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THz波微结构器件特性的研究
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作者 栗岩锋 王昌雷 +6 位作者 刘丰 田震 谷建强 胡明列 柴路 王清月 邢岐荣 《中国电子科学研究院学报》 2009年第3期263-267,共5页
在电磁波谱中所处的特殊位置使得THz波在在物理、化学、生物医学、电子科学、材料科学、环境监测等领域有着广泛的应用前景。综述了THz波微结构器件特性方面的研究工作。亚波长金属周期微结构器件的THz波谱选择增强透射现象,亚波长环形... 在电磁波谱中所处的特殊位置使得THz波在在物理、化学、生物医学、电子科学、材料科学、环境监测等领域有着广泛的应用前景。综述了THz波微结构器件特性方面的研究工作。亚波长金属周期微结构器件的THz波谱选择增强透射现象,亚波长环形槽金属线上的THz等效表面等离子体激元,以及THz光子晶体光纤。 展开更多
关键词 THZ波 THz波微结构器件 THz波谱选择增强透射现象 THz等效表面等离子体激元 THz光子晶体光纤
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GaN垂直结构器件结终端设计
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作者 徐嘉悦 王茂俊 +3 位作者 魏进 解冰 郝一龙 沈波 《电子与封装》 2023年第1期40-51,共12页
得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在... 得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注。与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在中高压领域的应用。在垂直器件中,一个重要的设计是利用结终端来扩展器件内部电场的分布,减轻或消除结边缘的电场集聚效应,防止功率器件的过早击穿。结合GaN垂直结构肖特基二极管(SBD)以及PN结二极管(PND),回顾了常用的结终端设计方法和工艺技术,对各自的优缺点进行了总结。此外,GaN的材料性能与传统硅(Si)以及碳化硅(SiC)材料存在较大差异,讨论了其对结终端设计和制备的影响。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 氮化镓 垂直结构器件 二极管 结终端
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纺织结构柔性器件与智能服装 被引量:17
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作者 张辉 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2017年第4期484-489,共6页
可穿戴技术的发展是电子产业与服装产业结合的产物.影响可穿戴产品发展的主要技术瓶颈为基于纺织结构的柔性穿戴器件研发滞后,从而造成可穿戴产品的功能单一、用户体验差以及价格昂贵.本文综述分析了影响可穿戴技术发展的瓶颈以及可穿... 可穿戴技术的发展是电子产业与服装产业结合的产物.影响可穿戴产品发展的主要技术瓶颈为基于纺织结构的柔性穿戴器件研发滞后,从而造成可穿戴产品的功能单一、用户体验差以及价格昂贵.本文综述分析了影响可穿戴技术发展的瓶颈以及可穿戴产品的发展趋势,并通过案例指出基于纺织结构柔性穿戴器件的发展方向. 展开更多
关键词 可穿戴技术 纺织结构柔性器件 柔性传感器 柔性电极
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器件结构与有机ELD发光效率和寿命 被引量:2
4
作者 李文连 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第3期209-213,共5页
描述了有机 EL器件结构设计与其效率和寿命的关系 ,混合型结构的有机 ELD的效率和寿命要比传统异质结构器件高得多。采用阳极 buffer layer(如 Cu Pc)、阴极 buffer layer(如 Li F)以及向 HTL(空穴传输层 )中的染料掺杂也会明显提高效... 描述了有机 EL器件结构设计与其效率和寿命的关系 ,混合型结构的有机 ELD的效率和寿命要比传统异质结构器件高得多。采用阳极 buffer layer(如 Cu Pc)、阴极 buffer layer(如 Li F)以及向 HTL(空穴传输层 )中的染料掺杂也会明显提高效率并增加寿命。比较了不同阴极接触模式 ,如 Al:Li/Alq3 ,Al/Li F/Alq3 ,Al/Li F:Alq3 /Alq3 及 Al/Li:Alq3 /Alq3 等对器件效率及寿命影响差异。结果表明 ,无论哪种阴极接触模式都会提高器件的效率及寿命 ;而对阳极 buffer layer或引入染料掺杂模式 ,均可以控制或调整空穴的注入 ,阴极 buffer layer是为了增加电子注入 ,两者目的都是为了防止或减少在发光分子 (如 Alq3 )中被称之为“空穴阳离子”(如 [Alq3 ]+ )的不稳定剂的产生。 展开更多
关键词 有机发光二极管 器件结构 稳定性 ELD 发光效率 寿命
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毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 被引量:1
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作者 张效玮 贾科进 +3 位作者 房玉龙 敦少博 冯志红 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期634-637,641,共5页
由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分... 由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。 展开更多
关键词 镓氮高电子迁移率晶体管 器件材料结构 短沟道效应 源漏导通电阻 毫米波
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RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6) 被引量:1
6
作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期366-371,392,共7页
介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。
关键词 器件结构 制造工艺 台面和平面结构 混合集成 空气桥 共振隧穿器件
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激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究进展 被引量:8
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作者 周伟平 白石 +2 位作者 谢祖武 刘明伟 胡安明 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期38-50,共13页
激光直写技术作为一种新兴的低成本、高效、高精度的加工技术,可以适用于几乎任意自由度的二维或者三维微纳结构快速成型制备。这对光电子以及半导体微纳结构与器件的制备具有重大的意义。金属微纳结构在电子学和光子学中有着广泛的应... 激光直写技术作为一种新兴的低成本、高效、高精度的加工技术,可以适用于几乎任意自由度的二维或者三维微纳结构快速成型制备。这对光电子以及半导体微纳结构与器件的制备具有重大的意义。金属微纳结构在电子学和光子学中有着广泛的应用。本文综述了激光直写制备金属微纳结构相关研究进展。主要包括激光直写制备金、银、铜以及复合材料微纳结构与器件。随后重点综述了激光直写表面增强拉曼光谱微流道芯片相关的研究进展。随着环保要求的不断提高,功能性碳材料将会在更多领域得到广泛的应用。与传统的热碳化方法相比,激光直写工艺可以在材料的表面上实现精细的图案化微纳结构的制备。本文进一步综述了激光碳化直写碳功能材料相关研究进展。主要包括激光直写原位还原氧化石墨烯、激光碳化木材、叶子等木质材料。通过对本课题组的研究以及目前相关的研究成果进行综述,本文可为激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究及应用提供参考。 展开更多
关键词 激光直写 微纳结构器件 金属微纳结构 碳材料 表面增强拉曼
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聚苯胺红外电致变色器件研究进展 被引量:1
8
作者 陈渊泽 牛春晖 +3 位作者 王雷 杨明庆 张世玉 吕勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期249-258,共10页
电致变色是材料反射、吸收等光学性质在外加电场驱动下发生稳定、可逆变化的现象,在不同波段可表现为颜色、红外发射率等变化。红外电致变色器件(IR-ECDs)能够动态调节物体的红外光学特性,在自适应伪装、热管理等应用中受到广泛关注。... 电致变色是材料反射、吸收等光学性质在外加电场驱动下发生稳定、可逆变化的现象,在不同波段可表现为颜色、红外发射率等变化。红外电致变色器件(IR-ECDs)能够动态调节物体的红外光学特性,在自适应伪装、热管理等应用中受到广泛关注。作为最有代表性的有机电致变色材料,聚苯胺(PANI)制备方法简单,电化学性能优异,在多波段电致变色领域有着巨大的潜在应用价值。本文从电致变色器件结构出发,介绍了从可见电致变色到红外电致变色的原理和器件结构的演变,对近年来增强聚苯胺红外电致变色器件性能的策略和最新进展进行了归纳和分析,讨论了其多功能化应用的拓展方向,最后对所面临的挑战与未来的发展方向进行了总结与展望,为今后发展优异性能的IR-ECDs提供了参考,希望能够对本领域研究者有所启发,促进电致变色领域的发展。 展开更多
关键词 聚苯胺 红外 电致变色 器件结构 多功能
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FinFET器件结构发展综述 被引量:6
9
作者 熊倩 马奎 杨发顺 《电子技术应用》 2021年第1期21-27,共7页
随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以... 随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。 展开更多
关键词 场效应晶体管 FINFET 器件结构 工艺
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直接型卤素钙钛矿X射线探测器结构设计研究进展 被引量:1
10
作者 韩继光 柴英俊 李晓明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期25-43,共19页
X射线探测技术在医疗诊断、安防检测和科学研究等领域有着广泛的应用,直接型X射线探测器拥有更高的理论探测效率、空间和能量分辨率,受到了国内外的广泛关注。钙钛矿材料因其X射线衰减系数大、体电阻率高、光学带隙合适以及易大面积制... X射线探测技术在医疗诊断、安防检测和科学研究等领域有着广泛的应用,直接型X射线探测器拥有更高的理论探测效率、空间和能量分辨率,受到了国内外的广泛关注。钙钛矿材料因其X射线衰减系数大、体电阻率高、光学带隙合适以及易大面积制造等优势,成为直接型X射线探测器的理想材料。随着对探测性能的需求的不断提高,合理的器件结构设计显得尤为重要。本文从电极工程和能带工程两个方面出发,综述了有关直接型钙钛矿X射线探测器器件结构设计的最新进展。最后,我们对这些研究进展进行了总结,并对未来的发展进行了展望。我们希望这篇综述能为研究者们提供参考和启发。 展开更多
关键词 钙钛矿X射线探测器 器件结构 电极工程 能带工程 异质结
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检验半导体分立器件 怎样运用结构相似性程序(续完)
11
作者 蔡仁明 《电子标准化与质量》 1998年第4期15-16,共2页
检验半导体分立器件怎样运用结构相似性程序(续完)电子部四所(100007)蔡仁明(上接1998年第3期第21页)五、坚持自愿和确认相结合的原则符合结构相似性元器件要求的元器件型号是否组合在一起进行抽样检验,完全由承制... 检验半导体分立器件怎样运用结构相似性程序(续完)电子部四所(100007)蔡仁明(上接1998年第3期第21页)五、坚持自愿和确认相结合的原则符合结构相似性元器件要求的元器件型号是否组合在一起进行抽样检验,完全由承制单位自行决定。但其确定组合的产品型... 展开更多
关键词 半导体分立器件 结构相似性器件 检验
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纺织结构热电器件的设计制备及应用
12
作者 郑园园 韩雪 +2 位作者 景媛媛 陈馨逸 张坤 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2022年第1期34-47,60,共15页
介绍了纺织结构热电器件用热电材料的制备方法、结构及特点,总结了其在发电、固态制冷及传感领域的应用,对纺织结构热电器件的未来发展趋势进行了展望。指出纺织结构热电器件质轻、耐久性好,可以在满足人体穿戴舒适度的情况下持续收集... 介绍了纺织结构热电器件用热电材料的制备方法、结构及特点,总结了其在发电、固态制冷及传感领域的应用,对纺织结构热电器件的未来发展趋势进行了展望。指出纺织结构热电器件质轻、耐久性好,可以在满足人体穿戴舒适度的情况下持续收集人体与环境之间的能量差,在为低功率可穿戴电子器件提供电能、人体温度调节、人体健康监测等领域发挥着重要作用。未来依然需要开发更多的热电纺织品,进一步优化其结构设计,提高能量转换效率。 展开更多
关键词 热电材料 纺织结构热电器件 能量收集 固态制冷 无源自供电传感器
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优化栅的VDMOS器件结构及特性简析
13
作者 刘宗贺 《集成电路应用》 2011年第8期22-23,共2页
垂直双扩散MOSFET(VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度(多子导电器件)、优越的频率特性及低噪声等特点,在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用,主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高... 垂直双扩散MOSFET(VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度(多子导电器件)、优越的频率特性及低噪声等特点,在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用,主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。 展开更多
关键词 频率特性 VDMOS 器件结构 优化 功率集成电路 电机调速 开关电源 高输入阻抗
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新型电声转换器件的电性能优化策略
14
作者 赵金成 《电声技术》 2024年第11期155-157,共3页
随着电子技术的快速发展,新型电声转换器件在提高电声转换效率、频响特性、能量转换效率以及工作稳定性方面的需求日益增长。通过探讨电声转换器件的电性能优化策略,包括器件结构、材料性能、制备工艺以及电路拓扑的优化,以提高器件性... 随着电子技术的快速发展,新型电声转换器件在提高电声转换效率、频响特性、能量转换效率以及工作稳定性方面的需求日益增长。通过探讨电声转换器件的电性能优化策略,包括器件结构、材料性能、制备工艺以及电路拓扑的优化,以提高器件性能及其在各种应用中的竞争力,为电声转换器件的设计和制造提供理论指导和实践参考。 展开更多
关键词 电声转换器件 电性能优化 器件结构
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有机电致发光白光器件的研究进展 被引量:13
15
作者 雷钢铁 段炼 +1 位作者 王立铎 邱勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期221-230,共10页
在十多年的时间里 ,有机电致发光二极管 (OrganicLight emittingDiodes,OLEDs)的研究和应用取得了长足的进展。有机电致发光器件具有许多优点 ,例如 :自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能... 在十多年的时间里 ,有机电致发光二极管 (OrganicLight emittingDiodes,OLEDs)的研究和应用取得了长足的进展。有机电致发光器件具有许多优点 ,例如 :自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低、成本低等 ,因此有机电致发光器件极有可能成为下一代的平板显示终端。有机电致发光白光器件因为可以用于全彩色显示和照明 ,已成为OLED研究中的热点。介绍了有机电致发光白光器件的研究进展 ,按发光的性质将白光器件分为荧光器件和磷光器件两类 ,按发光层数将白光器件分为单层和多层器件 ,对相关材料、器件结构。 展开更多
关键词 有机电致发光 白光发射 器件结构 发光机理
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功率VDMOS开关特性与结构关系 被引量:4
16
作者 戴显英 张鹤鸣 +1 位作者 李跃进 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期98-101,共4页
VDMOS的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响.笔者设计和制造了3种体内结构与常规VDMOS相同,而表面结构不同的器件.实验结果表明,这3种结构器件的开关时间都明显减小.
关键词 VDMOS 器件结构 开关时间
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千瓦级LDMOS大功率器件研制 被引量:3
17
作者 王佃利 李相光 +5 位作者 严德圣 应贤炜 丁晓明 梅海 刘洪军 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题,成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率... 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题,成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。 展开更多
关键词 大功率器件 LDMOS 千瓦级 南京电子器件研究所 器件结构 散热设计 横向结构 场板结构
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电荷耦合器件辐射损伤机理分析 被引量:2
18
作者 唐本奇 王祖军 +2 位作者 张勇 肖志刚 黄绍艳 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期579-581,共3页
简要介绍了CCD的基本器件结构与工作机制,跟踪了国外CCD器件辐射效应方面的研究进展,分析了CCD器件电离效应和位移损伤机理,给出了国外在暗电流密度、RTS、电荷转移损失率等特征参数辐射效应的试验测试结果,以及相应的数学物理模型。
关键词 电荷耦合器件 器件结构 暗电流 跟踪 CCD器件 电荷转移 辐射效应 辐射损伤 损伤机理 研究进展
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感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化 被引量:1
19
作者 朱彦旭 李赉龙 +4 位作者 白新和 宋会会 石栋 杨壮 杨忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期311-316,共6页
铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN... 铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相结合,成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件,并在波长为365 nm的光照下进行探测,经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA,相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外,通过合理改变器件结构尺寸,包括器件栅长以及栅漏间距,发现随着栅长的增大,器件的饱和输出电流依次减小,而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知,改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 感光栅极 器件结构 光伏效应
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纳米半导体电极及有机-无机电致变色器件 被引量:2
20
作者 葛万银 李永祥 +1 位作者 于晓峰 杨群保 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期108-112,共5页
对无机和有机电致变色材料及其在电致变色器件中的应用做了详尽地分析。重点介绍了近年来广泛研究的一种变色子修饰半导体电极的复合型电致变色器件。通过对这种有机-无机复合电致变色器件结构的剖析,分析了变色机理,展望了这种变色器... 对无机和有机电致变色材料及其在电致变色器件中的应用做了详尽地分析。重点介绍了近年来广泛研究的一种变色子修饰半导体电极的复合型电致变色器件。通过对这种有机-无机复合电致变色器件结构的剖析,分析了变色机理,展望了这种变色器件的发展动向。 展开更多
关键词 电致变色 有机-无机复合 纳米膜材料 平板显示器件 电致变色器件 半导体电极 纳米 电致变色材料 器件结构 变色机理
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