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低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能
被引量：
2
1
作者
马瑾
刘晓梅
+2 位作者
张士勇
郝晓涛
马洪磊
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期148-151,共4页
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω&...
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。
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关键词
磁控溅射
SnO2:Sb薄膜
结构和电学性质
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职称材料
题名
低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能
被引量：
2
1
作者
马瑾
刘晓梅
张士勇
郝晓涛
马洪磊
机构
山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所
山东大学计算机学院
长安大学基础部物理组
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期148-151,共4页
基金
教育部科学技术研究重点项目(重点02165)
教育部博士点基金项目(20020422056)
文摘
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。
关键词
磁控溅射
SnO2:Sb薄膜
结构和电学性质
Keywords
Carrier concentration
Electric resistance
Electronic properties
Glass
Magnetron sputtering
Polycrystalline materials
Semiconducting antimony
Semiconducting tin compounds
分类号
TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能
马瑾
刘晓梅
张士勇
郝晓涛
马洪磊
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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