技术试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结终端技术制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。
文摘对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O SFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构。利用ISE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析。结果表明,采用沟槽负斜角终端结构会使功率M O SFET的耐压达到其平行平面结击穿电压的92.6%,而所占的终端尺寸仅为场限环的80%。
